[實(shí)用新型]一種硅片表面減反射層沉積改進(jìn)結(jié)構(gòu)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201821332950.4 | 申請(qǐng)日： | 2018-08-18 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN208489205U | 公開(kāi)（公告）日： | 2019-02-12 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 張育 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 嘉興金瑞光伏科技有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L31/0216 | 分類號(hào)： | H01L31/0216 |
| 代理公司： | 嘉興啟帆專利代理事務(wù)所(普通合伙) 33253 | 代理人： | 李伊飏 |
| 地址： | 314000 浙江省嘉興*** | 國(guó)省代碼： | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書(shū)： | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū)： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 絨面結(jié)構(gòu)層 減反射層 發(fā)射層 本實(shí)用新型 不規(guī)則圓形 改進(jìn)結(jié)構(gòu) 硅片本體 硅片表面 襯底 沉積 反射 背面 表面設(shè)置 工作效率 減反射膜 電池板 反射光 光程差 金屬柵 下表面 透射 底端 附著 干涉 | ||
1.一種硅片表面減反射層沉積改進(jìn)結(jié)構(gòu)，包括硅片本體(1)，其特征在于，所述硅片本體(1)的底端設(shè)置有背面襯底(2)，所述背面襯底(2)的端部設(shè)置有P型硅晶(3)，所述P型硅晶(3)的端部設(shè)置有N型硅晶(4)，所述N型硅晶(4)的端部設(shè)置有絨面結(jié)構(gòu)層(5)，所述絨面結(jié)構(gòu)層(5)的表面設(shè)置有減發(fā)射層(6)，所述減發(fā)射層(6)之間排列有金屬柵(7)，所述減發(fā)射層(6)的形狀為不規(guī)則圓形，且均勻的附著于絨面結(jié)構(gòu)層(5)的表面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硅片表面減反射層沉積改進(jìn)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述背面襯底(2)包含有玻璃、晶體硅或低純度的多晶硅。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硅片表面減反射層沉積改進(jìn)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述絨面結(jié)構(gòu)層(5)表面均勻涂抹有光膜。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門(mén)適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件；專門(mén)適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過(guò)該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個(gè)或多個(gè)電光源，如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
