[實用新型]一種基于CSP結構的大浪涌TVS結構有效
| 申請號： | 201821332896.3 | 申請日： | 2018-08-17 |
| 公開（公告）號： | CN209056487U | 公開（公告）日： | 2019-07-02 |
| 發明（設計）人： | 陸亞斌;吳昊;王成 | 申請（專利權）人： | 傲威半導體無錫有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/02 | 分類號： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 上海諾衣知識產權代理事務所(普通合伙) 31298 | 代理人： | 衣然 |
| 地址： | 214028 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 焊盤 大浪 基板載體 兩組 芯片 瞬態電壓抑制器 本實用新型 面積最大化 頂部設置 區域設置 上下兩側 右下位置 接觸孔 金屬層 抗浪涌 均布 封裝 | ||
1.一種基于CSP結構的大浪涌TVS結構，包括基板載體(1)，其特征在于：所述基板載體(1)的頂部設置有P-EPI區域(4)，所述P-EPI區域(4)設置有N+區域(2)，所述N+區域(2)的上下兩側均設置有N-區域(3)，所述P-EPI區域(4)的右上方和右下方設置有P+區域(5)，所述基板載體(1)的頂部左上、左下、右上和右下位置均設置有焊盤(6)，且右方的兩組焊盤(6)設置在P+區域(5)，所述N-區域(3)和P+區域(5)均開設有接觸孔，所述焊盤(6)的外側均布有金屬層(7)，所述P-EPI區域(4)的右側設置在連接部(8)，且所述連接部(8)設置在右方兩組焊盤(6)中間。
2.根據權利要求1所述的一種基于CSP結構的大浪涌TVS結構，其特征在于：開設在所述N-區域(3)的接觸孔設計在N+區域(2)內，開設在P+區域(5)的接觸孔設計在右上和右下的兩個P+區域(5)內。
3.根據權利要求1所述的一種基于CSP結構的大浪涌TVS結構，其特征在于：所述金屬層(7)設計為大片金屬區域，完全覆蓋接觸孔，處在所述P+區域(5)、N+區域(2)與N-區域(3)的金屬層(7)斷開。
4.根據權利要求1所述的一種基于CSP結構的大浪涌TVS結構，其特征在于：所述N-區域(3)空隙間的間距之間保留空隙，所述P+區域(5)與N-區域(3)的間距需大于相鄰兩組N-區域(3)空隙間距。
5.根據權利要求1所述的一種基于CSP結構的大浪涌TVS結構，其特征在于：所述N+區域(2)設置在N-區域(3)內。
6.根據權利要求1所述的一種基于CSP結構的大浪涌TVS結構，其特征在于：所述焊盤(6)的尺寸和間距大小與CSP封裝工藝相匹配。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
