[實用新型]一種雙向高壓的瞬態電壓抑制器

有效

• 申請號: 201821332444.5
• 申請日: 2018-08-17
• 公開（公告）號: CN208637421U
• 公開（公告）日: 2019-03-22
• 發明（設計）人: 陸亞斌;吳昊;王成
• 申請（專利權）人: 傲威半導體無錫有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02
• 代理公司: 上海諾衣知識產權代理事務所(普通合伙) 31298
• 代理人: 衣然

本實用新型公開了電壓抑制器技術領域的一種雙向高壓的瞬態電壓抑制器，包括殼體，殼體的內壁底部設置有P型襯底，P型襯底的內腔靠近邊緣的位置有N型第一外延外層，N型二次外延外層設置在N型第一外延外層的頂部，殼體的頂部的中間位置設置有N型第一外延層，N型第一外延層的頂部設置有NBL內埋層，NBL內埋層的頂部設置有N型二次外延層，N型二次外延層的頂部設置有歐姆接觸層，N型第一外延層、NBL內埋層、述N型二次外延層歐姆接觸層、和N型二次外延外層、N型第一外延外層之間設置有隔離槽，本實用新型在封裝的時候只需要一根封裝線，節省了封裝成本，抗浪涌能力強提升2倍。

技術領域

本實用新型涉及電壓抑制器技術領域，具體為一種雙向高壓的瞬態電壓抑制器。

背景技術

當前雙向的TVS產品被廣泛的用于交流電路的保護，雙向TVS的V-I特性曲線如同兩只單向TVS“背靠背”組合，其正反兩個方向都具有相同的雪崩擊穿特性和箝位特性，正反兩面擊穿電壓的對稱關系為：0.9≤V(BR)(正)/V(BR)(反)≤1.1，一旦加在它兩端的干擾電壓超過箝位電壓Vc就會立刻被抑制掉，雙向TVS在交流回路應用十分方便，雙向的TVS管按照工作電壓可以分為低壓和高壓，低壓的TVS管(工作電壓2.5V-7V)通常可以使用NPN或者PNP的夾層結構，通過調整外延厚度、摻雜濃度及退火條件來獲得所需的擊穿電壓，高壓的TVS管(工作電壓12V以上)通過這種夾層的方式很難實現，因此當前市場上常見的雙向高壓TVS管，是通過兩顆高壓的單向TVS管，打線封裝而實現的，利用兩顆單向高壓TVS管封裝成雙向高壓TVS管，封裝時需要打2根線，增加了封裝成本，封2顆芯片相當于單顆芯片的面積損失二分之一，這樣便削弱了TVS管的抗浪涌能力，為此，我們提出一種雙向高壓的瞬態電壓抑制器。

實用新型內容

本實用新型的目的在于提供一種雙向高壓的瞬態電壓抑制器，以解決上述背景技術中提出的問題。

為實現上述目的，本實用新型提供如下技術方案：一種雙向高壓的瞬態電壓抑制器，包括殼體，殼體的內壁底部設置有P型襯底，P型襯底的內腔靠近邊緣的位置有N型第一外延外層，且N型第一外延外層設置在P型襯底的頂部，殼體的內腔靠近邊緣的位置設置有N型二次外延外層，N型二次外延外層設置在N型第一外延外層的頂部，殼體的頂部的中間位置設置有N型第一外延層，N型第一外延層的頂部設置有NBL內埋層，NBL內埋層的頂部設置有N型二次外延層，N型二次外延層的頂部設置有歐姆接觸層，N型第一外延層、NBL內埋層、N型二次外延層歐姆接觸層、和N型二次外延外層、N型第一外延外層之間設置有隔離槽。

優選的，N型二次外延外層與N型二次外延層結構相同，N型第一外延外層與N型第一外延層結構相同。

優選的，隔離槽貫穿P型襯底的頂部。

優選的，N型第一外延層濃度低于P型襯底的濃度。

優選的，N型第一外延層和N型二次外延層的電阻率0.1-10ohm。

與現有技術相比，本實用新型的有益效果是：

1、本實用新型在封裝的時候只需要一根封裝線，節省了封裝成本；

2、本實用新型雙向TVS芯片面積可以做到單向TVS的2倍，抗浪涌能力強提升2倍。

附圖說明

圖1為本實用新型結構示意圖。

圖中：1殼體、2 P型襯底、3 N型第一外延層、31 N型第一外延外層、4 NBL內埋層、5N型二次外延層、51 N型二次外延外層、6歐姆接觸層、7隔離槽。

具體實施方式