[實用新型]一種雙向高壓的瞬態電壓抑制器

有效

• 申請號: 201821332444.5
• 申請日: 2018-08-17
• 公開（公告）號: CN208637421U
• 公開（公告）日: 2019-03-22
• 發明（設計）人: 陸亞斌;吳昊;王成
• 申請（專利權）人: 傲威半導體無錫有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02
• 代理公司: 上海諾衣知識產權代理事務所(普通合伙) 31298
• 代理人: 衣然

1.一種雙向高壓的瞬態電壓抑制器，包括殼體(1)，其特征在于：殼體(1)的內壁底部設置有P型襯底(2)，P型襯底(2)的內腔靠近邊緣的位置有N型第一外延外層(31)，且N型第一外延外層(31)設置在P型襯底(2)的頂部，殼體(1)的內腔靠近邊緣的位置設置有N型二次外延外層(51)，N型二次外延外層(51)設置在N型第一外延外層(31)的頂部，殼體(1)的頂部的中間位置設置有N型第一外延層(3)，N型第一外延層(3)的頂部設置有NBL內埋層(4)，NBL內埋層(4)的頂部設置有N型二次外延層(5)，N型二次外延層(5)的頂部設置有歐姆接觸層(6)，N型第一外延層(3)、NBL內埋層(4)、N型二次外延層(5)歐姆接觸層(6)、和N型二次外延外層(51)、N型第一外延外層(31)之間設置有隔離槽(7)。

2.根據權利要求1所述的一種雙向高壓的瞬態電壓抑制器，其特征在于：N型二次外延外層(51)與N型二次外延層(5)結構相同，N型第一外延外層(31)與N型第一外延層(3)結構相同。

3.根據權利要求1所述的一種雙向高壓的瞬態電壓抑制器，其特征在于：隔離槽(7)貫穿P型襯底(2)的頂部。

4.根據權利要求1所述的一種雙向高壓的瞬態電壓抑制器，其特征在于：N型第一外延層(3)濃度低于P型襯底(2)的濃度。

5.根據權利要求1所述的一種雙向高壓的瞬態電壓抑制器，其特征在于：N型第一外延層(3)和N型二次外延層(5)的電阻率0.1-10ohm。