[實(shí)用新型]多晶硅生產(chǎn)中超純氫氣的純化裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201821329027.5 | 申請(qǐng)日: | 2018-08-16 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN208700568U | 公開(kāi)(公告)日: | 2019-04-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 劉銘;朱順云;侯哲輝;張才利;郭民;危勝;栗一甲;杜斌功;胡亞萍 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 青海黃河上游水電開(kāi)發(fā)有限責(zé)任公司新能源分公司;青海黃河上游水電開(kāi)發(fā)有限責(zé)任公司;國(guó)家電投集團(tuán)黃河上游水電開(kāi)發(fā)有限責(zé)任公司 |
| 主分類號(hào): | C01B3/50 | 分類號(hào): | C01B3/50;C01B3/56;C01B3/52 |
| 代理公司: | 北京超凡志成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11371 | 代理人: | 魏彥 |
| 地址: | 810000 青*** | 國(guó)省代碼: | 青海;63 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 純化裝置 氫氣 吸附罐 多晶硅生產(chǎn) 本實(shí)用新型 低溫?fù)Q熱器 超純氫氣 除氧器 氫氣出口管道 串聯(lián) 在線檢測(cè)分析裝置 產(chǎn)品純度 進(jìn)氣管道 氫氣凈化 原料氫氣 運(yùn)行穩(wěn)定 裝置設(shè)備 并聯(lián) 液氮 浸泡 進(jìn)口 出口 | ||
本實(shí)用新型屬于多晶硅生產(chǎn)中氫氣的純化技術(shù)領(lǐng)域,涉及多晶硅生產(chǎn)中超純氫氣的純化裝置。本實(shí)用新型的多晶硅生產(chǎn)中超純氫氣的純化裝置,包括除氧器和氫氣超純化裝置,氫氣超純化裝置內(nèi)設(shè)置有低溫?fù)Q熱器和多個(gè)串聯(lián)的吸附罐,多個(gè)串聯(lián)的吸附罐浸泡在液氮中;除氧器的進(jìn)口與原料氫氣的進(jìn)氣管道連接,除氧器的出口與低溫?fù)Q熱器連接,低溫?fù)Q熱器與吸附罐連接;吸附罐上設(shè)置有氫氣出口管道,在吸附罐的氫氣出口管道上并聯(lián)一個(gè)設(shè)有氫氣在線檢測(cè)分析裝置的管道。本實(shí)用新型能夠提高氫氣凈化的純度,同時(shí)降低氫氣超純化的成本,并且該裝置設(shè)備簡(jiǎn)單,成本較低,運(yùn)行穩(wěn)定可靠,得到的產(chǎn)品純度穩(wěn)定性好。
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型屬于多晶硅生產(chǎn)中氫氣的純化技術(shù)領(lǐng)域,具體而言,涉及一種多晶硅生產(chǎn)中超純氫氣的純化裝置。
背景技術(shù)
氫氣是生產(chǎn)電子級(jí)多晶硅過(guò)程中的一種重要原料,主要用于多晶硅生產(chǎn)的冷氫化、CVD還原、還原尾氣處理單元。氫氣的純度直接影響生產(chǎn)的電子級(jí)多晶硅產(chǎn)品的品質(zhì),隨著電子工業(yè)的發(fā)展,對(duì)氫氣的純度也提出了越來(lái)越高的要求,現(xiàn)在使用的氫氣純度已經(jīng)由4N、5N,上升到6N及以上。由于電子級(jí)多晶硅是一種高純度的產(chǎn)品,所以保證其生產(chǎn)所必需的原料氫氣的純度是至關(guān)重要的。
目前,氫氣純化的工藝和裝置主要是利用催化反應(yīng)法、鈀合金擴(kuò)散法、金屬氫化物分離法、變壓吸附法、低溫吸附法等設(shè)計(jì)的。其中,催化反應(yīng)法,是利用鈀或鉑作催化劑,將氫氣中的氧氣在催化劑存在的情況下與氫氣反應(yīng)生成水,再通過(guò)分子篩脫水后,可以得到純度99.999%的氫氣。變壓吸附(PSA)技術(shù),是以特定的吸附劑(多孔固體物質(zhì))內(nèi)部表面對(duì)氣體分子的物理吸附為基礎(chǔ),利用吸附劑在相同壓力下易吸附高沸點(diǎn)組分、不易吸附低沸點(diǎn)組分和高壓下吸附量增加、低壓下吸附量減少的特性,將原料氣在一定壓力下通過(guò)吸附床,達(dá)到氫和雜質(zhì)組分的分離。鈀膜分離法,是膜分離法中的一種,是在一定溫度下,氫分子在鈀膜一側(cè)離解成氫原子,溶于鈀并擴(kuò)散到另一側(cè),然后結(jié)合成分子;經(jīng)一級(jí)分離可得到99.99%-99.9999%純度的氫。低溫分離法,是低溫冷凝基于氫氣與其它氣體沸點(diǎn)差異大的原理,在操作溫度下,除去氫氣以外所有高沸點(diǎn)組分冷凝為液體的分離方法,使用這種方法得到的氫氣的純度可以達(dá)到6N以上。
以上幾種氫氣凈化方法是在氫氣凈化生產(chǎn)過(guò)程中常見(jiàn)的幾種方法,但在應(yīng)用于電子級(jí)多晶硅生產(chǎn)過(guò)程中也存在以下問(wèn)題:
催化反應(yīng)法,利用該方法干燥的氫氣,只能除去氫氣中的氧,而無(wú)法去除氫氣中的其他雜質(zhì),所以無(wú)法滿足電子級(jí)多晶硅生產(chǎn)的需要。變壓吸附法,變壓吸附可以大規(guī)模的凈化氫氣,而且對(duì)原料氫氣的純度要求不高(40%以上),但利用變壓吸附凈化的氫氣純度也較低,不能滿足電子級(jí)多晶硅生產(chǎn)的需要。鈀膜分離法,由于金屬鈀屬于貴金屬,造價(jià)昂貴,而且氧、水、重?zé)N等容易造成鈀膜的損壞;在大規(guī)模電子級(jí)多晶硅的生產(chǎn)工況下,該方法并不適合。
鑒于此,特提出本實(shí)用新型。
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的在于提供一種多晶硅生產(chǎn)中超純氫氣的純化裝置,能夠提高氫氣凈化的純度,同時(shí)降低氫氣超純化的成本,并且該裝置設(shè)備簡(jiǎn)單,成本較低,運(yùn)行穩(wěn)定可靠,得到的產(chǎn)品純度穩(wěn)定性好。
為實(shí)現(xiàn)上述目的,本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案為:
根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)方面,本實(shí)用新型提供一種多晶硅生產(chǎn)中超純氫氣的純化裝置,包括除氧器和氫氣超純化裝置,氫氣超純化裝置內(nèi)設(shè)置有低溫?fù)Q熱器和多個(gè)串聯(lián)的吸附罐,多個(gè)串聯(lián)的吸附罐浸泡在液氮中;
除氧器的進(jìn)口與原料氫氣的進(jìn)氣管道連接,除氧器的出口與低溫?fù)Q熱器連接,低溫?fù)Q熱器與吸附罐連接;
吸附罐上設(shè)置有氫氣出口管道,在吸附罐的氫氣出口管道上并聯(lián)一個(gè)設(shè)有氫氣在線檢測(cè)分析裝置的管道。
作為進(jìn)一步優(yōu)選技術(shù)方案,除氧器為催化除氧器,催化除氧器內(nèi)設(shè)有鈀催化劑。
作為進(jìn)一步優(yōu)選技術(shù)方案,氫氣在線檢測(cè)分析裝置為在線氦離子化氣相色譜分析儀。
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