[實(shí)用新型]一種功率器件芯片

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201821312199.1
• 申請日: 2018-08-15
• 公開（公告）號: CN209374448U
• 公開（公告）日: 2019-09-10
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 林河北;葛立志;覃事治;徐衡
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市金譽(yù)半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L29/06;H01L21/77
• 代理公司: 深圳市蘭鋒知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44419
• 代理人: 曹明蘭

1.一種功率器件芯片，其特征在于：其包括：

第一導(dǎo)電類型的襯底；

形成在所述襯底上表面的第一導(dǎo)電類型的外延層，所述外延層上形成有溝槽；

所述溝槽內(nèi)側(cè)壁形成有氮氧化硅層，所述溝槽底部以及所述氮氧化硅層外均形成有氧化硅層，所述溝槽底部的氧化層的厚度大于所述氮氧化硅層外的氧化硅層，所述溝槽底部的氧化硅層上形成有半絕緣多晶硅層，所述半絕緣多晶硅層上用多晶硅填滿所述溝槽；

體區(qū)，形成于所述外延層內(nèi)并與所述溝槽兩側(cè)鄰接；

源區(qū)，形成于所述體區(qū)內(nèi)并與所述溝槽兩側(cè)鄰接；

介質(zhì)層，形成于所述多晶硅上，并覆蓋部分所述源區(qū)及所述體區(qū)；

第一金屬層，形成于所述體區(qū)、部分所述源區(qū)及所述介質(zhì)層上；

第二金屬層，形成于所述襯底的下表面。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率器件芯片，其特征在于：所述第一導(dǎo)電類型為N型導(dǎo)電材料。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率器件芯片，其特征在于：所述體區(qū)為P型體區(qū)，所述源區(qū)為N+型源區(qū)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率器件芯片，其特征在于：所述半絕緣多晶硅層的厚度小于3000埃。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率器件芯片，其特征在于：所述溝槽底部的氧化硅層的厚度小于5000埃。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率器件芯片，其特征在于：所述氮氧化硅層的厚度為200～1000埃。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率器件芯片，其特征在于：所述半絕緣多晶硅層的氧含量為15％-20％。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率器件芯片，其特征在于：所述氮氧化硅層延伸至所述溝槽底部。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率器件芯片，其特征在于：所述第一金屬層為Al/Si/Cu，厚度為40000埃。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率器件芯片，其特征在于：第二金屬層為Ti/Ni/Ag，厚度為10000～20000埃。