[實用新型]一種帶有自吸噴淋裝置的晶圓沖洗裝置

有效

• 申請號: 201821306096.4
• 申請日: 2018-08-14
• 公開（公告）號: CN208728136U
• 公開（公告）日: 2019-04-12
• 發明（設計）人: 汪良恩;汪曦凌
• 申請（專利權）人: 安徽安芯電子科技股份有限公司
• 主分類號: B08B3/02
• 分類號: B08B3/02;H01L21/67
• 代理公司: 上海華誠知識產權代理有限公司 31300
• 代理人: 陳國俊

本實用新型公開了一種帶有自吸噴淋裝置的晶圓沖洗裝置，包括沖洗槽、噴淋管和抽水泵，所述沖洗槽共有三個，分別為第一槽、第二槽和第三槽，所述噴淋管設置于第二槽的頂部，所述噴淋管上開有噴淋孔，所述抽水泵連接噴淋管和第一槽的底部，所述第一槽的側面設置有進水口。本實用新型通過設計一種帶有自吸噴淋裝置的晶圓沖洗裝置，將傳統的噴淋沖洗和溢流沖洗相結合，解決了噴淋力度不夠且槽底顆粒殘留的問題，增強了沖洗效果。

技術領域

本實用新型涉及半導體加工領域，尤其涉及一種帶有自吸噴淋裝置的晶圓沖洗裝置。

背景技術

在硅片生產過程中，每一道的酸堿浸泡后，都離不開純水的沖洗，現行的辦法是利用簡單的階梯式溢流或者QDR循環鼓泡噴淋。階梯式溢流相對來說一階比一階的水干凈，可以使晶圓在每一道沖洗過程變得更干凈，而且比較節約水資源，但是沖洗的力度并不夠，難以去除粘附性較強的顆粒。QDR沖洗有噴淋和底部鼓泡，且可設置多個循環，每個循環的水都是干凈的，這樣沖洗的力度較大，且循環式沖水也越來越干凈，但長時間沖洗后，沖洗后的顆粒容易卡在槽底，對下次沖洗容易造成二次污染，反復沖洗并不能保證晶圓表面的潔凈度，而且沖洗遍數過多則浪費水資源且耽誤生產周期。

實用新型內容

為了解決上述問題，本實用新型提供了一種帶有自吸噴淋裝置的晶圓沖洗裝置。

實施方案：

一種帶有自吸噴淋裝置的晶圓沖洗裝置，包括沖洗槽、噴淋管和抽水泵，所述沖洗槽共有三個，分別為第一槽、第二槽和第三槽，所述噴淋管設置于第二槽的頂部，所述噴淋管上開有噴淋孔，所述抽水泵連接噴淋管和第一槽的底部，所述第一槽的側面設置有進水口。

進一步的，所述第一槽和第二槽的高度相同，所述第三槽的高度比第二槽的高度低。

進一步的，所述第二槽頂部周邊設置有噴淋管，噴淋管上設置有10-20個噴淋孔，所述第二槽底部靠近第三槽一側開有出水口。

有益效果：本實用新型通過設計一種帶有自吸噴淋裝置的晶圓沖洗裝置，將傳統的噴淋沖洗和溢流沖洗相結合，解決了噴淋力度不夠且槽底顆粒殘留的問題，增強了沖洗效果。

附圖說明

圖1為本實用新型結構示意圖。

具體實施方式

下面結合附圖對本實用新型的具體實施方式進行詳細說明。

如圖所示，一種帶有自吸噴淋裝置的晶圓沖洗裝置，包括沖洗槽1、噴淋管2和抽水泵3，所述沖洗槽1共有三個，分別為第一槽11、第二槽12和第三槽13，所述噴淋管2設置于第二槽12的頂部，所述噴淋管2上開有噴淋孔，所述抽水泵3連接噴淋管2和第一槽11的底部，所述第一槽11的側面設置有進水口4。

所述第一槽11和第二槽12的高度相同，所述第三槽13的高度比第二槽12的高度低，是為了便于第二槽中噴淋的水流入第三槽再次利用。

所述第二槽12頂部周邊設置有噴淋管2，噴淋管2上設置有10-20個噴淋孔，是為了便于對晶圓進行噴淋沖洗，所述第二槽12底部靠近第三槽13一側開有出水口5，是為了使第二槽12的水順利流入第三槽13。

本實用新型專利需要設計三階溢流沖洗槽，第三槽13位置比第一槽11和第二槽12低，第二槽12的底部增設小型的抽水泵3，并在槽頂周邊增加設噴淋管2和噴淋孔，第一槽11為正常的溢流槽，對晶圓進行溢流沖洗。

水從第一槽11的進水口流入，當硅片在酸液中出料時，首先放在第三槽13進行降溫預洗，去掉晶圓上95%以上的酸液，當沖洗沖洗掉晶圓的大部分酸液后，將晶圓轉移到第二槽12，開啟噴淋裝置，抽水泵3將第一槽11中的水抽取并從噴淋管2的噴淋孔中噴出，對晶圓表面的酸和顆粒做進一步噴淋清洗，噴洗用水從出水口5流入第三槽13再利用，再轉移到第一槽11做最后一步溢流清洗，最后取出烘干。

以上顯示和描述了本實用新型的基本原理、主要特征和本實用新型的優點。本實用新型不受上述實施例的限制，上述實施例和說明書中描述的只是說明本實用新型的原理，在不脫離本實用新型精神和范圍的前提下本實用新型還會有各種變化和改進，這些變化和改進都落入要求保護的本實用新型的范圍內。本實用新型要求保護范圍由所附的權利要求書及其等同物界定。