[實(shí)用新型]芯片器件、電路板及數(shù)字貨幣挖礦機(jī)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201821292845.2
• 申請(qǐng)日: 2018-08-10
• 公開（公告）號(hào): CN208538831U
• 公開（公告）日: 2019-02-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 盧戰(zhàn)勇;吳敬杰;張楠賡
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京嘉楠捷思信息技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/367
• 分類號(hào): H01L23/367
• 代理公司: 北京市中倫律師事務(wù)所 11410
• 代理人: 楊黎峰;鐘錦舜

本公開提出了一種芯片器件，包括：至少一個(gè)芯片，所述芯片包括晶粒，所述晶粒的背部是裸露的；形成并覆蓋在所述晶粒的裸露背部上的金屬介質(zhì)層；以及覆蓋在所述金屬介質(zhì)層上的散熱層，其中，所述散熱層延伸超出所述裸露背部的邊緣。通過以上結(jié)構(gòu)，改善了該芯片器件的散熱效率。另外還公開了一種包括該芯片器件的電路板及數(shù)字貨幣挖礦機(jī)。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及芯片散熱技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及芯片器件、包括該芯片器件的電路板及數(shù)字貨幣挖礦機(jī)，其中該芯片器件帶有高效散熱結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)

隨著芯片技術(shù)的不斷發(fā)展，芯片的運(yùn)行速度越來越快，處理能力越來越強(qiáng)，同時(shí)芯片在運(yùn)行時(shí)產(chǎn)生的熱量通常也會(huì)越多，這就需要采用更加高效的散熱結(jié)構(gòu)對(duì)芯片進(jìn)行散熱，避免芯片在運(yùn)行時(shí)溫度過高而導(dǎo)致芯片運(yùn)行速度下降甚至芯片損壞。

在現(xiàn)有技術(shù)中，例如在中國專利申請(qǐng)公開CN107507813A中公開了一種散熱片及安裝了這種散熱片的芯片，其中散熱片包括底片和與底片連接的多個(gè)豎片，散熱片的底片與芯片貼合，用于對(duì)芯片進(jìn)行散熱。但是，該散熱片的底片僅部分與芯片貼合，因此導(dǎo)致散熱片與芯片的接觸面積小，使得從芯片到散熱片的熱傳遞效率不高，從而散熱片對(duì)芯片的散熱效果并不理想。

實(shí)用新型內(nèi)容

鑒于上述問題，提出了一種克服上述問題或者至少部分地解決上述問題的芯片器件、電路板及數(shù)字貨幣挖礦機(jī)，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的芯片散熱不夠高效的缺陷。

依據(jù)本實(shí)用新型的第一方面，提供了一種芯片器件，包括：

至少一個(gè)芯片，所述芯片包括晶粒，所述晶粒的背部是裸露的；

形成并覆蓋在所述晶粒的裸露背部上的金屬介質(zhì)層；以及

覆蓋在所述金屬介質(zhì)層上的散熱層；其中，所述散熱層延伸超出所述裸露背部的邊緣。

上述晶粒的背部是指當(dāng)芯片安裝在電路板上時(shí)，晶粒的、背向電路板的那一表面，即，與晶粒的面向電路板的表面相對(duì)的表面。背部裸露的晶粒的封裝形式可以為ExposedDie形式，但是又不限于該封裝形式，例如也可以是Bare Die、FCBGA(Flip Chip Ball GridArray，覆晶式球柵陣列封裝結(jié)構(gòu))、FCCSP(Flip Chip Chip Scale Package，倒裝芯片芯片級(jí)封裝)、WLCSP(Wafer Level Chip Scale Package，晶圓級(jí)芯片級(jí)封裝)、InFO(Integrated Fan-Out，集成扇出型晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu))/FOWLP(Fan Out Wafer LevelPackage，扇出型晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu))/FOPLP(Fan-Out Panel Level Package，扇出型面板級(jí)封裝結(jié)構(gòu))、LGA(Land Grid Array，柵格陣列封裝)等其它封裝形式，只要晶粒背部裸露未被封裝即可用于本實(shí)用新型的技術(shù)方案中，甚至晶粒的背面及四周均未封裝時(shí)亦可適用于本實(shí)用新型的技術(shù)方案，或者也可以是在對(duì)晶粒封裝之后再對(duì)該封裝進(jìn)行處理以使晶粒背部裸露出來，本實(shí)用新型不限于此。

優(yōu)選地，所述芯片器件還可以包括：設(shè)置在所述散熱層上的散熱片。

優(yōu)選地，在所述芯片器件中，金屬介質(zhì)層通過晶背金屬化過程(BackSideMetallization process)形成在晶粒的背部上。

優(yōu)選地，在所述芯片器件中，芯片還包括封裝所述晶粒的封裝部，封裝部暴露晶粒的背部，且散熱層覆蓋所述晶粒以及晶粒周圍的至少一部分封裝部。

優(yōu)選地，在所述芯片器件中，金屬介質(zhì)層形成為使得金屬介質(zhì)層的、面向散熱層的上表面與封裝部的、面向散熱層的上表面在同一平面中。

優(yōu)選地，在所述芯片器件中，金屬介質(zhì)層與晶粒直接接觸，并且與散熱層直接接觸。

優(yōu)選地，在所述芯片器件中，散熱層由金屬制成，并且通過焊接或通過熱界面材料粘接而設(shè)置在金屬介質(zhì)層上。