[實(shí)用新型]芯片器件、電路板及數(shù)字貨幣挖礦機(jī)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201821292845.2 | 申請(qǐng)日: | 2018-08-10 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN208538831U | 公開(kāi)(公告)日: | 2019-02-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 盧戰(zhàn)勇;吳敬杰;張楠賡 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 北京嘉楠捷思信息技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L23/367 | 分類號(hào): | H01L23/367 |
| 代理公司: | 北京市中倫律師事務(wù)所 11410 | 代理人: | 楊黎峰;鐘錦舜 |
| 地址: | 100094 北京市海淀*** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 芯片器件 晶粒 電路板 金屬介質(zhì)層 裸露 數(shù)字貨幣 散熱層 礦機(jī) 芯片 散熱效率 覆蓋 延伸 | ||
1.一種芯片器件,包括:
至少一個(gè)芯片,所述芯片包括晶粒,所述晶粒的背部是裸露的;
形成并覆蓋在所述晶粒的裸露背部上的金屬介質(zhì)層;以及
覆蓋在所述金屬介質(zhì)層上的散熱層;
其中,所述散熱層延伸超出所述裸露背部的邊緣。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片器件,還包括:設(shè)置在所述散熱層上的散熱片。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片器件,其中所述金屬介質(zhì)層通過(guò)晶背金屬化過(guò)程形成在所述晶粒的背部上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片器件,所述芯片還包括封裝所述晶粒的封裝部,所述封裝部暴露所述晶粒的背部,且所述散熱層覆蓋所述晶粒以及所述晶粒周圍的至少一部分所述封裝部。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的芯片器件,其中所述金屬介質(zhì)層形成為使得所述金屬介質(zhì)層的、面向所述散熱層的上表面與所述封裝部的、面向所述散熱層的上表面在同一平面中。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的芯片器件,其中所述金屬介質(zhì)層與所述晶粒直接接觸,并且與所述散熱層直接接觸。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的芯片器件,其中所述散熱層由金屬制成,并且通過(guò)焊接或通過(guò)熱界面材料粘接而設(shè)置在所述金屬介質(zhì)層上。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的芯片器件,其中所述散熱片通過(guò)熱界面材料或焊接而貼合在所述散熱層上。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的芯片器件,其中所述熱界面材料為金屬熱界面材料或非金屬熱界面材料。
10.根據(jù)權(quán)利要求2所述的芯片器件,其中所述散熱片與所述散熱層是由相同材料一體形成的。
11.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的芯片器件,其中所述金屬介質(zhì)層為鈦層或鈦合金層。
12.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的芯片器件,其中所述散熱層為銅層,厚度在0.3mm至1.0mm的范圍內(nèi)。
13.根據(jù)權(quán)利要求4至5中任一項(xiàng)所述的芯片器件,其中所述散熱層覆蓋全部所述封裝部。
14.一種電路板,其特征在于,包括:
PCB板;以及
根據(jù)權(quán)利要求1至13中任一項(xiàng)所述的芯片器件,其固定在所述PCB板上。
15.一種數(shù)字貨幣挖礦機(jī),包括運(yùn)算板,所述運(yùn)算板包括根據(jù)權(quán)利要求1-13中任一項(xiàng)所述的芯片器件。
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