[實用新型]具有焊錫互連的金屬柱濾波器芯片封裝結(jié)構(gòu)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201821290533.8
• 申請日: 2018-08-10
• 公開（公告）號: CN208655620U
• 公開（公告）日: 2019-03-26
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 付偉
• 申請（專利權(quán)）人: 付偉
• 主分類號: H01L23/49
• 分類號: H01L23/49;H01L23/31
• 代理公司: 蘇州威世朋知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 32235
• 代理人: 沈曉敏

1.一種具有焊錫互連的金屬柱濾波器芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

封裝基板，具有對設(shè)置的基板上表面及基板下表面，所述基板下表面的一側(cè)具有若干外部引腳；

濾波器芯片，具有相對設(shè)置的芯片上表面及芯片下表面，所述芯片下表面與所述基板上表面面對面設(shè)置，所述芯片下表面具有若干電極；

若干互連結(jié)構(gòu)，用于導(dǎo)通若干電極及若干外部引腳；

圍堰；

其中，所述封裝基板具有供若干互連結(jié)構(gòu)通過的若干通孔，所述圍堰包括位于若干通孔內(nèi)側(cè)的第一圍堰及位于若干通孔外側(cè)的第二圍堰，所述第一圍堰與所述芯片下表面及所述基板上表面配合而圍設(shè)形成空腔，所述互連結(jié)構(gòu)包括金屬柱結(jié)構(gòu)、焊錫及電鍍層結(jié)構(gòu)，所述金屬柱結(jié)構(gòu)導(dǎo)通所述電極，所述電鍍層結(jié)構(gòu)導(dǎo)通所述外部引腳，所述焊錫用于導(dǎo)通所述金屬柱結(jié)構(gòu)及所述電鍍層結(jié)構(gòu)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述金屬柱結(jié)構(gòu)包括金屬柱及導(dǎo)通所述金屬柱及所述電極的UBM層，所述電鍍層結(jié)構(gòu)包括覆蓋于所述通孔內(nèi)壁并延伸至所述基板上表面、所述基板下表面的電鍍種子層及位于所述電鍍種子層外且與所述電鍍種子層相互匹配的電鍍層，所述焊錫包覆所述金屬柱并延伸至所述通孔而導(dǎo)通所述通孔內(nèi)壁的所述電鍍層。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述電鍍層結(jié)構(gòu)延伸至所述基板上表面的寬度小于所述電鍍層結(jié)構(gòu)延伸至所述基板下表面的寬度。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述電鍍層結(jié)構(gòu)的上表面與所述電極的下表面之間具有重疊區(qū)域且具有縫隙。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述焊錫連接所述電極的下表面且同時包覆所述UBM層及所述金屬柱。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述電鍍層結(jié)構(gòu)及所述焊錫靠近所述空腔的一側(cè)連接所述第一圍堰，所述電鍍層結(jié)構(gòu)及所述焊錫遠離所述空腔的一側(cè)連接所述第二圍堰。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一圍堰與所述電鍍層結(jié)構(gòu)部分重疊，且所述第二圍堰與所述電鍍層結(jié)構(gòu)部分重疊。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，若干通孔圍設(shè)形成的內(nèi)輪廓連接所述第一圍堰，若干通孔圍設(shè)形成的外輪廓連接所述第二圍堰，所述第一圍堰與所述第二圍堰相互連通。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二圍堰朝遠離所述第一圍堰的方向延伸直至所述第二圍堰的外側(cè)緣與所述封裝基板的外側(cè)緣齊平。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述封裝結(jié)構(gòu)還包括位于所述封裝基板遠離所述基板下表面的一側(cè)的塑封層，所述塑封層同時包覆所述第二圍堰暴露在外的上表面區(qū)域及所述濾波器芯片，且所述封裝結(jié)構(gòu)還包括設(shè)置于所述基板下表面且暴露出所述外部引腳的防焊層。