[實用新型]一種半導體器件

有效

• 申請號: 201821288481.0
• 申請日: 2018-08-10
• 公開（公告）號: CN208478320U
• 公開（公告）日: 2019-02-05
• 發明（設計）人: 江偉;史波;敖利波;梁賽嫦
• 申請（專利權）人: 珠海格力電器股份有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/495;H01L21/56
• 代理公司: 天津三元專利商標代理有限責任公司 12203
• 代理人: 錢凱

本實用新型公開了一種半導體器件，包括芯片、引線框架和封裝體，引線框架包括芯片座和引腳，還包括導流引線，導流引線分別與芯片和引腳連接、且導流引線中段向芯片外凸出，封裝體注塑成型包覆于芯片、引線框架外且引腳部分伸出封裝體，該封裝體上設置有澆注口，澆注口設置于靠近導流引線的一側。本實用新型將封裝體澆注口設置在靠近導流引線的一側，使得封裝體注塑時能夠順著導流引線的方向流動，有效消除了導流引線下方的氣孔及熔接線；將導流引線的中段向芯片外凸出，使導流引線與芯片、導流引線與引線框架之間的間隙擴大，方便封裝體順利填充進去；有效防止芯片脫層、封裝體膠體開裂、水汽入侵、離子污染等問題，提高了半導體器件的使用壽命。

技術領域

本實用新型屬于電子器件技術領域，具體涉及一種半導體器件。

背景技術

半導體器件通常要經過芯片制造與芯片封裝兩部分加工過程，因此，芯片自身的特性以及封裝技術的優劣都直接決定了半導體器件產品最終的性能。半導體器件封裝是將流片完成后的裸芯片進行機械保護、電性保護、內部電路引出等工作，其主要工藝流程大致可以分為芯片焊接、導線焊接、環氧樹脂注塑、切腳成型、產品測試。伴隨著芯片加工技術集成度與精細度的不斷提升，芯片自身的性能已經有了較大進步，但是封裝技術卻仍然存在很多問題，如在環氧樹脂注塑流程中，由于發射極焊接的鋁線較粗，鋁線下方容易產生氣孔和熔接線，該注塑缺陷導致半導體器件在冷熱工況下出現可靠性失效，如芯片脫層、環氧樹脂膠體開裂、水汽入侵、離子污染芯片等問題，導致芯片損壞，無法正常工作。

中國專利號為CN103824834B的發明專利公開了一種具有改進型封裝結構的半導體器件及其制造方法，所述半導體器件包括半導體芯片、引線框架和封裝樹脂。半導體芯片位于引線框架的載片基島區，所述引線框架包括引腳區，其中第二引腳區上端連有第二鍵合區。半導體芯片與第二鍵合區之間通過金屬引線電學相連。所述第二鍵合區相對于現有技術面積更大，從而確保低芯片在封裝時，受金屬引線限制的最大熔斷電流可以有效提升，器件的導通電阻下降，從而最大限度的發揮芯片實際電流能力。但是該發明的發射極鋁絲弧線高度低，封裝時，樹脂較難進入鋁絲下方的狹窄區域，容易導致出現氣孔，繼而導致器件開裂、脫層、水汽入侵、離子污染芯片等問題。

實用新型內容

本實用新型的目的在于克服現有技術中半導體器件在冷熱工況下容易出現可靠性失效，如芯片脫層、環氧樹脂膠體開裂、水汽入侵、離子污染芯片等問題，提供一種半導體器件。

為實現上述目的，本實用新型采用的技術方案如下：一種半導體器件，包括芯片、引線框架和封裝體，所述引線框架包括芯片座和引腳，該芯片座用于承載固定芯片，該引腳使芯片與外部實現電性連接，還包括導流引線，所述導流引線兩端分別與芯片和引腳連接、且導流引線中段向芯片外凸出，所述封裝體通過注塑成型包覆于芯片、引線框架外且引腳部分伸出封裝體，該封裝體上設置有澆注口，且澆注口設置于靠近導流引線的一側。

進一步的，所述的芯片包括三個電極，分別為柵極、集電極和發射極，所述引腳包括與芯片電極對應連接的柵極引腳、集電極引腳和發射極引腳。

進一步的，所述發射極引腳與發射極連接的引線為發射極引線，該發射極引線為導流引線。

進一步的，所述導流引線自一端向另一端向上彎曲形成彎曲線弧結構，彎曲線弧高度為750～1000um。

進一步的，所述的導流引線為金屬引線。

進一步的，所述的芯片通過結合件固定在芯片座上。

進一步的，所述的結合件為錫膏、錫線、納米銀的任意一種。

進一步的，所述的封裝體的材料為環氧樹脂。