[實用新型]一種半導體器件有效
| 申請號: | 201821288481.0 | 申請日: | 2018-08-10 |
| 公開(公告)號: | CN208478320U | 公開(公告)日: | 2019-02-05 |
| 發明(設計)人: | 江偉;史波;敖利波;梁賽嫦 | 申請(專利權)人: | 珠海格力電器股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/31 | 分類號: | H01L23/31;H01L23/495;H01L21/56 |
| 代理公司: | 天津三元專利商標代理有限責任公司 12203 | 代理人: | 錢凱 |
| 地址: | 519070*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 導流 封裝體 芯片 引線框架 半導體器件 澆注口 引腳 本實用新型 凸出 中段 注塑 方向流動 間隙擴大 離子污染 使用壽命 注塑成型 水汽 熔接線 芯片座 包覆 填充 脫層 入侵 伸出 | ||
1.一種半導體器件,包括芯片、引線框架和封裝體,所述引線框架包括芯片座和引腳,該芯片座用于承載固定芯片,該引腳使芯片與外部實現電性連接,其特征在于:還包括導流引線,所述導流引線兩端分別與芯片和引腳連接、且導流引線中段向芯片外凸出,所述封裝體通過注塑成型包覆于芯片、引線框架外且引腳部分伸出封裝體,該封裝體上設置有澆注口,且澆注口設置于靠近導流引線的一側。
2.根據權利要求1所述的半導體器件,其特征在于:所述的芯片包括三個電極,分別為柵極、集電極和發射極,所述引腳包括與芯片電極對應連接的柵極引腳、集電極引腳和發射極引腳。
3.根據權利要求2所述的半導體器件,其特征在于:所述發射極引腳與發射極連接的引線為發射極引線,該發射極引線為導流引線。
4.根據權利要求1所述的半導體器件,其特征在于:所述導流引線自一端向另一端向上彎曲形成彎曲線弧結構,彎曲線弧高度為750~1000um。
5.根據權利要求1所述的半導體器件,其特征在于:所述的導流引線為金屬引線。
6.根據權利要求1所述的半導體器件,其特征在于:所述的芯片通過結合件固定在芯片座上。
7.根據權利要求6所述的半導體器件,其特征在于:所述的結合件為錫膏、錫線、納米銀的任意一種。
8.根據權利要求1所述的半導體器件,其特征在于:所述封裝體的材料為環氧樹脂。
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