[實用新型]晶圓電鍍工藝腔有效
| 申請號: | 201821286929.5 | 申請日: | 2018-08-09 |
| 公開(公告)號: | CN208586366U | 公開(公告)日: | 2019-03-08 |
| 發明(設計)人: | 秦杰;吳孝哲;林宗賢;吳龍江;薛超 | 申請(專利權)人: | 德淮半導體有限公司 |
| 主分類號: | C25D7/12 | 分類號: | C25D7/12;C25D17/00;C25D21/10 |
| 代理公司: | 上海立群專利代理事務所(普通合伙) 31291 | 代理人: | 楊楷;毛立群 |
| 地址: | 223300 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 陽極電極 晶圓 旋轉機構 電解液 體內 本實用新型 電鍍工藝 電鍍 腔體 純凈度 半導體設備制造 陽極電極表面 平面平行 相對設置 虛擬陽極 周向設置 高電阻 內側壁 暗流 承托 磷膜 種晶 阻抗 過量 容納 保證 | ||
本實用新型涉及半導體設備制造領域,公開了一種晶圓電鍍工藝腔,用于對晶圓進行電鍍,包括:腔體,用于容納電解液;支座,支座沿著腔體的內側壁的周向設置,用于承托晶圓;陽極電極,陽極電極位于腔體內且與支座所處的平面平行地設置,從而與晶圓相對設置;高電阻虛擬陽極,設置于腔體內,位于陽極電極與支座之間;以及旋轉機構,設置陽極電極下方,用于帶動陽極電極旋轉。本實用新型通過在腔體內設置旋轉機構,并將陽極電極安裝在旋轉機構上,使腔體內的電解液產生暗流,從而將過量的磷沉淀物帶走,控制陽極電極表面的磷膜的厚度在合理范圍內波動,保證電解液的純凈度并且減少阻抗的變化,從而確保電鍍的效率和質量。
技術領域
本實用新型涉及半導體設備制造領域,特別涉及一種晶圓電鍍工藝腔。
背景技術
在半導體制造工藝中,可以通過導電引線電連接至晶圓,采用電鍍工藝沉積金屬至晶圓上圖案化的溝槽內而形成金屬層(又稱為金屬薄膜)中的金屬線,例如形成銅金屬線(又稱為銅金屬導線),或者銀金屬線(又稱為銀金屬導線)。
在現有技術中,為了在晶圓表面形成銅金屬線,參見圖1所示,通常在電鍍液為硫酸銅的環境下進行,外接電源的正極為陽極,放置用于電鍍的銅塊,電源的負極為陰極,并放置晶圓。為了避免在電鍍過程中陽極的銅塊消耗過快,并對電鍍的速度進行控制,通常會在銅塊中摻雜磷,其中磷的含量占銅塊的0.01%。添加磷后,在電鍍過程中,由于陽極的銅塊表面包覆有一層磷膜,因此使得銅塊氧化消耗的速度減緩,從而確保了在晶圓上形成的銅金屬線的質量。
然而在銅塊中添加磷也帶來了一系列的問題,例如,在硫酸銅溶液和銅塊的長期電鍍離化的過程中,在腔室的底部和銅塊的表面會形成過多的磷沉淀物,影響陽極的銅塊發生氧化反應,從而導致硫酸銅溶液的純凈度下降并改變硫酸銅溶液的阻抗,進而影響在晶圓表面形成的銅金屬線的質量,降低電鍍的良品率。
實用新型內容
本實用新型是鑒于上述問題而提出的,其目的在于提供一種晶圓電鍍工藝腔,能夠去除過多的磷沉淀物。
根據本實用新型,通過設置旋轉機構并將陽極電極(銅塊)安裝在旋轉機構上,在電解液內產生暗流,減少陽極電極上的磷沉淀物,從而確保電鍍的效率和質量。
具體地,本實用新型提供的一種晶圓電鍍工藝腔,用于對晶圓進行電鍍,包括:腔體,用于容納電解液;支座,支座沿著腔體的內側壁的周向設置,用于承托晶圓;陽極電極,陽極電極位于腔體內且與支座所處的平面平行地設置,從而與晶圓相對設置;高電阻虛擬陽極,設置于腔體內,位于陽極電極與支座之間;以及旋轉機構,設置陽極電極下方,用于帶動陽極電極旋轉。
相較于現有技術而言,本實用新型通過在腔體內設置旋轉機構,并將陽極電極安裝在旋轉機構上,使腔體內的電解液產生暗流,從而將過量的磷沉淀物帶走,控制陽極電極表面的磷膜的厚度在合理范圍內波動,保證電解液的純凈度并且減少阻抗的變化,從而確保電鍍的效率和質量。
作為優選,旋轉機構包括底盤、轉軸以及驅動裝置,轉軸一端固定連接于底盤,另一端與驅動裝置連接。
底盤通常采用可以導電的材料,用于安裝并固定陽極電極,并帶動陽極電極旋轉產生暗流。驅動裝置通過轉軸驅動底盤轉動,并控制底盤的轉速,從而對形成的暗流進行控制,進而將提高電鍍形成的金屬導線的品質。
進一步地,作為優選,旋轉機構還包括密封組件,密封組件安裝在轉軸上,能夠對轉軸和腔體連接處進行密封。
腔體內盛放有電解液,而安裝旋轉機構時,為了安裝轉軸,會在腔體上開孔,導致腔體的密封性下降。設置密封組件能夠對轉軸和開孔的連接處進行密封,降低電解液從腔體內泄漏的概率,從而提供良好的電鍍條件。
進一步地,作為優選,密封組件為安裝在腔體上的磁流體組件,磁流體組件同軸套設在轉軸上。
磁流體組件既能夠起到良好密封的效果,同時又能夠使轉軸將運動傳遞至底盤,從而在電解液內產生暗流。
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