[實(shí)用新型]晶圓電鍍工藝腔有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201821286929.5 | 申請日: | 2018-08-09 |
| 公開(公告)號: | CN208586366U | 公開(公告)日: | 2019-03-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 秦杰;吳孝哲;林宗賢;吳龍江;薛超 | 申請(專利權(quán))人: | 德淮半導(dǎo)體有限公司 |
| 主分類號: | C25D7/12 | 分類號: | C25D7/12;C25D17/00;C25D21/10 |
| 代理公司: | 上海立群專利代理事務(wù)所(普通合伙) 31291 | 代理人: | 楊楷;毛立群 |
| 地址: | 223300 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 陽極電極 晶圓 旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu) 電解液 體內(nèi) 本實(shí)用新型 電鍍工藝 電鍍 腔體 純凈度 半導(dǎo)體設(shè)備制造 陽極電極表面 平面平行 相對設(shè)置 虛擬陽極 周向設(shè)置 高電阻 內(nèi)側(cè)壁 暗流 承托 磷膜 種晶 阻抗 過量 容納 保證 | ||
1.一種晶圓電鍍工藝腔,用于對晶圓進(jìn)行電鍍,其特征在于,包括:
腔體,用于容納電解液;
支座,所述支座沿著所述腔體的內(nèi)側(cè)壁的周向設(shè)置,用于承托晶圓;
陽極電極,所述陽極電極位于所述腔體內(nèi)且與所述支座所處的平面平行地設(shè)置,從而與所述晶圓相對設(shè)置;
高電阻虛擬陽極,設(shè)置于所述腔體內(nèi),位于所述陽極電極與所述支座之間;
以及旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu),設(shè)置所述陽極電極下方,用于帶動所述陽極電極旋轉(zhuǎn)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓電鍍工藝腔,其特征在于,所述旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)包括底盤、轉(zhuǎn)軸以及驅(qū)動裝置,所述轉(zhuǎn)軸一端固定連接于所述底盤,另一端與所述驅(qū)動裝置連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶圓電鍍工藝腔,其特征在于,所述旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)還包括密封組件,所述密封組件安裝在所述轉(zhuǎn)軸上,能夠?qū)λ鲛D(zhuǎn)軸和所述腔體連接處進(jìn)行密封。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶圓電鍍工藝腔,其特征在于,所述密封組件為安裝在所述腔體上的磁流體組件,所述磁流體組件同軸套設(shè)在所述轉(zhuǎn)軸上。
5.根據(jù)權(quán)利要求2-4中的任一項(xiàng)所述的晶圓電鍍工藝腔,其特征在于,還包括與所述驅(qū)動裝置通信連接的控制器,能夠?qū)λ龅妆P的轉(zhuǎn)速進(jìn)行控制。
6.根據(jù)權(quán)利要求2-4中的任一項(xiàng)所述的晶圓電鍍工藝腔,其特征在于,還包括與所述陽極電極連接的冷卻器,能夠?qū)λ鲫枠O電極的溫度進(jìn)行調(diào)節(jié)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的晶圓電鍍工藝腔,其特征在于,在所述底盤上還設(shè)置有固定件,能夠?qū)λ鲫枠O電極進(jìn)行固定。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓電鍍工藝腔,其特征在于,還包括設(shè)置在所述高電阻虛擬陽極和所述陽極電極之間的陽離子交換膜和噴嘴,所述陽離子交換膜用于對所述電解液內(nèi)的離子進(jìn)行過濾,所述噴嘴設(shè)置在所述陽離子交換膜和所述陽極電極之間,用于向所述腔體內(nèi)注入電鍍液。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓電鍍工藝腔,其特征在于,在所述腔體上還設(shè)置有腔體調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu),對所述腔體的傾斜度進(jìn)行調(diào)節(jié)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的晶圓電鍍工藝腔,其特征在于,所述腔體調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)包括安裝在所述腔體上的機(jī)械臂以及與所述機(jī)械臂連接的氣缸,所述氣缸驅(qū)動所述機(jī)械臂以使所述腔體傾斜。
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