[實(shí)用新型]一種用于化學(xué)氣相沉積金剛石膜的諧振腔有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201821286148.6 | 申請(qǐng)日: | 2018-08-09 |
| 公開(公告)號(hào): | CN208545490U | 公開(公告)日: | 2019-02-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 黃飛 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 四川納涂科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | C23C16/27 | 分類號(hào): | C23C16/27;C23C16/511 |
| 代理公司: | 成都眾恒智合專利代理事務(wù)所(普通合伙) 51239 | 代理人: | 王育信 |
| 地址: | 618500 四川*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 諧振腔 沉積臺(tái) 化學(xué)氣相沉積 本實(shí)用新型 電動(dòng)定位 金剛石膜 圓形開口 圓柱體形 螺線圈 石英窗 倒角 滑臺(tái) 同軸 等離子體損失 微波輸入功率 模式轉(zhuǎn)換器 底面密封 上部側(cè)面 豎直固定 微波輸入 夾角為 同心的 圓環(huán)形 底面 滑塊 | ||
本實(shí)用新型公開了一種用于化學(xué)氣相沉積金剛石膜的諧振腔,包括諧振腔本體、石英窗、沉積臺(tái)、模式轉(zhuǎn)換器,所述諧振腔本體上部為圓柱體形,下部為倒角圓柱體形,所述倒角圓柱體相鄰面的夾角為135°,所述諧振腔本體上部側(cè)面豎直固定有電動(dòng)定位滑臺(tái),電動(dòng)定位滑臺(tái)的滑塊上固定有環(huán)形螺線圈,所述環(huán)形螺線圈與諧振腔本體同軸,所述沉積臺(tái)位于諧振腔本體內(nèi)部且與其同軸,所述諧振腔本體底部設(shè)有與其同心的圓形開口,所述圓形開口固定連接有微波輸入結(jié)構(gòu),所述石英窗為圓環(huán)形,位于沉積臺(tái)與諧振腔本體底面之間,且與沉積臺(tái)及諧振腔本體底面密封連接。本實(shí)用新型通過對(duì)諧振腔的巧妙設(shè)計(jì),使其能夠降低等離子體損失并具有較高的微波輸入功率。
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及一種微波諧振腔,具體地說,是涉及一種用于化學(xué)氣相沉積金剛石膜的諧振腔。
背景技術(shù)
化學(xué)氣相沉積法即通過反應(yīng)氣體的化學(xué)反應(yīng),在基體表面沉積固態(tài)材料,是一種制備均勻薄膜材料的好方法,其中熱絲法、直流電弧噴射法、微波等離子體法已經(jīng)成功應(yīng)用于金剛石膜的制備。
在多種金剛石膜的制備方法中,微波等離子體化學(xué)氣相沉積(MPCVD)方法是制備高品質(zhì)金剛石膜的首選方法,擁有著其它制備方法無法比擬的可控性和潔凈性。它的鍍膜過程是依靠微波能量激發(fā)反應(yīng)氣體形成等離子體來完成的,既沒有電極放電造成的污染,也沒有金屬絲蒸發(fā)造成的污染,適合于高品質(zhì)金剛石膜的制備。
在過去幾十年間,微波等離子體化學(xué)氣相沉積法制備高品質(zhì)金剛石膜技術(shù)取得了很大發(fā)展,很大程度上得益于微波等離子體化學(xué)氣相沉積法金剛石膜沉積裝置的發(fā)展。在微波等離子體化學(xué)氣相沉積法金剛石膜沉積裝置中,石英微波窗口既起到傳輸微波進(jìn)入諧振腔室的作用,又起著諧振腔真空密封的作用。然而,如果石英微波窗口距離等離子體太近,高功率下會(huì)很容易受到等離子體的刻蝕,限制了微波等離子體化學(xué)氣相沉積法金剛石膜沉積裝置微波輸入功率的水平。此外,現(xiàn)有技術(shù)中控制等離子體形態(tài)的方法為升降沉積臺(tái),但可升降沉積臺(tái)不利于諧振腔氣密性的實(shí)現(xiàn),而且還會(huì)造成等離子體損失。
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的在于提供一種用于化學(xué)氣相沉積金剛石膜的諧振腔,通過對(duì)其結(jié)構(gòu)的巧妙設(shè)計(jì),使其能夠降低等離子體損失并具有較高的微波輸入功率。
為實(shí)現(xiàn)上述目的,本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案如下:
一種用于化學(xué)氣相沉積金剛石膜的諧振腔,包括諧振腔本體、石英窗、沉積臺(tái)、模式轉(zhuǎn)換器,所述諧振腔本體上部為圓柱體形,下部為倒角圓柱體形,所述倒角圓柱體相鄰面的夾角為135°,所述諧振腔本體上部側(cè)面豎直固定有電動(dòng)定位滑臺(tái),電動(dòng)定位滑臺(tái)的滑塊上固定有環(huán)形螺線圈,所述環(huán)形螺線圈與諧振腔本體同軸,所述沉積臺(tái)位于諧振腔本體內(nèi)部且與其同軸,所述諧振腔本體底部設(shè)有與其同心的圓形開口,所述圓形開口固定連接有微波輸入結(jié)構(gòu),所述石英窗為圓環(huán)形,位于沉積臺(tái)與諧振腔本體底面之間,且與沉積臺(tái)及諧振腔本體底面密封連接。
進(jìn)一步,所述諧振腔本體由雙層不銹鋼制成,其內(nèi)部空間形成水冷通道。
進(jìn)一步,所述諧振腔本體頂部設(shè)有進(jìn)氣口,底部設(shè)有抽氣口,所述進(jìn)氣口及抽氣口與諧振腔本體內(nèi)部的空腔連通。
進(jìn)一步,所述諧振腔本體頂部設(shè)有出水口,底部設(shè)有注水口,所述注水口及出水口與所述水冷通道連通。
進(jìn)一步,所述微波輸入結(jié)構(gòu)包括波導(dǎo)管及模式轉(zhuǎn)換器,所述模式轉(zhuǎn)換器與諧振腔本體同軸。
進(jìn)一步,所述沉積臺(tái)(3)為中空結(jié)構(gòu),其下部密封連接有導(dǎo)管,導(dǎo)管下端與諧振腔本體底部密封連接,所述導(dǎo)管與沉積臺(tái)內(nèi)部的空腔以及諧振腔本體的水冷通道連通。
所述電動(dòng)定位滑臺(tái)為現(xiàn)有技術(shù),在此不做贅述。
與現(xiàn)有技術(shù)相比,本實(shí)用新型具有以下有益效果:
(1)本實(shí)用新型的環(huán)形螺線圈可以上下移動(dòng),以此通過磁場(chǎng)來控制等離子體的形態(tài),增大了沉積面積,使系統(tǒng)能夠產(chǎn)生更大面積的金剛石膜。
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C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆,例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時(shí)基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機(jī)材料為特征的





