[實用新型]一種晶圓對晶圓的半導體激光器芯片老化測試裝置

有效

• 申請號: 201821284229.2
• 申請日: 2018-08-10
• 公開（公告）號: CN208580182U
• 公開（公告）日: 2019-03-05
• 發明（設計）人: 邱德明;張振峰;楊國良
• 申請（專利權）人: 武漢盛為芯科技有限公司
• 主分類號: G01R31/28
• 分類號: G01R31/28
• 代理公司: 武漢維創品智專利代理事務所(特殊普通合伙) 42239
• 代理人: 余麗霞

本實用新型公開了一種晶圓對晶圓的半導體激光器芯片老化測試裝置，包括測試機臺，所述測試機臺上設有載入待測晶圓的樣品臺，所述測試機臺上的檢測部件為測試晶圓，所述測試晶圓包括與待測晶圓輪廓相同的檢測塊，所述檢測塊表面均勻分布有與待測晶圓上若干個半導體激光器芯片一一對應的凸臺，每個所述凸臺與設置在檢測塊上的電路電連接；所述測試晶圓上還設有視覺識別的字符。本實用新型采用測試晶圓對待測晶圓測試的方式，實現了從采用探針單個測試的方式到采用測試晶圓批量測試的改進，提升老化測試效率，從而提高了生產效率。

技術領域

本實用新型涉及半導體激光器芯片測試技術領域，具體的說是涉及一種晶圓對晶圓的半導體激光器芯片老化測試裝置。

背景技術

半導體激光器芯片在生產制造過程中需要進行老化測試，該測試通常模擬芯片長時間運行下的工作狀態，從而能夠在制造工藝中，早識別和放棄有缺陷的芯片。國家老化標準中規定，老化測試的目的是驗證承受規定條件的器件在整個工作時間內的質量或可靠性。為了在短時間內或以較小的應力來獲得正確結果，以確保器件以后能用于高可靠場合，必須用加速試驗條件或足夠大的樣本來提供相應的失效概率。該試驗條件包括電輸入、負載和偏置以及相應的最高工作溫度或試驗溫度等。

一般對半導體激光器芯片的老化測試的傳統方法，主要采用探針等測試裝置逐一對半導體激光器芯片重要的參數進行老化測試，測試效率較低。如需測試大批量芯片，這種測試效率將嚴重影響后續工藝產品的實施。

芯片在老化后需要對其的重要參數進行老化測試，為了提升老化測試效率，本實用新型提出的晶圓(wafer)對晶圓(wafer)的半導體激光器芯片的老化測試裝置及方法，實現了對半導體激光器芯片的批量檢測，提高了老化測試效率，是半導體激光器芯片在老化工藝中的一個重要環節。

實用新型內容

為解決上述背景技術中提出的問題，本實用新型的目的在于提供一種晶圓對晶圓的老化測試裝置。

為實現上述目的，本實用新型采取的技術方案為：

本實用新型提供了一種晶圓對晶圓的半導體激光器芯片老化測試裝置，包括測試機臺，所述測試機臺上設有載入待測晶圓的樣品臺，所述測試機臺上的檢測部件為測試晶圓，所述測試晶圓包括與待測晶圓輪廓相同的檢測塊，所述檢測塊表面均勻分布有與待測晶圓上若干個半導體激光器芯片一一對應的凸臺，每個所述凸臺與設置在檢測塊上的印刷電路板電連接；所述測試晶圓上還設有視覺識別的字符。

上述技術方案中，所述測試晶圓采用半導體工藝，經過刻蝕以及nm級鍍膜工藝加工得到。

上述技術方案中，所述凸臺采用刻蝕及nm級鍍膜工藝制得。

上述技術方案中，所述檢測塊的材料為硅基，所述凸臺的材料為金。

上述技術方案中，每個所述凸臺的尺寸小于半導體激光器芯片中電極的尺寸。

上述技術方案中，每個所述凸臺的尺寸為20um×30um。

本實用新型中，所述測試晶圓為包括薄膜支撐框，所述薄膜支撐框上設有薄膜，所述薄膜上放置若干排列整齊的半導體激光芯片。

本實用新型中，所述測試機臺為市場上常用的半導體激光芯片測試用設備，所述測試晶圓為測試機臺的一個配件，替代測試機臺上常用的探針，用于對測試晶圓上的若干半導體激光芯片進行批量測試。所述測試晶圓的檢測塊為硅基，且檢測塊與待測晶圓輪廓相同，在所述硅基表面上通過刻蝕及nm鍍膜工藝設置電路和凸臺，每個凸臺均與電路連接。同時每個凸臺均采用金，且每個凸臺的位置與測試晶圓上半導體激光芯片一一對應。

與現有技術相比，本實用新型的有益效果是：

本實用新型采用測試晶圓對待測晶圓測試的方式，實現了從采用探針單個測試的方式到采用測試晶圓批量測試的改進，提升老化測試效率，從而提高了生產效率。