[實(shí)用新型]一種晶圓對(duì)晶圓的半導(dǎo)體激光器芯片老化測(cè)試裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201821284229.2
• 申請(qǐng)日: 2018-08-10
• 公開（公告）號(hào): CN208580182U
• 公開（公告）日: 2019-03-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 邱德明;張振峰;楊國(guó)良
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 武漢盛為芯科技有限公司
• 主分類號(hào): G01R31/28
• 分類號(hào): G01R31/28
• 代理公司: 武漢維創(chuàng)品智專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 42239
• 代理人: 余麗霞

1.一種晶圓對(duì)晶圓的半導(dǎo)體激光器芯片老化測(cè)試裝置，包括測(cè)試機(jī)臺(tái)(1)，所述測(cè)試機(jī)臺(tái)(1)上設(shè)有載入待測(cè)晶圓(3)的樣品臺(tái)(2)，其特征在于，所述測(cè)試機(jī)臺(tái)(1)上的檢測(cè)部件為測(cè)試晶圓(4)，所述測(cè)試晶圓(4)包括與待測(cè)晶圓(3)輪廓相同的檢測(cè)塊(41)，所述檢測(cè)塊(41)表面均勻分布有與待測(cè)晶圓(3)上若干個(gè)半導(dǎo)體激光器芯片(31)一一對(duì)應(yīng)的凸臺(tái)(42)，每個(gè)所述凸臺(tái)(42)與設(shè)置在檢測(cè)塊(41)上的電路電連接；所述測(cè)試晶圓(4)上還設(shè)有視覺(jué)識(shí)別的字符(43)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種晶圓對(duì)晶圓的半導(dǎo)體激光器芯片老化測(cè)試裝置，其特征在于，所述測(cè)試晶圓(4)采用半導(dǎo)體工藝，經(jīng)過(guò)刻蝕以及nm級(jí)鍍膜工藝加工得到。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種晶圓對(duì)晶圓的半導(dǎo)體激光器芯片老化測(cè)試裝置，其特征在于，所述凸臺(tái)(42)采用刻蝕及nm級(jí)鍍膜工藝制得。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種晶圓對(duì)晶圓的半導(dǎo)體激光器芯片老化測(cè)試裝置，其特征在于，所述檢測(cè)塊(41)的材料為硅基，所述凸臺(tái)(42)的材料為金。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種晶圓對(duì)晶圓的半導(dǎo)體激光器芯片老化測(cè)試裝置，其特征在于，每個(gè)所述凸臺(tái)(42)的尺寸小于半導(dǎo)體激光器芯片(31)中電極的尺寸。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種晶圓對(duì)晶圓的半導(dǎo)體激光器芯片老化測(cè)試裝置，其特征在于，每個(gè)所述凸臺(tái)(42)的尺寸為20um×30um。