[實用新型]半導體激光二極管芯片高速直調動態光譜測試裝置

有效

• 申請號: 201821284115.8
• 申請日: 2018-08-10
• 公開（公告）號: CN208580179U
• 公開（公告）日: 2019-03-05
• 發明（設計）人: 邱德明;張振峰;楊國良
• 申請（專利權）人: 武漢盛為芯科技有限公司
• 主分類號: G01R31/26
• 分類號: G01R31/26
• 代理公司: 武漢維創品智專利代理事務所(特殊普通合伙) 42239
• 代理人: 余麗霞

本實用新型公開了半導體激光二極管芯片高速直調動態光譜測試裝置，包括半導體激光二極管芯片、探針、測試臺、光纖、透鏡、光譜儀、電流源、偏置器和同軸電纜；半導體激光二極管芯片放于測試臺上，電流源中的直流源和調制驅動源采用偏置器切換接入同軸電纜，并通過探針及芯片背部電極給半導體激光二極管芯片提供直流電流或調制驅動電流，分別給半導體激光二極管芯片提供直流電流和脈沖調制電流，半導體激光二極管芯片發射光通過透鏡耦合到光纖進入光譜儀，光譜儀測試半導體激光二極管芯片的光譜特性。本實用新型在芯片直流測試的基礎上，增加動態調制測試，以篩除未加調制和調制下激射的光譜會發生變化的芯片，保證后續續封裝階段的器件的合格率。

技術領域

本實用新型涉及芯片測試領域，具體的說是涉及半導體激光二極管芯片高速直調動態光譜測試裝置。

背景技術

半導體激光二極管在長距離應用時，分布反饋半導體激光器(DFB-LD)，作為載波光源是高速長距離通信系統中必不可少的器件，而DFB-LD在未加調制和調制下激射的光譜會發生變化，這主要是由于芯片設計、解理一致性、鍍膜一致性、增益特點、高電流下的空間燒孔等引起的。這種變化會導致實際應用時的產品指標發生變化。由于裸芯片的尺寸較小，測試直流特性已經不易，在測試動態特性的方法和方案都較為困難。從生產角度講，如果在芯片生產階段不能完整的測試篩選出這類未加調制和調制下激射的光譜會發生變化的不良芯片會導致后續封裝階段的器件不良。

本實用新型著重從該角度出發，在芯片測試階段測試激光二極管的動態調制下的光譜特性，從而篩除此類不良產品。

實用新型內容

為解決上述背景技術中提出的問題，本實用新型的目的在于提供半導體激光二極管芯片高速直調動態光譜測試裝置。

為實現上述目的，本實用新型采取的技術方案為：

本實用新型提供了半導體激光二極管芯片高速直調動態光譜測試裝置，包括半導體激光二極管芯片、探針、測試臺、光纖、透鏡和光譜儀，其特征在于，還包括電流源、偏置器和同軸電纜；

所述半導體激光二極管芯片放于測試臺上，電流源通過探針及芯片背部電極給半導體激光二極管芯片供電，所述電流源包括直流源和調制驅動源，所述直流源和調制驅動源采用偏置器經過同軸電纜選擇接入供電電路中，分別給半導體激光二極管芯片提供直流電流和脈沖調制電流，半導體激光二極管芯片發射光通過透鏡耦合到光纖進入光譜儀，光譜儀測試半導體激光二極管芯片的光譜特性。

上述技術方案中，所述調制驅動源內部設有阻抗匹配電路。

上述技術方案中，所述阻抗匹配電路中設有匹配電阻，所述匹配電阻的電阻值為40～45Ω。

上述技術方案中，所述阻抗匹配電路中的驅動電流為0～150mA。

與現有技術相比，本實用新型的有益效果是：

在芯片直流測試的基礎上，增加了調制測試，測試半導體激光二極管芯片在動態調制下的光譜特性，從而篩除未加調制和調制下激射的光譜會發生變化的芯片，進而保證后續封裝階段的器件合格率。

附圖說明

圖1為現有技術中芯片直流測試的示意圖；

圖2為本實施例中芯片高速直調動態光譜測試的示意圖；

附圖標記說明：

11、芯片；12、探針；13、光纖；14、測試臺；15、透鏡；16、電流源；17、光譜儀；

21、芯片；22、探針；23、光纖；24、測試臺；25、透鏡；26、電流源；261、直流源；262、調制驅動源；27、光譜儀；28、偏置器；29、同軸電纜。

具體實施方式