[實用新型]共蒸發(fā)鍍膜設(shè)備有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201821275152.2 | 申請日： | 2018-08-08 |
| 公開（公告）號： | CN208803134U | 公開（公告）日： | 2019-04-30 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 徐培明 | 申請（專利權(quán)）人： | 北京鉑陽頂榮光伏科技有限公司 |
| 主分類號： | C23C14/24 | 分類號： | C23C14/24;C23C14/56 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 曾章沐 |
| 地址： | 100176 北京*** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 工藝處理 鍍膜設(shè)備 輸出單元 隔離門 共蒸發(fā) 過渡室 輸出 單元連接 輸入單元 太陽能薄膜電池 光電轉(zhuǎn)換效率 本實用新型 電池組件 流體連通 輸出腔室 真空系統(tǒng) 破真空 吞吐量 緩解 | ||
1.一種共蒸發(fā)鍍膜設(shè)備，其特征在于，包括輸入單元(1)、工藝處理單元(2)、輸出單元(3)和真空系統(tǒng)，所述輸入單元(1)和所述輸出單元(3)均與所述工藝處理單元(2)連接，且所述輸入單元(1)與所述工藝處理單元(2)之間設(shè)置有第一隔離門，所述輸出單元(3)與所述工藝處理單元(2)之間設(shè)置有第二隔離門；
所述輸出單元(3)包括至少兩個相互連接的輸出過渡室，相鄰的兩個所述輸出過渡室之間均設(shè)置有輸出過渡隔離門，位于兩端的所述輸出過渡室一個與所述工藝處理單元(2)連接，另一個遠(yuǎn)離所述工藝處理單元(2)，用于將鍍膜完成的工件輸出至外界環(huán)境中；
所述第二隔離門設(shè)置于所述工藝處理單元(2)和與所述工藝處理單元(2)連接的所述輸出過渡室之間，遠(yuǎn)離所述工藝處理單元(2)的所述輸出過渡室背離所述輸出過渡隔離門的一端設(shè)置有第三隔離門；
所述輸出單元(3)與所述真空系統(tǒng)流體連通。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的共蒸發(fā)鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述輸出單元(3)包括相互連接的第一輸出過渡室(31)和第二輸出過渡室(32)，所述第一輸出過渡室(31)與所述工藝處理單元(2)連接，所述第二輸出過渡室(32)用于將鍍膜完成的工件輸出至外界環(huán)境中。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的共蒸發(fā)鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述第一輸出過渡室(31)和所述第二輸出過渡室(32)之間連接有中間輸出過渡室。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的共蒸發(fā)鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述輸出單元(3)包括位于外界環(huán)境中的出料臺(33)，所述第三隔離門設(shè)置于所述第二輸出過渡室(32)與所述出料臺(33)之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的共蒸發(fā)鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述輸入單元(1)包括至少兩個相互連接的輸入過渡室，相鄰的兩個所述輸入過渡室之間均設(shè)置有輸入過渡隔離門；
位于兩端的所述輸入過渡室一個與所述工藝處理單元(2)連接，另一個遠(yuǎn)離所述工藝處理單元(2)，用于外界環(huán)境中待鍍膜工件的輸入；所述第一隔離門設(shè)置于所述工藝處理單元(2)和與所述工藝處理單元(2)連接的所述輸入過渡室之間，遠(yuǎn)離所述工藝處理單元(2)的所述輸入過渡室背離所述第一隔離門的一端設(shè)置有第四隔離門。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的共蒸發(fā)鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述輸入單元(1)包括相互連接的第一輸入過渡室(11)和第二輸入過渡室(12)，所述第一輸入過渡室(11)用于外界環(huán)境中待鍍膜工件的輸入，所述第二輸入過渡室(12)與所述工藝處理單元(2)連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的共蒸發(fā)鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述第一輸入過渡室(11)和所述第二輸入過渡室(12)之間連接有中間輸入過渡室。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的共蒸發(fā)鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述輸入單元(1)包括設(shè)置于外界環(huán)境中的上料臺(13)，所述第四隔離門設(shè)置于所述上料臺(13)與所述第一輸入過渡室(11)之間。
9.根據(jù)權(quán)利要求1－8任一項所述的共蒸發(fā)鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述工藝處理單元(2)包括第一工藝室(21)、第二工藝室(22)、第三工藝室(23)、冷卻室(24)、分別設(shè)置于所述輸入單元(1)與所述第一工藝室(21)之間以及相鄰的兩個工藝室之間的緩沖室(25)；所述冷卻室(24)與所述輸出單元(3)連接。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的共蒸發(fā)鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述冷卻室(24)包括相互連通的第一冷卻部(241)和第二冷卻部(242)，所述第一冷卻部(241)與所述第三工藝室(23)連通，所述第二冷卻部(242)與所述輸出單元(3)連接。
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C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴散法，化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理
