[實用新型]原子層沉積裝置有效
| 申請號: | 201821264170.0 | 申請日: | 2018-08-07 |
| 公開(公告)號: | CN208649461U | 公開(公告)日: | 2019-03-26 |
| 發明(設計)人: | 夏洋 | 申請(專利權)人: | 嘉興科民電子設備技術有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/455 | 分類號: | C23C16/455 |
| 代理公司: | 北京眾達德權知識產權代理有限公司 11570 | 代理人: | 劉杰 |
| 地址: | 314006 浙江省嘉興市南湖*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 真空泵 真空腔 原子層沉積裝置 反應氣體源 進氣口 本實用新型 惰性氣體源 管道連接 出氣口 樣品臺 反應前驅體 影響真空泵 抽氣效率 | ||
1.一種原子層沉積裝置,其特征在于,包括:真空腔(11)、樣品臺(12)、第一真空泵(13)、第二真空泵(14)、第一反應氣體源(15)、第二反應氣體源(16)以及惰性氣體源(17);其中,
所述樣品臺(12)設置在所述真空腔(11)中;
所述真空腔(11)包括進氣口和出氣口,所述真空腔(11)的進氣口通過管道連接所述第一反應氣體源(15)、所述第二反應氣體源(16)以及所述惰性氣體源(17),所述真空腔(11)的出氣口通過管道連接所述第一真空泵(13)和所述第二真空泵(14)。
2.根據權利要求1所述的原子層沉積裝置,其特征在于,所述真空腔(11)的進氣口包括第一進氣口、第二進氣口以及第三進氣口;
所述第一進氣口通過二通管道連接所述第一反應氣體源(15),所述第二進氣口通過二通管道連接所述第二反應氣體源(16),所述第三進氣口通過二通管道連接所述惰性氣體源(17);
所述第一進氣口與所述第一反應氣體源(15)之間的管道、所述第二進氣口與所述第二反應氣體源(16)之間的管道、所述第三進氣口與所述惰性氣體源(17)之間的管道上均設置有閥門。
3.根據權利要求1所述的原子層沉積裝置,其特征在于,所述真空腔(11)的進氣口包括第一進氣口和第二進氣口;
所述第一進氣口通過三通管道連接所述第一反應氣體源(15)和所述惰性氣體源(17),所述第二進氣口通過二通管道連接所述第二反應氣體源(16),其中,三通管道的主管連接所述第一進氣口;
三通管道的兩條支管、所述第二進氣口與所述第二反應氣體源(16)之間的管道上均設置有閥門。
4.根據權利要求1所述的原子層沉積裝置,其特征在于,所述真空腔(11)的進氣口包括第一進氣口和第二進氣口;
所述第一進氣口通過二通管道連接所述第一反應氣體源(15),所述第二進氣口通過三通管道連接所述第二反應氣體源(16)和所述惰性氣體源(17),其中,三通管道的主管連接所述第二進氣口;
三通管道的兩條支管、所述第一進氣口與所述第一反應氣體源(15)之間的管道上均設置有閥門。
5.根據權利要求1所述的原子層沉積裝置,其特征在于,所述真空腔(11)的進氣口通過四通管道連接所述第一反應氣體源(15)、所述第二反應氣體源(16)以及所述惰性氣體源(17),其中,四通管道的主管連接所述真空腔(11)的進氣口,四通管道的三條支管上均設置有閥門。
6.根據權利要求1至5任一項所述的原子層沉積裝置,其特征在于,所述真空腔(11)的出氣口包括第一出氣口和第二出氣口;
所述第一出氣口通過二通管道連接所述第一真空泵(13),所述第二出氣口通過二通管道連接所述第二真空泵(14);
所述第一出氣口與所述第一真空泵(13)之間的管道、所述第二出氣口與所述第二真空泵(14)之間的管道上均設置有閥門。
7.根據權利要求1至5任一項所述的原子層沉積裝置,其特征在于,所述真空腔(11)的出氣口通過三通管道連接所述第一真空泵(13)和所述第二真空泵(14),其中,三通管道的主管連接所述真空腔(11)的出氣口,三通管道的兩條支管上均設置有閥門。
8.根據權利要求1所述的原子層沉積裝置,其特征在于,所述惰性氣體源(17)為氮氣源。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





