[實(shí)用新型]原子層沉積裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201821264170.0 | 申請(qǐng)日: | 2018-08-07 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN208649461U | 公開(kāi)(公告)日: | 2019-03-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 夏洋 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 嘉興科民電子設(shè)備技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào): | C23C16/455 | 分類號(hào): | C23C16/455 |
| 代理公司: | 北京眾達(dá)德權(quán)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11570 | 代理人: | 劉杰 |
| 地址: | 314006 浙江省嘉興市南湖*** | 國(guó)省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 真空泵 真空腔 原子層沉積裝置 反應(yīng)氣體源 進(jìn)氣口 本實(shí)用新型 惰性氣體源 管道連接 出氣口 樣品臺(tái) 反應(yīng)前驅(qū)體 影響真空泵 抽氣效率 | ||
本實(shí)用新型公開(kāi)了一種原子層沉積裝置,所述原子層沉積裝置包括:真空腔、樣品臺(tái)、第一真空泵、第二真空泵、第一反應(yīng)氣體源、第二反應(yīng)氣體源以及惰性氣體源;其中,所述樣品臺(tái)設(shè)置在所述真空腔中;所述真空腔包括進(jìn)氣口和出氣口,所述真空腔的進(jìn)氣口通過(guò)管道連接所述第一反應(yīng)氣體源、所述第二反應(yīng)氣體源以及所述惰性氣體源,所述真空腔的出氣口通過(guò)管道連接所述第一真空泵和所述第二真空泵。本實(shí)用新型提供的原子層沉積裝置,通過(guò)設(shè)置兩個(gè)真空泵,能夠避免兩種反應(yīng)前驅(qū)體在同一個(gè)真空泵中發(fā)生反應(yīng)而影響真空泵的抽氣效率。
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及薄膜涂層技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種原子層沉積裝置。
背景技術(shù)
原子層沉積(ALD,Atomic Layer Deposition)技術(shù)是最前沿的薄膜沉積技術(shù)。它的原理是通過(guò)將氣相前驅(qū)體脈沖交替地通入反應(yīng)器并在沉積基體上化學(xué)吸附并反應(yīng),并以單原子膜的形式一層一層形成沉積膜的一種方法。原子層沉積主要包括以下過(guò)程:往真空腔中充入反應(yīng)前驅(qū)體,例如,反應(yīng)物A;等待反應(yīng)物A在樣品上飽和吸附后,用真空泵將多余反應(yīng)物A抽干凈;往真空腔中充入惰性氣體,例如,氮?dú)猓瑢?duì)真空腔進(jìn)行吹掃;用真空泵將惰性氣體抽干凈;往真空腔中充入另一反應(yīng)前驅(qū)體,例如,反應(yīng)物B;反應(yīng)物A和反應(yīng)物B在樣品上反應(yīng)生成A-B;用真空泵將多余反應(yīng)物B抽干凈。重復(fù)上述過(guò)程,便可以獲得所需厚度的A-B材料。
原子層沉積技術(shù)可以在基體上形成非常薄的膜,因而可以準(zhǔn)確控制薄膜的厚度,在任何形狀的基體上進(jìn)行接近百分之百的覆蓋。然而,由于反應(yīng)物A和反應(yīng)物B在真空泵中也會(huì)發(fā)生反應(yīng),生成A-B物質(zhì),該物質(zhì)會(huì)影響真空泵的抽氣效率,甚至導(dǎo)致真空泵的損壞。
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型所要解決的是原子層沉積過(guò)程中反應(yīng)前驅(qū)體會(huì)在真空泵中發(fā)生反應(yīng)的問(wèn)題。
本實(shí)用新型通過(guò)下述技術(shù)方案實(shí)現(xiàn):
一種原子層沉積裝置,包括:真空腔、樣品臺(tái)、第一真空泵、第二真空泵、第一反應(yīng)氣體源、第二反應(yīng)氣體源以及惰性氣體源;其中,所述樣品臺(tái)設(shè)置在所述真空腔中;所述真空腔包括進(jìn)氣口和出氣口,所述真空腔的進(jìn)氣口通過(guò)管道連接所述第一反應(yīng)氣體源、所述第二反應(yīng)氣體源以及所述惰性氣體源,所述真空腔的出氣口通過(guò)管道連接所述第一真空泵和所述第二真空泵。
可選的,所述真空腔的進(jìn)氣口包括第一進(jìn)氣口、第二進(jìn)氣口以及第三進(jìn)氣口;所述第一進(jìn)氣口通過(guò)二通管道連接所述第一反應(yīng)氣體源,所述第二進(jìn)氣口通過(guò)二通管道連接所述第二反應(yīng)氣體源,所述第三進(jìn)氣口通過(guò)二通管道連接所述惰性氣體源;所述第一進(jìn)氣口與所述第一反應(yīng)氣體源之間的管道、所述第二進(jìn)氣口與所述第二反應(yīng)氣體源之間的管道、所述第三進(jìn)氣口與所述惰性氣體源之間的管道上均設(shè)置有閥門。
可選的,所述真空腔的進(jìn)氣口包括第一進(jìn)氣口和第二進(jìn)氣口;所述第一進(jìn)氣口通過(guò)三通管道連接所述第一反應(yīng)氣體源和所述惰性氣體源,所述第二進(jìn)氣口通過(guò)二通管道連接所述第二反應(yīng)氣體源,其中,三通管道的主管連接所述第一進(jìn)氣口;三通管道的兩條支管、所述第二進(jìn)氣口與所述第二反應(yīng)氣體源之間的管道上均設(shè)置有閥門。
可選的,所述真空腔的進(jìn)氣口包括第一進(jìn)氣口和第二進(jìn)氣口;所述第一進(jìn)氣口通過(guò)二通管道連接所述第一反應(yīng)氣體源,所述第二進(jìn)氣口通過(guò)三通管道連接所述第二反應(yīng)氣體源和所述惰性氣體源,其中,三通管道的主管連接所述第二進(jìn)氣口;三通管道的兩條支管、所述第一進(jìn)氣口與所述第一反應(yīng)氣體源之間的管道上均設(shè)置有閥門。
可選的,所述真空腔的進(jìn)氣口通過(guò)四通管道連接所述第一反應(yīng)氣體源、所述第二反應(yīng)氣體源以及所述惰性氣體源,其中,四通管道的主管連接所述真空腔的進(jìn)氣口,四通管道的三條支管上均設(shè)置有閥門。
可選的,所述真空腔的出氣口包括第一出氣口和第二出氣口;所述第一出氣口通過(guò)二通管道連接所述第一真空泵,所述第二出氣口通過(guò)二通管道連接所述第二真空泵;所述第一出氣口與所述第一真空泵之間的管道、所述第二出氣口與所述第二真空泵之間的管道上均設(shè)置有閥門。
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C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過(guò)氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆,例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時(shí)基體上,例如在隨后通過(guò)浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無(wú)機(jī)材料為特征的





