[實(shí)用新型]一種鍍膜設(shè)備

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201821256383.9
• 申請(qǐng)日: 2018-08-06
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN208733216U
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-04-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳策;丁維紅;肖念恭;陳吉利
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 信陽(yáng)舜宇光學(xué)有限公司
• 主分類號(hào): C23C14/35
• 分類號(hào): C23C14/35;C23C14/46
• 代理公司: 北京謹(jǐn)誠(chéng)君睿知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 11538
• 代理人: 陸鑫;延慧

1.一種鍍膜設(shè)備，包括真空室(1)，設(shè)置在所述真空室(1)中的靶材基座(11)和基底夾具(12)，所述靶材基座(11)設(shè)置于所述基底夾具(12)的上方；其特征在于，還包括電極切換裝置(13)；

所述電極切換裝置(13)與所述靶材基座(11)相互連接，且所述靶材基座(11)為偶數(shù)個(gè)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述靶材基座(11)上設(shè)置有線性位移裝置；

沿豎直方向，所述線性位移裝置驅(qū)動(dòng)所述靶材基座(11)往復(fù)移動(dòng)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的鍍膜設(shè)備，其特征在于，還包括：設(shè)置于所述真空室(1)中與所述靶材基座(11)相鄰且用于提供并增強(qiáng)所述靶材基座(11)位置等離子體運(yùn)動(dòng)速度的射頻發(fā)生器(14),以及設(shè)置與所述真空室(1)外部且與所述靶材基座(11)相對(duì)的交變磁場(chǎng)裝置(19)。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的鍍膜設(shè)備，其特征在于，還包括：設(shè)置在所述真空室(1)上的離子源(15)和抽氣裝置(16)，用于向所述真空室(1)中通入氣體的進(jìn)氣管(17)，用于抽取所述真空室(1)中氣體的出氣管(18)；

所述進(jìn)氣管(17)包括用于輸送惰性氣體的第一進(jìn)氣管(171)和用于通入反應(yīng)氣體的第二進(jìn)氣管(172)。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述進(jìn)氣管(17)與所述出氣管(18)相對(duì)設(shè)置。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述電極切換裝置(13)為交流電極切換裝置。