[實用新型]一種半導體爐管的晶舟

有效

• 申請號: 201821248039.5
• 申請日: 2018-08-03
• 公開（公告）號: CN208433396U
• 公開（公告）日: 2019-01-25
• 發明（設計）人: 王磊;周冬成;吳宗祐;林宗賢
• 申請（專利權）人: 德淮半導體有限公司
• 主分類號: H01L21/687
• 分類號: H01L21/687;H01L21/67
• 代理公司: 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219
• 代理人: 余明偉

本實用新型提供一種半導體爐管的晶舟，包括：若干組在晶舟內水平設置的支撐腳，每組支撐腳包含至少三個支撐腳，且位于同一組中的支撐腳處于同一水平面上，支撐腳的一端與晶舟內壁相連接；支撐腳包括與晶圓相接觸的支撐腳上表面及與支撐腳上表面相對應的支撐腳下表面；其中，支撐腳上表面包含支撐腳上表面凹槽，支撐腳下表面包含支撐腳下表面凹槽，通過支撐腳上表面凹槽以及支撐腳下表面凹槽，使得晶舟在旋轉時，促進氣體及溫度的交換，改善晶圓的邊緣區域與晶圓的中心區域的膜厚差，以及改善位于晶舟頂部與位于晶舟底部的晶圓的表面的膜厚差。

技術領域

本實用新型屬于半導體制造領域，涉及一種半導體爐管的晶舟。

背景技術

隨著科技的進步，半導體電子產品已經應用到社會生活的各個領域，而這些半導體電子產品都具有半導體芯片，半導體芯片在當今生活中具有非常顯著的重要性。

在半導體芯片的制造過程中，爐管是一個不可缺少的設備，例如用于晶圓的擴散、氧化及退火等工藝中，其中利用爐管的擴散制程就是一個基本制程，在擴散制程中，是先將許多片晶圓放置在一個晶舟上，再將晶舟放置在爐管內進行批次制造，對于晶圓而言，同一期間內在一臺設備中制造出的晶圓的質量和數量，很大程度影響到晶圓的良品率和制造成本。

如圖1所示，顯示為現有技術中的一種半導體爐管的結構示意圖，包括晶舟110、加熱管310、氣體通道410。其中，晶舟110用于承載晶圓210，加熱管310用于提供溫度，氣體通道410用于提供及排除制程所需的氣體。

圖2中顯示了圖1中的晶舟的部分結構示意圖，爐管中，晶圓210層疊放置在晶舟110中，由具有平滑表面的支撐腳120作為支撐，其中，采用具有平滑表面的支撐腳120作為支撐，其優點為結構簡單，但是同時由于其支撐位的局限性，決定了晶圓210在晶舟110上主要受力點集中在具有支撐腳120的地方，晶圓210之間的間距較小，晶圓210的邊緣區域與晶圓210的中心區域的反應條件(如氣體濃度及反應溫度)不一致，導致在晶圓210的邊緣區域與晶圓210的中心區域制備的膜厚產生差異。同理，位于晶舟110頂部與位于晶舟110底部的晶圓210的表面的反應條件也不一致，同樣使得位于晶舟110頂部與位于晶舟110底部的晶圓210的表面膜厚產生差異。

基于以上所述，提供一種可以改善晶圓的邊緣區域的氣體濃度及反應溫度，將氣體及溫度傳送至晶圓之間的空隙，促進晶圓的邊緣區域的氣體及溫度與晶圓的中心區域的氣體及溫度的交換，從而改善晶圓的邊緣區域與晶圓的中心區域的膜厚差，以及改善位于晶舟頂部與位于晶舟底部的晶圓的表面的膜厚差，已成為本領域亟待解決的技術問題。

實用新型內容

鑒于以上所述現有技術的缺點，本實用新型的目的在于提供一種半導體爐管的晶舟，用于解決現有技術中晶舟中的晶圓之間的間距較小，晶圓的邊緣區域與晶圓的中心區域的反應條件不一致，導致在晶圓的邊緣區域與晶圓的中心區域制備的膜厚產生差異；及位于晶舟頂部與位于晶舟底部的晶圓的表面的反應條件的不一致，使得位于晶舟頂部與位于晶舟底部的晶圓的表面膜厚產生差異的問題。

為實現上述目的及其他相關目的，本實用新型提供一種半導體爐管的晶舟，包括：

若干組支撐腳，所述支撐腳在所述晶舟內水平設置，每組支撐腳包含至少三個所述支撐腳，且位于同一組中的所述支撐腳處于同一水平面上，所述支撐腳的一端與晶舟內壁相連接；所述支撐腳包括與晶圓相接觸的支撐腳上表面及與所述支撐腳上表面相對應的支撐腳下表面；

其中，所述支撐腳上表面包含自所述支撐腳上表面向所述支撐腳內部延伸的支撐腳上表面凹槽，所述支撐腳下表面包含自所述支撐腳下表面向所述支撐腳內部延伸的支撐腳下表面凹槽。

可選的，位于同一水平面上的所述支撐腳沿圓周間隔排布于所述晶舟內壁上。

可選的，位于同一所述晶舟內壁上的相鄰兩個所述支撐腳之間的距離相等。