[實用新型]一種半導體爐管的晶舟有效
| 申請號： | 201821248039.5 | 申請日： | 2018-08-03 |
| 公開（公告）號： | CN208433396U | 公開（公告）日： | 2019-01-25 |
| 發明（設計）人： | 王磊;周冬成;吳宗祐;林宗賢 | 申請（專利權）人： | 德淮半導體有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/687 | 分類號： | H01L21/687;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明偉 |
| 地址： | 223300 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 支撐腳 晶舟 晶圓 上表面 上表面凹槽 半導體爐 表面凹槽 支撐 膜厚差 本實用新型 邊緣區域 水平設置 同一水平 中心區域 內壁 交換 | ||
1.一種半導體爐管的晶舟，其特征在于，所述晶舟包括：
若干組支撐腳，所述支撐腳在所述晶舟內水平設置，每組支撐腳包含至少三個所述支撐腳，且位于同一組中的所述支撐腳處于同一水平面上，所述支撐腳的一端與晶舟內壁相連接；所述支撐腳包括與晶圓相接觸的支撐腳上表面及與所述支撐腳上表面相對應的支撐腳下表面；
其中，所述支撐腳上表面包含自所述支撐腳上表面向所述支撐腳內部延伸的支撐腳上表面凹槽，所述支撐腳下表面包含自所述支撐腳下表面向所述支撐腳內部延伸的支撐腳下表面凹槽。
2.根據權利要求1所述的半導體爐管的晶舟，其特征在于：位于同一水平面上的所述支撐腳沿圓周間隔排布于所述晶舟內壁上。
3.根據權利要求1所述的半導體爐管的晶舟，其特征在于：位于同一所述晶舟內壁上的相鄰兩個所述支撐腳之間的距離相等。
4.根據權利要求1所述的半導體爐管的晶舟，其特征在于：每個所述支撐腳的長度均小于所述晶舟內部空間的圓形剖面的半徑。
5.根據權利要求1所述的半導體爐管的晶舟，其特征在于：所述支撐腳上表面凹槽與所述支撐腳下表面凹槽對稱分布。
6.根據權利要求1所述的半導體爐管的晶舟，其特征在于：所述支撐腳上表面凹槽及所述支撐腳下表面凹槽的內表面包括曲面及平面中的一種或組合。
7.根據權利要求1所述的半導體爐管的晶舟，其特征在于：相鄰的兩個所述支撐腳上表面凹槽及相鄰的兩個所述支撐腳下表面凹槽之間的距離相等。
8.根據權利要求1所述的半導體爐管的晶舟，其特征在于：所述支撐腳上表面凹槽的深度及所述支撐腳下表面凹槽的深度與所述支撐腳厚度比的范圍為1/5～1/3。
9.根據權利要求1所述的半導體爐管的晶舟，其特征在于：所述支撐腳具有相同形貌。
10.根據權利要求1所述的半導體爐管的晶舟，其特征在于：所述晶圓的邊緣區域覆蓋所述支撐腳上表面凹槽的開口。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
