[實(shí)用新型]一種高速率去硅的蝕刻裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201821247164.4 | 申請(qǐng)日: | 2018-08-03 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN208706589U | 公開(kāi)(公告)日: | 2019-04-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 吳楚鴻;李緯;陳巧銀;黃澤杭;羅桂容;徐樂(lè)山 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 深圳市翰博士科技有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L21/67 | 分類(lèi)號(hào): | H01L21/67;H01L21/3065 |
| 代理公司: | 北京匯捷知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11531 | 代理人: | 馬金華 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 上端 支撐架 底板 硅晶片 下端 下壓座 蝕刻 彈性支撐 蝕刻裝置 蝕刻槽 方形板狀結(jié)構(gòu) 本實(shí)用新型 托盤(pán) 方形槽體 接觸反應(yīng) 氣相沉積 安裝槽 成品率 定位槽 固定的 硬接觸 真空泵 回吸 刻板 氣泵 吸附 受損 | ||
本實(shí)用新型公開(kāi)了一種高速率去硅的蝕刻裝置,包括支撐架、支撐架下端所設(shè)的底板、支撐架上端所設(shè)的頂板、頂板下端所設(shè)的下壓座、下壓座下端所設(shè)的蝕刻板、底板上端所設(shè)的彈性支撐版與彈性支撐版上端所設(shè)的硅晶片托盤(pán),所述支撐架的主體為C形板狀結(jié)構(gòu),且在支撐架的下端設(shè)有方形板狀結(jié)構(gòu)的底板,所述底板的上端設(shè)有方形槽體結(jié)構(gòu)的安裝槽I;在此實(shí)用新型中,通過(guò)下壓座上端的氣泵對(duì)蝕刻槽內(nèi)所形成的氣相顆粒進(jìn)行快速回吸,使得硅晶片的表面不會(huì)形成氣相沉積膜,使蝕刻槽始終保持良好的接觸反應(yīng)效率,提高了蝕刻的速率;通過(guò)真空泵將硅晶片吸附在定位槽內(nèi),這種固定方式避免了硬接觸,使得硅晶片在被牢固固定的同時(shí)不會(huì)受損,進(jìn)而提高了蝕刻的成品率。
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及硅蝕刻技術(shù)領(lǐng)域,具體為一種高速率去硅的蝕刻裝置。
背景技術(shù)
微機(jī)電系統(tǒng)是一種全新的必須同時(shí)考慮多種物理場(chǎng)混合作用的研發(fā)領(lǐng)域,采用以硅為主的材料,電氣性能優(yōu)良,因?yàn)楣璨牧系膹?qiáng)度、硬度和楊氏模量與鐵相當(dāng),密度與鋁類(lèi)似,熱傳導(dǎo)率接近鉬和鎢,因此具有極佳的物體特性,它可以被用作在多功能的微型系統(tǒng)中,集成于大尺寸系統(tǒng)中,從而大幅度地提高系統(tǒng)的自動(dòng)化、智能化和可靠性水平。
因?yàn)楣璨牧系闹匾?,所以在微機(jī)電系統(tǒng)的制作過(guò)程中必不可少的硅蝕刻流程,現(xiàn)有技術(shù)中的硅蝕刻裝置的種類(lèi)較多,但是它們?cè)趯?shí)際使用中存在以下弊端:
1.在氣相蝕刻過(guò)程中,氣體與硅晶片的表面反應(yīng)后會(huì)形成滯留的氣相沉積膜,這種氣相沉積膜對(duì)蝕刻表面有一定的妨礙作用,降低了氣相蝕刻的接觸反應(yīng)效率;
2.因?yàn)楣杈闹破沸螤钶^小,整體強(qiáng)度不高,導(dǎo)致裝夾定位過(guò)程中容易使硅晶體受損,或者裝夾不到位導(dǎo)致蝕刻效果不理想,降低了蝕刻的成品率;
3.氣相蝕刻過(guò)程中產(chǎn)生氣相沉積膜后,需要將這層氣相沉積膜去除后才能繼續(xù)進(jìn)行蝕刻,在去除氣相沉積膜的過(guò)程中需要釋放掉蝕刻腔體內(nèi)的蝕刻氣體,降低了蝕刻氣體的循環(huán)利用率,并且造成了大量的浪費(fèi)。
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的在于提供一種高速率去硅的蝕刻裝置,以解決上述背景技術(shù)中提出的問(wèn)題。
為實(shí)現(xiàn)上述目的,本實(shí)用新型提供如下技術(shù)方案:一種高速率去硅的蝕刻裝置,包括支撐架、支撐架下端所設(shè)的底板、支撐架上端所設(shè)的頂板、頂板下端所設(shè)的下壓座、下壓座下端所設(shè)的蝕刻板、底板上端所設(shè)的彈性支撐版與彈性支撐版上端所設(shè)的硅晶片托盤(pán),所述支撐架的主體為C形板狀結(jié)構(gòu),且在支撐架的下端設(shè)有方形板狀結(jié)構(gòu)的底板,所述底板的上端設(shè)有方形槽體結(jié)構(gòu)的安裝槽I,且在安裝槽I的槽底向底板的下端面引有圓柱形孔狀結(jié)構(gòu)的通氣孔I,所述底板上端面的四角處對(duì)稱(chēng)設(shè)有四個(gè)圓柱形結(jié)構(gòu)的導(dǎo)向銷(xiāo)I,所述安裝槽I內(nèi)插配有方形板狀結(jié)構(gòu)的彈性支撐版,所述彈性支撐版的上端設(shè)有方形槽體結(jié)構(gòu)的安裝槽III,且在安裝槽III內(nèi)插配有方形板狀結(jié)構(gòu)的硅晶片托盤(pán);
所述支撐架的上端設(shè)有方形板狀結(jié)構(gòu)的頂板,且在頂板的中間設(shè)有方形凸臺(tái)結(jié)構(gòu)的安裝板,所述安裝板的上端匹配安裝有液壓缸,所述安裝板的兩側(cè)對(duì)稱(chēng)設(shè)有兩個(gè)圓柱形孔狀結(jié)構(gòu)的導(dǎo)向孔,所述液壓缸下端的活塞桿貫穿于頂板的上下兩端面并且與下壓座匹配連接在一起,所述下壓座的主體為方形板狀結(jié)構(gòu)的下壓板,且在下壓板上端面中心位置的兩側(cè)對(duì)稱(chēng)設(shè)有兩個(gè)與導(dǎo)向孔相滑動(dòng)套配的圓柱形結(jié)構(gòu)的導(dǎo)向柱,所述下壓板上端面的四個(gè)對(duì)角處對(duì)稱(chēng)設(shè)有兩個(gè)氣泵與兩個(gè)氣瓶,所述氣瓶的上端與氣泵通過(guò)氣管相連通,且兩個(gè)氣瓶的上端同樣通過(guò)氣管相連通,并且在此氣管中間配設(shè)有過(guò)濾器,所述下壓板的四角位置處對(duì)稱(chēng)設(shè)有四個(gè)與導(dǎo)向銷(xiāo)I相套配的圓柱形孔狀結(jié)構(gòu)的導(dǎo)向孔II,且在下壓板的下端面上設(shè)有十字形槽體結(jié)構(gòu)的安裝槽II,所述安裝槽II槽底的中間向下壓板的上端面引有兩個(gè)對(duì)稱(chēng)設(shè)置的圓柱形孔狀結(jié)構(gòu)的過(guò)孔I,所述安裝槽II槽底的對(duì)角位置處對(duì)稱(chēng)設(shè)有兩個(gè)圓柱形結(jié)構(gòu)的導(dǎo)向銷(xiāo)II,所述安裝槽II內(nèi)插配有方形板狀結(jié)構(gòu)的蝕刻板。
優(yōu)選的,所述底板下端面的四角位置處對(duì)稱(chēng)設(shè)有四個(gè)圓柱形結(jié)構(gòu)的支撐腳,且在底板底面的中間位置處設(shè)有與通氣孔I相連通的真空泵。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專(zhuān)門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專(zhuān)門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專(zhuān)門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





