[實用新型]一種高速率去硅的蝕刻裝置有效
| 申請號: | 201821247164.4 | 申請日: | 2018-08-03 |
| 公開(公告)號: | CN208706589U | 公開(公告)日: | 2019-04-05 |
| 發明(設計)人: | 吳楚鴻;李緯;陳巧銀;黃澤杭;羅桂容;徐樂山 | 申請(專利權)人: | 深圳市翰博士科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/3065 |
| 代理公司: | 北京匯捷知識產權代理事務所(普通合伙) 11531 | 代理人: | 馬金華 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市寶安區西鄉街道寶*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 上端 支撐架 底板 硅晶片 下端 下壓座 蝕刻 彈性支撐 蝕刻裝置 蝕刻槽 方形板狀結構 本實用新型 托盤 方形槽體 接觸反應 氣相沉積 安裝槽 成品率 定位槽 固定的 硬接觸 真空泵 回吸 刻板 氣泵 吸附 受損 | ||
1.一種高速率去硅的蝕刻裝置,包括支撐架(1)、支撐架(1)下端所設的底板(2)、支撐架(1)上端所設的頂板(3)、頂板(3)下端所設的下壓座(6)、下壓座(6)下端所設的蝕刻板(9)、底板(2)上端所設的彈性支撐版(7)與彈性支撐版(7)上端所設的硅晶片托盤(8),其特征在于:所述支撐架(1)的主體為C形板狀結構,且在支撐架(1)的下端設有方形板狀結構的底板(2),所述底板(2)的上端設有方形槽體結構的安裝槽I(201),且在安裝槽I(201)的槽底向底板(2)的下端面引有圓柱形孔狀結構的通氣孔I(203),所述底板(2)上端面的四角處對稱設有四個圓柱形結構的導向銷I(202),所述安裝槽I(201)內插配有方形板狀結構的彈性支撐版(7),所述彈性支撐版(7)的上端設有方形槽體結構的安裝槽III(701),且在安裝槽III(701)內插配有方形板狀結構的硅晶片托盤(8);
所述支撐架(1)的上端設有方形板狀結構的頂板(3),且在頂板(3)的中間設有方形凸臺結構的安裝板(301),所述安裝板(301)的上端匹配安裝有液壓缸(5),所述安裝板(301)的兩側對稱設有兩個圓柱形孔狀結構的導向孔(302),所述液壓缸(5)下端的活塞桿貫穿于頂板(3)的上下兩端面并且與下壓座(6)匹配連接在一起,所述下壓座(6)的主體為方形板狀結構的下壓板(601),且在下壓板(601)上端面中心位置的兩側對稱設有兩個與導向孔(302)相滑動套配的圓柱形結構的導向柱(602),所述下壓板(601)上端面的四個對角處對稱設有兩個氣泵(605)與兩個氣瓶(607),所述氣瓶(607)的上端與氣泵(605)通過氣管相連通,且兩個氣瓶(607)的上端同樣通過氣管相連通,并且在此氣管中間配設有過濾器(608),所述下壓板(601)的四角位置處對稱設有四個與導向銷I(202)相套配的圓柱形孔狀結構的導向孔II(603),且在下壓板(601)的下端面上設有十字形槽體結構的安裝槽II(609),所述安裝槽II(609)槽底的中間向下壓板(601)的上端面引有兩個對稱設置的圓柱形孔狀結構的過孔I(604),所述安裝槽II(609)槽底的對角位置處對稱設有兩個圓柱形結構的導向銷II(610),所述安裝槽II(609)內插配有方形板狀結構的蝕刻板(9)。
2.根據權利要求1所述的一種高速率去硅的蝕刻裝置,其特征在于:所述底板(2)下端面的四角位置處對稱設有四個圓柱形結構的支撐腳(4),且在底板(2)底面的中間位置處設有與通氣孔I(203)相連通的真空泵(10)。
3.根據權利要求1所述的一種高速率去硅的蝕刻裝置,其特征在于:所述彈性支撐版(7)的下端設有與安裝槽I(201)相插配的方形凸臺結構的定位凸臺(703),且在安裝槽III(701)的槽底均布設有圓柱形孔狀結構的通氣孔II(704),所述通氣孔II(704)與安裝槽I(201)底部的通氣孔I(203)相連通,所述彈性支撐版(7)四角位置處對稱式設有四個與導向銷I(202)相套配的圓柱形孔狀結構的導向孔III(702)。
4.根據權利要求1所述的一種高速率去硅的蝕刻裝置,其特征在于:所述硅晶片托盤(8)的上端面上設有槽體結構的定位槽(801),所述硅晶片托盤(8)厚度方向的中間位置處設有方形腔體結構的連接腔I(803),所述連接腔I(803)與定位槽(801)的槽底通過圓柱形孔狀結構的通氣孔III(802)相連通,所述硅晶片托盤(8)的底部向連接腔I(803)內引有圓柱形孔狀結構的通氣孔V(804),且通氣孔V(804)與安裝槽III(701)底部的通氣孔II(704)相連通。
5.根據權利要求1所述的一種高速率去硅的蝕刻裝置,其特征在于:所述蝕刻板(9)的上端面上設有位置與定位槽(801)相對應的槽體結構的蝕刻槽(901),所述蝕刻板(9)厚度方向的中間位置處設有方形腔體結構的連接腔II (903),所述連接腔II(903)與蝕刻槽(901)的底面通過圓柱形孔狀結構的通氣孔IV(902)相連通,所述蝕刻板(9)底面的中間位置處對稱設有兩個與連接腔II(903)相連通并且與過孔I(604)相套配的圓柱形管狀結構的導管(904),所述導管(904)的上端與氣泵(605)通過氣管相連通,且在此氣管上配設有單向閥(606),所述蝕刻板(9)底面的對角位置處對稱設有兩個與導向銷II(610)相插配的圓柱形孔狀結構的導向孔IV(905)。
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H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





