[實(shí)用新型]一種高亮度倒裝LED芯片

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201821244659.1
• 申請(qǐng)日: 2018-08-03
• 公開（公告）號(hào): CN208637453U
• 公開（公告）日: 2019-03-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 范凱平
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 佛山市國(guó)星半導(dǎo)體技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/46
• 分類號(hào): H01L33/46;H01L33/44;H01L33/00
• 代理公司: 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司 44202
• 代理人: 胡楓

本實(shí)用新型公開了一種高亮度倒裝LED芯片，包括發(fā)光結(jié)構(gòu)，設(shè)于第一孔洞側(cè)壁和第一裸露區(qū)域側(cè)壁上的絕緣層，設(shè)于絕緣層表面、第二半導(dǎo)體層表面、第一半導(dǎo)體層表面和側(cè)壁以及襯底表面上的ITO層，其中，第一半導(dǎo)體層上的ITO層和絕緣層上的ITO層斷開，設(shè)于ITO層上的金屬反射層，設(shè)于金屬反射層上的DBR層，貫穿DBR層并設(shè)置在金屬反射層上的第一電極和第二電極，第一電極位于第一孔洞，第二電極位于第二半導(dǎo)體層的上方，第一電極和第二電極相互絕緣。本實(shí)用新型的倒裝LED芯片能夠?qū)崿F(xiàn)全方位出光反射，提高芯片的出光效率，增加芯片的軸向出光。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及發(fā)光二極管技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種高亮度倒裝LED芯片。

背景技術(shù)

LED(Light Emitting Diode，發(fā)光二極管)是一種利用載流子復(fù)合時(shí)釋放能量形成發(fā)光的半導(dǎo)體器件，倒裝LED芯片具有耗電低、色度純、壽命長(zhǎng)、體積小、響應(yīng)時(shí)間快、節(jié)能環(huán)保等諸多優(yōu)勢(shì)。

倒裝LED芯片和傳統(tǒng)LED芯片相比，具有發(fā)光效率高、電流分布均勻、散熱好、電壓降低、效率高等優(yōu)點(diǎn)。現(xiàn)有的倒裝LED芯片一般采用Ag鏡、DBR反射鏡或Ag鏡+DBR復(fù)合反射鏡作為反射層來(lái)提高倒裝LED芯片的出光效率，從而提高芯片的亮度。

但是，現(xiàn)有倒裝LED芯片的Ag鏡和DBR反射鏡只設(shè)置在P-GaN表面、DBR反射鏡設(shè)置在GaN側(cè)壁上，這僅將P-GaN表面及GaN側(cè)壁表面出射的光進(jìn)行反射，而N-GaN表面及LED襯底表面的光不能通過反射層反射出去，不能實(shí)現(xiàn)芯片的全方位出光反射，使得現(xiàn)有的倒裝LED芯片出光效率低、軸向出光較少。此外，現(xiàn)有的Ag鏡反射層制備完成后，還需要制備Ag鏡保護(hù)層，工藝制程時(shí)間長(zhǎng)，產(chǎn)量低。

發(fā)明內(nèi)容

本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題在于，提供一種高亮度倒裝LED芯片，對(duì)芯片進(jìn)行全方位出光反射，提高芯片的出光效率，增加芯片的軸向出光。

為了解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型提供了一種高亮度倒裝LED芯片，包括：

發(fā)光結(jié)構(gòu)，所述發(fā)光結(jié)構(gòu)包括襯底，設(shè)于襯底上的外延層，所述外延層包括依次設(shè)于襯底上的第一半導(dǎo)體層、有源層和第二半導(dǎo)體層，位于外延層中部的第一孔洞，位于外延層邊緣的第一裸露區(qū)域，以及位于第一裸露區(qū)域邊緣的第二裸露區(qū)域，其中，第一孔洞和第一裸露區(qū)域貫穿第二半導(dǎo)體層和有源層并延伸至第一半導(dǎo)體層，第二裸露區(qū)域貫穿第一半導(dǎo)體層并延伸到襯底表面；

設(shè)于第一孔洞側(cè)壁和第一裸露區(qū)域側(cè)壁上的絕緣層；

設(shè)于絕緣層表面、第二半導(dǎo)體層表面、第一半導(dǎo)體層表面和側(cè)壁以及襯底表面上的ITO層，其中，第一半導(dǎo)體層上的ITO層和絕緣層上的ITO層斷開；

設(shè)于ITO層上的金屬反射層；

設(shè)于金屬反射層上的DBR層；

貫穿DBR層并設(shè)置在金屬反射層上的第一電極和第二電極，第一電極位于第一孔洞，第二電極位于第二半導(dǎo)體層的上方，第一電極和第二電極相互絕緣。

作為上述方案的改進(jìn)，所述金屬反射層包括Ag鏡反射層、Ag鏡保護(hù)層和刻蝕阻擋層。

作為上述方案的改進(jìn)，所述第一孔洞的側(cè)壁、第一裸露區(qū)域的側(cè)壁和第二裸露區(qū)域的側(cè)壁均具有一定的傾斜角度。

作為上述方案的改進(jìn)，第一半導(dǎo)體層上的ITO層和絕緣層之間具有空缺。

作為上述方案的改進(jìn)，絕緣層上的金屬反射層與第一半導(dǎo)體層上的金屬反射層斷開。

作為上述方案的改進(jìn)，DBR層覆蓋在金屬反射層的表面并延伸至ITO層與絕緣層之間的空缺內(nèi)，將第一半導(dǎo)體層上的ITO層與絕緣層上的ITO層絕緣。

作為上述方案的改進(jìn)，所述DBR層由絕緣材料制成。