[實用新型]一種高亮度倒裝LED芯片

有效

• 申請號: 201821244659.1
• 申請日: 2018-08-03
• 公開（公告）號: CN208637453U
• 公開（公告）日: 2019-03-22
• 發明（設計）人: 范凱平
• 申請（專利權）人: 佛山市國星半導體技術有限公司
• 主分類號: H01L33/46
• 分類號: H01L33/46;H01L33/44;H01L33/00
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 胡楓

1.一種高亮度倒裝LED芯片，其特征在于，包括：

發光結構，所述發光結構包括襯底，設于襯底上的外延層，所述外延層包括依次設于襯底上的第一半導體層、有源層和第二半導體層，位于外延層中部的第一孔洞，位于外延層邊緣的第一裸露區域，以及位于第一裸露區域邊緣的第二裸露區域，其中，第一孔洞和第一裸露區域貫穿第二半導體層和有源層并延伸至第一半導體層，第二裸露區域貫穿第一半導體層并延伸到襯底表面；

設于第一孔洞側壁和第一裸露區域側壁上的絕緣層；

設于絕緣層表面、第二半導體層表面、第一半導體層表面和側壁以及襯底表面上的ITO層，其中，第一半導體層上的ITO層和絕緣層上的ITO層斷開；

設于ITO層上的金屬反射層；

設于金屬反射層上的DBR層；

貫穿DBR層并設置在金屬反射層上的第一電極和第二電極，第一電極位于第一孔洞，第二電極位于第二半導體層的上方，第一電極和第二電極相互絕緣。

2.如權利要求1所述的高亮度倒裝LED芯片，其特征在于，所述金屬反射層包括Ag鏡反射層、Ag鏡保護層和刻蝕阻擋層。

3.如權利要求1所述的高亮度倒裝LED芯片，其特征在于，所述第一孔洞的側壁、第一裸露區域的側壁和第二裸露區域的側壁均具有一定的傾斜角度。

4.如權利要求1所述的高亮度倒裝LED芯片，其特征在于，第一半導體層上的ITO層和絕緣層之間具有空缺。

5.如權利要求4所述的高亮度倒裝LED芯片，其特征在于，絕緣層上的金屬反射層與第一半導體層上的金屬反射層斷開。

6.如權利要求5所述的高亮度倒裝LED芯片，其特征在于，DBR層覆蓋在金屬反射層的表面并延伸至ITO層與絕緣層之間的空缺內，將第一半導體層上的ITO層與絕緣層上的ITO層絕緣。

7.如權利要求6所述的高亮度倒裝LED芯片，其特征在于，所述DBR層由絕緣材料制成。