[實用新型]半導體發光芯片

有效

• 申請號: 201821242998.6
• 申請日: 2018-08-03
• 公開（公告）號: CN208690283U
• 公開（公告）日: 2019-04-02
• 發明（設計）人: 鄔新根;劉英策;李俊賢;魏振東
• 申請（專利權）人: 廈門乾照光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/10
• 分類號: H01L33/10;H01L33/32;H01L33/36;H01L33/00
• 代理公司: 寧波理文知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 33244
• 代理人: 李高峰;孟湘明

本實用新型公開了一半導體發光芯片，其中所述半導體發光芯片包括一襯底和自所述襯底依次生長的一N型半導體層、一有源區、一P型半導體層、一反射層、至少兩絕緣層、一防擴散層以及一電極組，其中一個所述絕緣層環繞在所述反射層的內側，另一個所述絕緣層環繞在所述反射層的外側，并且所述絕緣層隔離所述防擴散層和所述P型半導體層，其中所述電極組包括一N型電極和一P型電極，其中所述N型電極被電連接于所述N型半導體層，所述P型電極被電連接于所述P型半導體層。

技術領域

本實用新型涉及半導體發光二極管，特別涉及一半導體發光芯片。

背景技術

通常情況下，高亮度倒裝芯片普遍采用金屬銀作為反射鏡的材料，以形成層疊于P型氮化鎵層的銀鏡，但是由于該P型氮化鎵層的功函數為7.5eV，而該銀鏡的功函數為4.26eV，而理論上只有當該銀鏡的功函數大于該P型氮化鎵層的功函數時，該銀鏡才能與該P型氮化鎵層之間形成低電阻的歐姆接觸，但實際上，因為該銀鏡的功函數小于該P型氮化鎵層的功函數，從而該銀鏡無法與該P型氮化鎵層形成低電阻的歐姆接觸。因為形成該銀鏡的金屬銀為活潑金屬，在存在電勢差、高濕度、高溫度的條件下，導致該銀鏡容易出現金屬遷移的不良現象，而一旦該銀鏡出現金屬遷移的不良現象，則容易導致漏電、器件失效等異常，因此，采用該銀鏡的高亮度倒裝芯片還需要提供一個包覆該銀鏡的防擴散層，即，該防擴散層需要與該P型氮化鎵層直接接觸(該防擴散層層疊于該P型氮化鎵層)才能夠完全包覆該銀鏡。也就是說，該防擴散層的長寬尺寸均需大于該銀鏡的長寬尺寸，這導致該防擴散層會直接以接觸該P型氮化鎵層的方式層疊于該P型氮化鎵層。因為形成該防擴散層的材料通常是鈦(Ti)、鈦鎢(TiW)、鎳(Ni)等金屬材料，在實際使用過程中，該防擴散層與該P型氮化鎵層的接觸電阻低于該銀鏡與該P型氮化鎵層的接觸電阻，這就容易導致從P型電極注入的電流聚集在該區域(該防擴散層與該P型氮化鎵層接觸的區域)內，從而導致該區域的電流密度過高，進而導致靜電擊穿異常。

實用新型內容

本實用新型的一個目的在于提供一半導體發光芯片，其中所述半導體發光芯片能夠避免出現靜電擊穿的不良現象，以保證所述半導體芯片在被使用時的可靠性。

本實用新型的一個目的在于提供一半導體發光芯片，其中所述半導體發光芯片通過阻止一防擴散層直接接觸一P型半導體層的方式避免電流聚集而導致的靜電擊穿異常，從而保證所述半導體發光芯片在被使用時的可靠性。

本實用新型的一個目的在于提供一半導體發光芯片，其中所述半導體發光芯片提供一絕緣層，以藉由所述絕緣層以隔離所述防擴散層和所述P型半導體層的方式阻止所述防擴散層直接接觸所述P型半導體層。

本實用新型的一個目的在于提供一半導體發光芯片，其中所述絕緣層環繞在一反射層的四周，所述防擴散層以層疊于所述反射層和所述絕緣層的方式避免所述反射層出現金屬遷移的不良現象，從而保證所述半導體發光芯片的穩定性。

本實用新型的一個目的在于提供一半導體發光芯片，其中在所述絕緣層層疊于所述P型半導體層之后，層疊所述防擴散層于所述絕緣層和所述反射層，通過這樣的方式，所述絕緣層不僅能夠阻止所述防擴散層接觸所述P型半導體層，而且所述絕緣層能夠與所述防擴散層相互配合而包覆所述反射層，從而避免所述反射層出現金屬遷移的不良現象。

依本實用新型的一個方面，本實用新型提供一半導體發光芯片，其包括：

一襯底；

一外延疊層，其中所述外延疊層包括一N型氮化鎵層、一有源區以及一P型氮化鎵層，其中所述襯底、所述N型氮化鎵層、所述有源區和所述P型氮化鎵層依次層疊；

至少一反射層，其中所述反射層層疊于所述P型氮化鎵層的一部分表面；

至少兩絕緣層，其中一個所述絕緣層以層疊于所述P型氮化鎵層的一部分表面的方式環繞于所述反射層的內側，另一個所述絕緣層以層疊于所述P型氮化鎵層的一部分表面的方式環繞于所述反射層的外側；