[實用新型]半導體發光芯片

有效

• 申請號: 201821242998.6
• 申請日: 2018-08-03
• 公開（公告）號: CN208690283U
• 公開（公告）日: 2019-04-02
• 發明（設計）人: 鄔新根;劉英策;李俊賢;魏振東
• 申請（專利權）人: 廈門乾照光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/10
• 分類號: H01L33/10;H01L33/32;H01L33/36;H01L33/00
• 代理公司: 寧波理文知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 33244
• 代理人: 李高峰;孟湘明

1.一半導體發光芯片，其特征在于，包括：

一襯底；

一外延疊層，其中所述外延疊層包括一N型氮化鎵層、一有源區以及一P型氮化鎵層，其中所述襯底、所述N型氮化鎵層、所述有源區和所述P型氮化鎵層依次層疊；

至少一反射層，其中所述反射層層疊于所述P型氮化鎵層的一部分表面；

至少兩絕緣層，其中一個所述絕緣層以層疊于所述P型氮化鎵層的一部分表面的方式環繞于所述反射層的內側，另一個所述絕緣層以層疊于所述P型氮化鎵層的一部分表面的方式環繞于所述反射層的外側；

至少一防擴散層，其中所述防擴散層層疊于所述反射層和所述絕緣層；以及

一電極組，其中所述電極組包括一N型電極和一P型電極，其中所述N型電極被電連接于所述外延疊層的所述N型氮化鎵層，所述P型電極被電連接于所述防擴散層。

2.根據權利要求1所述的半導體發光芯片，其中所述外延疊層具有至少一半導體裸露部，所述半導體裸露部自所述P型氮化鎵層經所述有源區延伸至所述N型氮化鎵層，其中所述防擴散層具有至少一防擴散層穿孔，所述外延疊層的所述半導體裸露部對應于所述防擴散層的所述防擴散層穿孔，其中所述N型電極依次經所述防擴散層的所述防擴散層穿孔和所述外延疊層的所述半導體裸露部被電連接于所述N型氮化鎵層。

3.根據權利要求2所述的半導體發光芯片，所述半導體發光芯片進一步包括至少一N型擴展電極部，其中所述N型擴展電極部以被保持在所述外延疊層的所述半導體裸露部的方式層疊于所述N型氮化鎵層，其中所述N型電極被電連接于所述N擴展電極部。

4.根據權利要求3所述的半導體發光芯片，所述半導體發光芯片進一步包括一第一隔離部，其中所述第一隔離部以所述第一隔離部經所述防擴散層的所述防擴散層通道和所述外延疊層的所述半導體裸露部延伸至所述N型氮化鎵層的方式層疊于所述防擴散層，其中所述第一隔離部具有至少一第一通道和至少一第二通道，其中所述第一通道延伸至所述N型擴展電極部，所述N型電極經所述第一通道被電連接于所述N型擴展電極部，其中所述第二通道延伸至所述防擴散層，所述P型電極經所述第二通道被電連接于所述防擴散層。

5.根據權利要求4所述的半導體發光芯片，其中所述第一隔離部進一步層疊于所述絕緣層。

6.根據權利要求4所述的半導體發光芯片，其中所述第一隔離部進一步層疊所述N型擴展電極部。

7.根據權利要求4所述的半導體發光芯片，其中所述N型電極具有至少一N型電極連接針，其中在所述N型電極層疊于所述第一隔離部時，所述N型電極連接針形成于和被保持在所述第一隔離部的所述第一通道，并且所述N型電極連接針延伸至和被電連接于所述N型擴展電極部，相應地，所述P型電極具有至少一P型電極連接針，其中在所述P型電極層疊于所述第一隔離部時，所述P型電極連接針形成于和被保持在所述第一隔離部的所述第二通道，并且所述P型電極連接針延伸至和被電連接于所述防擴散層。

8.根據權利要求5所述的半導體發光芯片，其中所述N型電極具有至少一N型電極連接針，其中在所述N型電極層疊于所述第一隔離部時，所述N型電極連接針形成于和被保持在所述第一隔離部的所述第一通道，并且所述N型電極連接針延伸至和被電連接于所述N型擴展電極部，相應地，所述P型電極具有至少一P型電極連接針，其中在所述P型電極層疊于所述第一隔離部時，所述P型電極連接針形成于和被保持在所述第一隔離部的所述第二通道，并且所述P型電極連接針延伸至和被電連接于所述防擴散層。

9.根據權利要求6所述的半導體發光芯片，其中所述N型電極具有至少一N型電極連接針，其中在所述N型電極層疊于所述第一隔離部時，所述N型電極連接針形成于和被保持在所述第一隔離部的所述第一通道，并且所述N型電極連接針延伸至和被電連接于所述N型擴展電極部，相應地，所述P型電極具有至少一P型電極連接針，其中在所述P型電極層疊于所述第一隔離部時，所述P型電極連接針形成于和被保持在所述第一隔離部的所述第二通道，并且所述P型電極連接針延伸至和被電連接于所述防擴散層。