[實用新型]一種用于物理氣相沉積的電介質(zhì)沉積的設(shè)備有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201821239904.X | 申請日: | 2018-08-02 |
| 公開(公告)號: | CN208632632U | 公開(公告)日: | 2019-03-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 陳金海;劉濤;金勇超;梁文勇 | 申請(專利權(quán))人: | 科匯納米技術(shù)(常州)有限公司 |
| 主分類號: | C23C14/26 | 分類號: | C23C14/26 |
| 代理公司: | 南京禾易知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32320 | 代理人: | 王彩君 |
| 地址: | 213135 江蘇省常州市新北區(qū)*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 抽真空裝置 裝置外殼 物理氣相沉積 電介質(zhì)沉積 鎢絲 本實用新型 正上方位置 反應(yīng)物蒸 焊接固定 離子轟擊 氣體離子 真空鍍膜 蒸發(fā)物質(zhì) 電熱管 室內(nèi)部 蒸發(fā)物 靶材 基材 配合 | ||
本實用新型公開了一種用于物理氣相沉積的電介質(zhì)沉積的設(shè)備,包括裝置外殼和抽真空裝置,裝置外殼位于抽真空裝置正上方位置處,裝置外殼與抽真空裝置焊接固定,且裝置外殼與抽真空裝置之間相連通,利用設(shè)置的靶材與鎢絲的配合,實現(xiàn)對于氣體離子或被蒸發(fā)物質(zhì)離子轟擊作用的同時,把蒸發(fā)物或其反應(yīng)物蒸鍍在基材上,同時呈弧形的電熱管實現(xiàn)對于真空鍍膜室內(nèi)部的高溫提供。
技術(shù)領(lǐng)域
本實用新型涉及物理氣相沉積設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域,具體為一種用于物理氣相沉積的電介質(zhì)沉積的設(shè)備。
背景技術(shù)
在半導(dǎo)體處理中,物理氣相沉積(PVD)是用于沉積薄膜的傳統(tǒng)使用的工藝。 PVD工藝大體上包括轟擊靶材,致使源材料被從靶材濺射,所述靶材包括具有來自等離子體的離子的源材料。噴射出的源材料接著經(jīng)由電壓偏壓而被加速朝向待處理的基板,導(dǎo)致具有與其他反應(yīng)劑反應(yīng),或不具有與其他反應(yīng)劑反應(yīng)的源材料的沉積。近年來,PVD工藝已被越來越多地用以取代化學(xué)氣相沉積 (CVD)而沉積電介質(zhì)材料。與通過CVD而形成的電介質(zhì)膜相比,通過PVD而形成的電介質(zhì)薄膜具有更少的污染,因此具有更高的質(zhì)量
但是,現(xiàn)有的用于物理氣相沉積的電介質(zhì)沉積的設(shè)備在進(jìn)行蒸鍍過程中往往無法保證很好的真空環(huán)境而使蒸鍍成本增加,且蒸鍍過程由于基材的固定使蒸鍍時無法保證均勻的蒸鍍結(jié)果。
實用新型內(nèi)容
本實用新型的目的在于提供一種用于物理氣相沉積的電介質(zhì)沉積的設(shè)備,以解決上述背景技術(shù)中提出的問題。
為實現(xiàn)上述目的,本實用新型提供如下技術(shù)方案:一種用于物理氣相沉積的電介質(zhì)沉積的設(shè)備,包括裝置外殼和抽真空裝置,所述裝置外殼位于抽真空裝置正上方位置處,所述裝置外殼與抽真空裝置焊接固定,且所述裝置外殼與抽真空裝置之間相連通:所述裝置外殼上表面中心位置處設(shè)置有控制系統(tǒng),所述控制系統(tǒng)與裝置外殼上表面中心位置固定連接,所述裝置外殼內(nèi)部下底端位置處設(shè)置有真空鍍膜室,所述真空鍍膜室固定于裝置外殼內(nèi)底端中心處,所述真空鍍膜室上頂面設(shè)置有固定底板,所述固定底板與真空鍍膜室上頂面焊接固定,所述固定底板兩側(cè)頂端位置處與裝置外殼內(nèi)壁焊接固定,所述真空鍍膜室內(nèi)部上頂面位置處設(shè)置有基材固定架,所述基材固定架上頂面與固定底板螺釘連接,所述真空鍍膜室兩側(cè)位置處設(shè)置有電熱管,所述電熱管上頂端與固定底板固定連接,所述真空鍍膜室內(nèi)部中心位置處設(shè)置有靶材,所述靶材外端面纏繞有鎢絲,所述靶材兩側(cè)端中心位置設(shè)置有高電流線路,所述基材固定架下表面兩側(cè)端位置處設(shè)置有滑動導(dǎo)軌,所述滑動導(dǎo)軌兩側(cè)端與基材固定架內(nèi)壁焊接固定,所述滑動導(dǎo)軌共有兩組,所述基材固定架中心位置設(shè)置有基材固定板,所述基材固定板四角位置處設(shè)置有滑塊,所述滑塊與基材固定板螺釘連接,所述真空鍍膜室下底面一側(cè)位置處固定連接有預(yù)抽真空管道,所述預(yù)抽真空管道連通至裝置外殼外端,所述預(yù)抽真空管道中心位置處設(shè)置有真空電磁閥,所述真空電磁閥與預(yù)抽真空管道固定連接,所述預(yù)抽真空管道下底端與抽真空裝置焊接固定,且所述預(yù)抽真空管道下底端與抽真空裝置內(nèi)部連通,所述抽真空裝置內(nèi)部下底面一側(cè)端設(shè)置有高真空抽氣管道,所述高真空抽氣管道外頂端位置處設(shè)置有真空泵,所述真空泵與高真空抽氣管道焊接固定,所述高真空抽氣管道上頂端焊接固定有緩沖管道,所述緩沖管道上頂端位置處設(shè)置有高真空閥,且所述高真空閥與預(yù)抽真空管道固定連通,所述高真空閥內(nèi)部一側(cè)固定連接有水冷循環(huán)管,所述高真空閥與緩沖管道焊接固定,所述高真空閥另一側(cè)頂端連通有排氣管道,所述排氣管道與高真空閥固定連接,所述排氣管道中心位置處設(shè)置有排氣閥,所述排氣閥與排氣管道外壁固定連接。
優(yōu)選的,所述裝置外殼上部兩側(cè)壁中心位置處設(shè)置有電源箱,所述電源箱與裝置外殼固定連接。
優(yōu)選的,所述電熱管呈弧形,所述靶材通過高電流線路與電源箱電性連接。
優(yōu)選的,所述基材固定板內(nèi)表面外端邊緣位置處設(shè)置有彈簧板夾,所述彈簧板夾與基材固定板螺釘連接,且所述彈簧板夾共有四組。
優(yōu)選的,所述滑塊套接與滑動導(dǎo)軌外表面,所述滑塊共有四組,且所述基材固定板通過滑塊與滑動導(dǎo)軌滑動連接。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理
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