[實用新型]一種物理氣相沉積設備

有效

• 申請號: 201821238930.0
• 申請日: 2018-08-02
• 公開（公告）號: CN208604196U
• 公開（公告）日: 2019-03-15
• 發明（設計）人: 陳金海;劉濤;金勇超;梁文勇
• 申請（專利權）人: 科匯納米技術（常州）有限公司
• 主分類號: C23C14/22
• 分類號: C23C14/22;C23C14/50;C23C14/54
• 代理公司: 南京禾易知識產權代理有限公司 32320
• 代理人: 王彩君

本實用新型公開了一種物理氣相沉積設備，包括氣相沉積箱和蒸鍍器，氣相沉積箱上部的兩側對應豎直安裝有兩組驅動電機，兩組驅動電機的輸出軸末端對應連接兩根絲桿的頂端，兩根絲桿的外部對應通過兩根連接桿連接托架兩側的中部，本實用新型，利用驅動電機驅動絲桿轉動，絲桿轉動驅動連接桿上下移動，連接桿上下移動帶動托架上下移動，便于基片的放置以及基片位置的調整，利于提高氣相沉積作業的效率；利用轉動電機驅動連接筒轉動，連接筒轉動驅動出氣口轉動使基片底面均勻的蒸鍍，提高鍍膜的質量；利用氣缸工作驅動弧形板轉動導向蒸發物氣體集中向一小區域流動，便于小范圍和小區域的基片鍍膜工作，提高裝置整體的適應性。

技術領域

本實用新型涉及鍍膜裝置相關技術領域，具體為一種物理氣相沉積設備。

背景技術

物理氣相沉積技術表示在真空條件下，采用物理方法，將材料源--固體或液體表面氣化成氣態原子、分子或部分電離成離子，并通過低壓氣體或等離子體過程，在基體表面沉積具有某種特殊功能的薄膜的技術。物理氣相沉積的主要方法有，真空蒸鍍、濺射鍍膜、電弧等離子體鍍、離子鍍膜，及分子束外延等。發展到目前，物理氣相沉積技術不僅可沉積金屬膜、合金膜、還可以沉積化合物、陶瓷、半導體、聚合物膜等。現有物理氣相沉積設備托架位置固定，基片不易安放且位置調整不易，鍍膜的蒸發物沉積不均，鍍膜質量不佳且一般的物理氣相沉積設備往往只能進行大范圍的蒸鍍作業而對小范圍的基片蒸鍍效果不佳，為此本實用新型提出一種物理氣相沉積設備用于解決上述問題。

實用新型內容

本實用新型的目的在于提供一種物理氣相沉積設備，以解決上述背景技術中提出的問題。

為實現上述目的，本實用新型提供如下技術方案：一種物理氣相沉積設備，包括氣相沉積箱和蒸鍍器，所述氣相沉積箱上部的兩側對應豎直安裝有兩組驅動電機，兩組所述驅動電機的輸出軸末端對應連接兩根絲桿的頂端，兩根所述絲桿的外部對應通過兩根連接桿連接托架兩側的中部，所述氣相沉積箱外部一側的下部安裝有真空泵，所述氣相沉積箱的底部水平安裝有導軌，所述導軌的上部安裝移動小車，所述移動小車的上部豎直安裝有蒸鍍器，所述氣相沉積箱頂部開口的上部滑動安裝有活動門，所述蒸鍍器包括密封箱、蒸發物、加熱電阻絲、導筒、連接筒、出氣口和導流板，所述密封箱底板的中部放置有蒸發物，所述密封箱兩側開設的凹槽內對應安裝有加熱電阻絲，所述密封箱頂部開口的上部焊接有導筒，所述導筒的上部連接有連接筒，所述連接筒的頂端水平焊接有出氣口，所述出氣口的上部水平安裝有導流板。

優選的，所述蒸鍍器還包括轉動電機，所述轉動電機的輸出軸末端安裝有齒輪嚙合連接筒外側開設的齒槽。

優選的，所述連接筒下部的外表面安裝有密封圈且密封圈外緣與導筒內側接觸，所述導筒內部的兩側對應安裝有兩組電阻絲。

優選的，所述導流板包括弧形板、氣缸和支桿，兩片所述弧形板的中部對應通過兩根支桿轉動連接出氣口的兩側，兩片所述弧形板的底部對應轉動連接兩組氣缸的活塞桿末端，兩組所述氣缸的底端對應通過兩片固定片連接出氣口底部兩側。

優選的，所述真空泵頂部的接口連接輸氣管的一端，所述輸氣管的另一端連通氣相沉積箱的內部。

優選的，兩根所述連接桿的底端焊接固定于托架的兩側，兩根所述連接桿的頂端通過焊接的絲桿螺母螺紋對應連接兩根絲桿。

優選的，兩根所述絲桿底端對應轉動連接氣相沉積箱的側壁，所述氣相沉積箱頂部的開口上部安裝有密封圈。

與現有技術相比，本實用新型的有益效果是：

1.利用驅動電機驅動絲桿轉動，絲桿轉動驅動連接桿上下移動，連接桿上下移動帶動托架上下移動，便于基片的放置以及基片位置的調整，利于提高氣相沉積作業的效率；

2.利用轉動電機驅動連接筒轉動，連接筒轉動驅動出氣口轉動使基片底面均勻的蒸鍍，提高鍍膜的質量；