[實用新型]一種遮擋結構和蒸發臺

有效

• 申請號: 201821211390.7
• 申請日: 2018-07-27
• 公開（公告）號: CN208517519U
• 公開（公告）日: 2019-02-19
• 發明（設計）人: 程國慶;耿智薔
• 申請（專利權）人: 吉林華微電子股份有限公司
• 主分類號: C23C14/24
• 分類號: C23C14/24
• 代理公司: 北京超凡志成知識產權代理事務所(普通合伙) 11371
• 代理人: 葛松生

一種遮擋結構和蒸發臺，屬于半導體生產領域。遮擋結構包括鄰近蒸發舟布置的第一擋圈。蒸發舟位于第一擋圈限定的區域內。柱形結構的第一擋圈包括相互連接的第一柱體部和第二柱體部。第一柱體部由具有第一缺口且中空的圓柱體形構成。第二柱體由具有第二缺口且中空的四棱柱體構成，第一柱體部和第二柱體部通過第一缺口和第二缺口的對接而拼合為一體。遮擋結構用于提高蒸發臺蒸鋁均勻性提高蒸鍍元件的蒸鍍品質。此外，通過設置的第二擋圈可以保護軌道不被蒸鍍。同時，第二擋圈的有角度的傾斜構造可以保障整個蒸發過程都可以被百分百的蒸鍍。

技術領域

本實用新型涉及半導體元器件生產領域，具體而言，涉及一種遮擋結構和蒸發臺。

背景技術

隨著半導體領域的飛速發展，半導體元器件越來越精密，半導體器件生產中對正面蒸鋁工藝要求也越來越高，MARK-50蒸發臺蒸鋁層厚度片內存在很大差異(0.3～0.4μm)，已經不能滿足現有工藝要求。

公開于該背景技術部分的信息僅僅旨在加深對本實用新型的總體背景技術的理解，而不應當被視為承認或以任何形式暗示該信息構成已為本領域技術人員所公知的現有技術。

實用新型內容

基于現有技術的不足，本實用新型提供了一種遮擋結構和蒸發臺，以部分或全部地改善、甚至解決現有技術中的問題。

本實用新型是這樣實現的：

在本實用新型的第一方面，提供了一種用于提高具有蒸發舟的蒸發臺蒸鋁均勻性的遮擋結構。

遮擋結構包括：

第一擋圈，第一擋圈鄰近蒸發舟布置，蒸發舟位于第一擋圈限定的區域內。第一擋圈為柱形結構，第一擋圈包括相互連接的第一柱體部和第二柱體部；

第一柱體部由具有第一缺口且中空的圓柱體形構成，第二柱體由具有第二缺口且中空的四棱柱體構成，第一柱體部和第二柱體部通過第一缺口和第二缺口的對接而拼合為一體。

在其他的一個或多個示例中，第一缺口沿圓柱體的軸向延伸至全部高度。

在其他的一個或多個示例中，第二缺口由四棱柱體的四個側壁中的任意一個被全部去除而形成。

在其他的一個或多個示例中，在軸向，圓柱體由第一端面至第二端面延伸而成；第一端面為平面狀，第二端面為階梯狀。

在其他的一個或多個示例中，第二端面具有兩個臺階，且由第一次端面、第二次端面、第三次端面構成，第一次端面、第二次端面、第三次端面與第一端面之間的距離依次遞減。

在其他的一個或多個示例中，第三次端面至第一端面之間的距離為18cm，第一次端面至第一端面之間的距離為30cm，第一次端面至第二次端面之間的距離為5cm，圓柱體的內壁直徑為152cm、壁厚為1.5cm。

在其他的一個或多個示例中，四棱柱體與圓柱體同向延伸，且是由第三端面至第四端面延伸而成，第四端面為平面狀且鄰近第三次端面，第三端面為傾斜的平面，第三端面具有鄰近第一端面的相鄰部分，第三端面具有遠離第一端面的相離部分，相鄰部分到第四端面的距離大于相離部分到第四端面的距離。

在其他的一個或多個示例中，第三端面的傾斜角度為65℃。

在其他的一個或多個示例中，相鄰部分到第四端面的距離為30cm，四棱柱體在圓柱體的徑向的延伸長度為20cm。

在本實用新型的第二方面，提供了一種蒸發臺。

蒸發臺包括遮擋結構。

有益效果：

本實用新型實施例提供的遮擋結構能夠在確保蒸發臺中的其他設備不受干擾的情況盡量地避免對蒸鍍物的干擾，從而使蒸鍍物的蒸發、揮發角度增大，從而能夠更好地實現蒸鍍。