[實用新型]半導體裝置有效
| 申請號: | 201821206107.1 | 申請日: | 2018-07-27 |
| 公開(公告)號: | CN208767302U | 公開(公告)日: | 2019-04-19 |
| 發明(設計)人: | 河崎一茂 | 申請(專利權)人: | 東芝存儲器株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/1157 | 分類號: | H01L27/1157 |
| 代理公司: | 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287 | 代理人: | 楊林勳 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體芯片 基礎部件 積層體 半導體裝置 本實用新型 交替積層 最下層 排列配置 低成本 | ||
1.一種半導體裝置,具備:
基礎部件;
第1積層體,包含交替積層在與所述基礎部件的表面交叉的第1方向的第1半導體芯片與第2半導體芯片;及
第2積層體,在沿所述基礎部件的所述表面的第2方向與所述第1積層體排列配置,且包含交替積層在所述第1方向的其他第1半導體芯片與其他第2半導體芯片;且
所述第1積層體包含與所述基礎部件連接的最下層的第1半導體芯片,
所述第2積層體包含與所述基礎部件連接的最下層的第2半導體芯片。
2.根據權利要求1所述的半導體裝置,其中所述第1半導體芯片及所述第2半導體芯片分別具有半導體基板、及設置在所述半導體基板上的功能層,
所述第1積層體及所述第2積層體包含:第1接合部,使所述第1半導體芯片的功能層與所述第2半導體芯片的功能層對向接合;及第2接合部,使所述第1半導體芯片的半導體基板與所述第2半導體芯片的半導體基板對向接合。
3.根據權利要求2所述的半導體裝置,其中所述第1半導體芯片及所述第2半導體芯片分別具有:接合焊墊,設置在所述功能層上;及連接焊墊,設置在所述半導體基板的與所述功能層為相反側的背面側;且
所述第1接合部包含將所述第1半導體芯片的接合焊墊與所述第2半導體芯片的接合焊墊直接連接的部分,
所述第2接合部包含將所述第1半導體芯片的連接焊墊與所述第2半導體芯片的連接焊墊經由連接部件連接的部分。
4.根據權利要求1至3中任一項所述的半導體裝置,其進而具備與所述第1積層體及所述第2積層體電性連接的第3半導體芯片,
所述第3半導體芯片具有指令端子與數據端子,
所述第1積層體及所述第2積層體分別具有與所述指令端子連接的第1端子、及與所述數據端子連接的第2端子,
所述第1積層體的第1端子與所述第2積層體的第1端子在所述第2方向上排列配置,
所述第1積層體的第2端子與所述第2積層體的第2端子在所述第2方向上排列配置。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





