[實用新型]半導體設備有效
| 申請號: | 201821184808.X | 申請日: | 2018-07-25 |
| 公開(公告)號: | CN208478303U | 公開(公告)日: | 2019-02-05 |
| 發明(設計)人: | 武學偉;董博宇;郭冰亮;李麗;徐寶崗;劉玉杰;武樹波;楊依龍 | 申請(專利權)人: | 北京北方華創微電子裝備有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京思創畢升專利事務所 11218 | 代理人: | 孫向民;廉莉莉 |
| 地址: | 100176 北京市大*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 真空泵 腔室 半導體設備 柔性密封管 真空泵支架 震動 本實用新型 單獨支撐 減小 傳遞 支撐 出口 | ||
本實用新型公開了一種半導體設備,包括腔室和真空泵,還包括柔性密封管和真空泵支架,其中,所述柔性密封管連接在所述腔室的出口和所述真空泵的入口之間,以減小所述真空泵傳遞給所述腔室的震動;所述真空泵支架用于支撐所述真空泵。本實用新型將腔室與真空泵之間通過柔性密封管進行連接,并通過真空泵支架單獨支撐真空泵,使得真空泵產生的震動和力不會傳到腔室,避免了由于真空泵本身的震動引起的腔室震動,增加了半導體設備的穩定性。
技術領域
本實用新型涉及半導體集成電路制造領域,具體地,涉及一種半導體設備。
背景技術
物理氣象沉積(Physical Vapor Deposition,PVD)的半導體設備對腔室的真空度有很高的要求,一般需要在1e-6以下的真空度中進行工藝。這樣的真空度要求需要腔室用普通干泵粗抽腔室后,用高真空泵維持腔室的高真空狀態。
高真空泵包括分子泵、冷凝泵等,通過KF、CF、ISO等真空法蘭與腔室連接起來。
圖1為相關技術中腔室與真空泵的連接示意圖。如圖1所示,真空泵18通過閥門19與腔室12實現連接,閥門19的作用是可以調整真空泵18與腔室12之間開口的打開、關閉或者是開口大小。
一般的PVD工藝設備工作流程為:機械手通過隔離閥11將基片13放在頂針15上,頂針15下降使得基片13落在基座14上,基片13在基座14上進行物理氣象沉積工藝,工藝結束后頂針15從基座14上頂起基片,機械手從隔離閥11深入到基片13與基座14中間的空隙中取走基片13,完成整個工藝過程。
在圖1中,真空泵18、閥門16以及腔室12之間通過法蘭19進行剛性連接,整個系統只對腔室12進行支撐而真空泵18的重量通過腔室12傳遞給腔室支架17。當真空泵18的泵體20內的運動部件在不斷的運動時,例如分子泵內渦輪的轉動、冷凝泵內有活塞的往復運動,這些有一定頻率的運動使得泵體20會有震動。而泵體20與腔室12之間通過剛性法蘭連接,泵體20的震動會直接傳遞給整個腔室系統,這樣就導致整個腔室系統都有震動。
在基片13傳輸的過程中,在基片13被頂針15頂起時及基片13放在基座14表面時,會因機臺的震動而使得基片13相對基座14的位置發生偏移;特別是基片13被頂針15頂起的時候,基片14與頂針15靠幾個點接觸,摩擦力很小,導致由于震動引起的基片13偏移不可控制。而當基片13發生不可控制的偏移,會導致機械手自動傳片時基片13不能落在機械手的正確位置上,甚至會導致基片13從頂針15上滑落。因此,有必要提出一種能夠減少腔室震動的半導體設備。
公開于本實用新型背景技術部分的信息僅僅旨在加深對本實用新型的一般背景技術的理解,而不應當被視為承認或以任何形式暗示該信息構成已為本領域技術人員所公知的現有技術。
實用新型內容
為了解決由于泵體的震動傳遞給腔室造成的晶片在腔室中發生不可預測的位置偏移的問題以及由于震動引起的半導體設備不穩定問題,本實用新型提出了一種能夠減少腔室震動的半導體設備。
根據本實用新型的半導體設備包括腔室和真空泵,還包括柔性密封管和真空泵支架,其中,
所述柔性密封管連接在所述腔室的出口和所述真空泵的入口之間,以減小所述真空泵傳遞給所述腔室的震動;
所述真空泵支架用于支撐所述真空泵。
優選地,所述真空泵支架包括底座、設置在所述底座上的第一卡具組和第二卡具組;
所述第一卡具組用于在豎直方向上對所述真空泵限位,所述第二卡具組用于在水平方向上對所述真空泵限位。
優選地,所述柔性密封管為波紋管。
優選地,所述半導體設備還包括閥門和法蘭,其中,
所述法蘭連接在所述真空泵的入口一側,所述閥門的出口與所述法蘭連接;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





