[實(shí)用新型]一種屏蔽槽柵功率MOSFET器件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201821141262.X
• 申請(qǐng)日: 2018-07-18
• 公開（公告）號(hào): CN208507682U
• 公開（公告）日: 2019-02-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳利;陳譯;陳劍;姜帆;張軍亮
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 廈門芯一代集成電路有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/78
• 分類號(hào): H01L29/78;H01L23/367
• 代理公司: 北京科家知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11427
• 代理人: 陳娟

本實(shí)用新型公開了一種屏蔽槽柵功率MOSFET器件，包括外殼，還包括散熱機(jī)構(gòu)，所述散熱機(jī)構(gòu)為散熱片，所述散熱片固定于所述外殼的底部，所述散熱片的表面開設(shè)有連接孔，且連接孔貫通所述散熱片，所述外殼的底部開設(shè)有和所述連接孔對(duì)應(yīng)的外殼接孔；本實(shí)用新型的有益效果是：本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)科學(xué)合理，使用安全方便，通過在外殼的底部固定散熱片，并通過散熱片的表面開設(shè)的連接孔和外殼的底部開設(shè)的外殼接孔將散熱片固定穩(wěn)固，當(dāng)MOSFET器件焊接在電路板上時(shí)，散熱片和電路板接觸，使MOSFET器件以及電路板發(fā)出的熱量更有效地傳導(dǎo)到散熱片上，再經(jīng)散熱片散發(fā)到周圍空氣中去，延長(zhǎng)電路板以及MOSFET器件的使用壽命。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型屬于MOSFET器件技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種屏蔽槽柵功率MOSFET器件。

背景技術(shù)

金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同，可分為“N型”與“P型”的兩種類型。

然而現(xiàn)有的屏蔽槽柵功率MOSFET器件在使用時(shí)仍然存在著一些不合理的因素，現(xiàn)有的屏蔽槽柵功率MOSFET器件焊接在電路板上時(shí)，由于外殼直接和電路板焊接，由于屏蔽槽柵功率MOSFET器件和電路板緊密接觸，散熱效率低下，容易造成電路板的損壞。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型的目的在于提供一種屏蔽槽柵功率MOSFET器件，以解決上述背景技術(shù)中提出的現(xiàn)有的屏蔽槽柵功率MOSFET器件在使用時(shí)仍然存在著一些不合理的因素，現(xiàn)有的屏蔽槽柵功率MOSFET器件焊接在電路板上時(shí)，由于外殼直接和電路板焊接，由于屏蔽槽柵功率MOSFET器件和電路板緊密接觸，散熱效率低下，容易造成電路板的損壞問題。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供如下技術(shù)方案：一種屏蔽槽柵功率MOSFET器件，包括外殼，還包括散熱機(jī)構(gòu)，所述散熱機(jī)構(gòu)為散熱片，所述散熱片固定于所述外殼的底部，所述散熱片的表面開設(shè)有連接孔，且連接孔貫通所述散熱片，所述外殼的底部開設(shè)有和所述連接孔對(duì)應(yīng)的外殼接孔。

優(yōu)選的，所述外殼的側(cè)表面對(duì)立設(shè)置有若干個(gè)引腳，且上述引腳貫通所述外殼的側(cè)表面，并與所述外殼的內(nèi)部焊接。

優(yōu)選的，所述散熱片的長(zhǎng)度大于所述外殼的長(zhǎng)度3-5mm。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的有益效果是：本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)科學(xué)合理，使用安全方便，通過在外殼的底部固定散熱片，并通過散熱片的表面開設(shè)的連接孔和外殼的底部開設(shè)的外殼接孔將散熱片固定穩(wěn)固，當(dāng)MOSFET器件焊接在電路板上時(shí)，散熱片和電路板接觸，使MOSFET器件以及電路板發(fā)出的熱量更有效地傳導(dǎo)到散熱片上，再經(jīng)散熱片散發(fā)到周圍空氣中去，延長(zhǎng)電路板以及MOSFET器件的使用壽命。

附圖說明

圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本實(shí)用新型的散熱片側(cè)視結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本實(shí)用新型的散熱片剖視結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本實(shí)用新型的外殼仰視結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5位平面N溝道增強(qiáng)型MOSFET的剖面圖；

圖6為屏蔽槽柵功率MOSFET器件提供負(fù)壓的互補(bǔ)電路圖；

圖中：1、外殼；2、引腳；3、散熱片；4、連接孔；5、外殼接孔。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。

實(shí)施例1