[實用新型]一種屏蔽槽柵功率MOSFET器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201821141262.X
• 申請日: 2018-07-18
• 公開（公告）號: CN208507682U
• 公開（公告）日: 2019-02-15
• 發(fā)明（設計）人: 陳利;陳譯;陳劍;姜帆;張軍亮
• 申請（專利權(quán)）人: 廈門芯一代集成電路有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L23/367
• 代理公司: 北京科家知識產(chǎn)權(quán)代理事務所(普通合伙) 11427
• 代理人: 陳娟

1.一種屏蔽槽柵功率MOSFET器件，包括外殼(1)，其特征在于：還包括散熱機構(gòu)，所述散熱機構(gòu)為散熱片(3)，所述散熱片(3)固定于所述外殼(1)的底部，所述散熱片(3)的表面開設有連接孔(4)，且連接孔(4)貫通所述散熱片(3)，所述外殼(1)的底部開設有和所述連接孔(4)對應的外殼接孔(5)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種屏蔽槽柵功率MOSFET器件，其特征在于：所述外殼(1)的側(cè)表面對立設置有若干個引腳(2)，且上述引腳(2)貫通所述外殼(1)的側(cè)表面，并與所述外殼(1)的內(nèi)部焊接。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種屏蔽槽柵功率MOSFET器件，其特征在于：所述散熱片(3)的長度大于所述外殼(1)的長度3-5mm。