[實用新型]噴淋頭結構

有效

• 申請號: 201821106783.1
• 申請日: 2018-07-12
• 公開（公告）號: CN208637384U
• 公開（公告）日: 2019-03-22
• 發明（設計）人: 林博文
• 申請（專利權）人: 凱樂士股份有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 北京申翔知識產權代理有限公司 11214
• 代理人: 黃超;周春發

本實用新型揭露一種適用于晶圓表面處理的噴淋頭結構，所述噴淋頭結構包含：一座體，該座體的一面設有一進氣口，且該座體設有連通該進氣口一槽區；以及多孔質陶瓷盤，設置于該座體一面并覆蓋該槽區，且該多孔質陶瓷盤具有復數個連通該槽區的連通孔隙；其中，該多孔質陶瓷盤的孔隙率為10%至50%，各該連通孔隙的直徑為500μm以下。本實用新型能夠降低傳統使用金屬材質噴淋頭的制造成本，并能夠減少雜質產生，且增長噴淋頭使用壽命，進而改善制程作業穩定性。

技術領域

本實用新型是有關于一種噴淋頭，特別是有關于一種用于晶圓表面處理的設備的噴淋頭結構。

背景技術

噴淋頭通常用于半導體制程設備中，可對晶圓的表面分布制程氣體，進而執行沉積、蝕刻或其他制程作業。

如圖1所示，一般的噴淋頭結構包含有座體1及花盤2，花盤2設置于座體1的一面，且花盤2具有復數個獨立孔洞201。當制程氣體經由座體1的進氣口101進氣時，可透過花盤2的復數個獨立孔洞201噴出，進而得以對晶圓的表面進行沉積或蝕刻等處理作業。

然而，習知的花盤2為金屬材料所制，而每一個獨立孔洞201則是在花盤2制作完成之后再透過鉆頭進行鉆孔的方式逐一鉆孔加工形成，如此一來，不但鉆頭的損耗大，造成制造成本增加之外，鉆孔的作業也相當地費時費力。而且，金屬材質的噴淋頭因不耐制程氣體的腐蝕與沖蝕，會產生金屬微粒子雜質(particle)，污染晶圓表面。又，花盤孔洞的孔徑受制程氣體的沖蝕逐漸擴大將造成制程作業的不穩定性。

實用新型內容

有鑒于上述習知技藝的問題，本實用新型所解決的技術問題即在提供一種可降低傳統的金屬材質噴淋頭的制造成本，減少雜質(particle)產生，并增長噴淋頭使用壽命進而改善制程作業穩定性的多孔質(Porous)陶瓷盤的噴淋頭結構。

本實用新型所采用的技術手段如下所述。

根據本實用新型的目的，提出一種噴淋頭結構，適用于晶圓表面處理，所述噴淋頭結構包含：一座體，該座體的一面設有一進氣口，且座體設有連通進氣口的一槽區；以及一多孔質陶瓷盤，設置于座體的另一面并覆蓋槽區，且多孔質陶瓷盤具有復數個連通槽區的連通孔隙，所述復數個連通孔隙為多孔質陶瓷盤于生產制程中經干壓成型與燒結作業所生成，其中，多孔質陶瓷盤的孔隙率為10%至50%，各連通孔隙的直徑為500μm以下。

依據上述技術特征，所述多孔質陶瓷盤的厚度為0.1mm至20mm。

依據上述技術特征，所述多孔質陶瓷盤由碳化硅所制。

依據上述技術特征，所述多孔質陶瓷盤選自由碳化硅、氧化鋁、氮化鋁及氮化硅所組成的群組中的至少其中之一所制，或其他陶瓷材料或各種陶瓷復合材料所制。

承上所述，本實用新型的噴淋頭結構所產生的技術效果：主要利用碳化硅或其他陶瓷材料制作出多孔質陶瓷盤，且多孔質陶瓷盤所具有的復數個連通孔隙，是在多孔質陶瓷盤于生產制程中經干壓成型與燒結作業即可控制生成，相較于習知技術的金屬花盤，可省去后續的鉆孔加工作業，不僅可降低制造成本及作業工時之外，不會被制程氣體因沖蝕而產生小微粒雜質(particle)，并且孔徑不易受制程氣體的沖蝕擴大而造成制程作業的不穩定性，以更為符合晶圓表面處理的制程作業需求。

附圖說明

圖1為習知技術的噴淋頭結構的示意圖。

圖2為本實用新型的噴淋頭結構的第一示意圖。

圖3為本實用新型的噴淋頭結構的第二示意圖。

圖4為本實用新型的噴淋頭結構的第三示意圖。

圖5為本實用新型的噴淋頭結構的實施例的示意圖。

圖號說明：

1、10 座體