[實用新型]噴淋頭結構有效
| 申請號： | 201821106783.1 | 申請日： | 2018-07-12 |
| 公開（公告）號： | CN208637384U | 公開（公告）日： | 2019-03-22 |
| 發明（設計）人： | 林博文 | 申請（專利權）人： | 凱樂士股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/67 | 分類號： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京申翔知識產權代理有限公司 11214 | 代理人： | 黃超;周春發 |
| 地址： | 中國臺灣桃園*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 座體 多孔質陶瓷 噴淋頭結構 槽區 進氣口 本實用新型 連通孔隙 噴淋頭 連通 作業穩定性 傳統使用 金屬材質 晶圓表面 使用壽命 制造成本 孔隙率 復數 制程 覆蓋 | ||
【權利要求書】：
1.一種噴淋頭結構，適用于晶圓表面處理，其特征在于，該噴淋頭結構包含：
一座體(10)，該座體(10)的一面設有一進氣口(11)，且該座體(10)設有連通該進氣口(11)的一槽區(12)；以及
一多孔質陶瓷盤(20)，設置于該座體(10)的另一面并覆蓋該槽區(12)，且該多孔質陶瓷盤(20)具有復數個連通該槽區(12)的連通孔隙(21)；
其中，該多孔質陶瓷盤(20)的孔隙率為10%至50%，各該連通孔隙(21)的直徑為500μm以下。
2.如權利要求1所述的噴淋頭結構，其特征在于，該多孔質陶瓷盤(20)的厚度為0.1mm至20mm。
3.如權利要求1所述的噴淋頭結構，其特征在于，該多孔質陶瓷盤(20)由碳化硅所制。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
