[實用新型]一種低容結構的低殘壓ESD浪涌防護器件

有效

• 申請號: 201821100065.3
• 申請日: 2018-07-12
• 公開（公告）號: CN208385408U
• 公開（公告）日: 2019-01-15
• 發明（設計）人: 張猛;梁令榮
• 申請（專利權）人: 伯恩半導體（深圳）有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H02H9/04
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本實用新型公開了一種低容結構的低殘壓ESD浪涌防護器件，包括通過電連接關系連接的降容管D1、TVS管D4、肖特基管D2、NPN管T1和正向降容管D3；其中降容管D3提供正向電流通路；D1與T1構成PNPN結構，為主放電通道；TVS管D4提供開啟電壓。本實用新型設計合理，實現的單向大驟回SCR結構的保護器件，通過雙溝槽工藝，實現了極低電容的SCR結構保護器件，能夠滿足當前低殘壓保護需求，且該器件具有低電容、低鉗位和大浪涌通流能力等特點。

技術領域

本實用新型屬于半導體元器件裝置，更具體地說，涉及一種低容結構的低殘壓ESD浪涌防護器件。

背景技術

由于工藝限制，縱向低殘壓器件受Zener+R2R結構限制，殘壓一直難以降低。隨著信號口保護受續流問題的影響變弱，SCR結構成為降低器件殘壓的最有效方式，然而為了實現單向SCR結構的器件，多種工藝被用于制作SCR結構的保護器件，各有優點，由于使用了多層結構，在器件正向實現上工藝變得非常復雜。平面結構相對而言要簡單很多，但是為了取得需要動作的擊穿電壓，不得不采用比較低摻雜濃度降低擊穿電壓，這樣導致電容難以做到很低。

實用新型內容

針對現有技術存在的不足，本實用新型的目的在于提供了一種低容結構的低殘壓ESD浪涌防護器件，設計合理，實現的單向大驟回SCR結構的保護器件，通過雙溝槽工藝，實現了極低電容的SCR結構保護器件，能夠滿足當前低殘壓保護需求，且該器件具有低電容、低鉗位和大浪涌通流能力等特點。

為實現上述目的，本實用新型提供了如下技術方案：

一種低容結構的低殘壓ESD浪涌防護器件，其特征在于：包括通過電連接關系連接的降容管D1、TVS管D4、肖特基管D2、NPN管T1和正向降容管D3；其中降容管D3提供正向電流通路；D1與T1構成PNPN結構，為主放電通道；TVS管D4提供開啟電壓。

作為一種優化的技術方案，所述TVS管自下而上依次由N型襯底、N+擴區和P+擴區構成，其中TVS管的陰極為N+擴區，N+擴區位于中央位置；P+擴區用于制作TVS管的陽極。

作為一種優化的技術方案，所述主放電通道自下而上依次由兩個襯底N+Deep區、N-Epi區、P+基區和N+發射區構成；兩個襯底N+Deep區設置在N-Epi區的兩側；P+基區的位置在N+發射區的上方，并在圍繞TVS管的陽極中心位置等距離的地方留出能讓門極觸發時陰極短路孔上具有相同電位的陰極短路孔。

由于采用了上述技術方案，與現有技術相比，本實用新型設計合理，實現的單向大驟回SCR結構的保護器件，通過雙溝槽工藝，實現了極低電容的SCR結構保護器件，能夠滿足當前低殘壓保護需求，且該器件具有低電容、低鉗位和大浪涌通流能力等特點。

參照附圖和實施例對本實用新型做進一步說明。

附圖說明

圖1是本實用新型一種實施例的電路原理圖；

圖2為本實用新型一種實施例制備完成后的整體結構示意圖。

具體實施方式

實施例

如圖1所示，一種低容結構的低殘壓ESD浪涌防護器件，包括通過電連接關系連接的降容管D1、TVS管D4、肖特基管D2、NPN管T1和正向降容管D3；其中降容管D3提供正向電流通路；D1與T1構成PNPN結構，為主放電通道；TVS管D4提供開啟電壓。

所述TVS管自下而上依次由N型襯底、N+擴區和P+擴區構成，其中TVS管的陰極為N+擴區，N+擴區位于中央位置；P+擴區用于制作TVS管的陽極。