[實用新型]一種低容結構的低殘壓ESD浪涌防護器件有效

申請號：	201821100065.3	申請日：	2018-07-12
公開（公告）號：	CN208385408U	公開（公告）日：	2019-01-15
發明（設計）人：	張猛;梁令榮	申請（專利權）人：	伯恩半導體（深圳）有限公司
主分類號：	H01L27/02	分類號：	H01L27/02;H02H9/04
代理公司：	暫無信息	代理人：	暫無信息
地址：	518000 廣東***	國省代碼：	廣東;44
權利要求書：	查看更多	說明書：	查看更多
摘要：
搜索關鍵詞：	殘壓容管本實用新型保護器件防護器件低電容低容電連接關系放電通道開啟電壓通流能力正向電流雙溝槽肖特基大浪鉗位正向
鉆瓜網技術展會專利詞庫專利權人專利榜在售專利公布日期熱門專利

【權利要求書】：

1.一種低容結構的低殘壓ESD浪涌防護器件，其特征在于：包括通過電連接關系連接的降容管D1、TVS管D4、肖特基管D2、NPN管T1和正向降容管D3；

其中降容管D3提供正向電流通路；D1與T1構成PNPN結構，為主放電通道；TVS管D4提供開啟電壓。

2.根據權利要求1所述的一種低容結構的低殘壓ESD浪涌防護器件，其特征在于：所述TVS管自下而上依次由N型襯底、N+擴區和P+擴區構成，其中TVS管的陰極為N+擴區，N+擴區位于中央位置；P+擴區用于制作TVS管的陽極。

3.根據權利要求2所述的一種低容結構的低殘壓ESD浪涌防護器件，其特征在于：所述主放電通道自下而上依次由兩個襯底N+Deep區、N-Epi區、P+基區和N+發射區構成；兩個襯底N+Deep區設置在N-Epi區的兩側；P+基區的位置在N+發射區的上方，并在圍繞TVS管的陽極中心位置等距離的地方留出能讓門極觸發時陰極短路孔上具有相同電位的陰極短路孔。

下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。

免登錄下載普通用戶下載升級VIP會員，免費下載

該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于伯恩半導體（深圳）有限公司，未經伯恩半導體（深圳）有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】

本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201821100065.3/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。