[實用新型]一種低容結(jié)構(gòu)的低殘壓ESD浪涌防護(hù)器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201821100065.3
• 申請日: 2018-07-12
• 公開（公告）號: CN208385408U
• 公開（公告）日: 2019-01-15
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張猛;梁令榮
• 申請（專利權(quán)）人: 伯恩半導(dǎo)體（深圳）有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H02H9/04
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種低容結(jié)構(gòu)的低殘壓ESD浪涌防護(hù)器件，其特征在于：包括通過電連接關(guān)系連接的降容管D1、TVS管D4、肖特基管D2、NPN管T1和正向降容管D3；

其中降容管D3提供正向電流通路；D1與T1構(gòu)成PNPN結(jié)構(gòu)，為主放電通道；TVS管D4提供開啟電壓。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低容結(jié)構(gòu)的低殘壓ESD浪涌防護(hù)器件，其特征在于：所述TVS管自下而上依次由N型襯底、N+擴(kuò)區(qū)和P+擴(kuò)區(qū)構(gòu)成，其中TVS管的陰極為N+擴(kuò)區(qū)，N+擴(kuò)區(qū)位于中央位置；P+擴(kuò)區(qū)用于制作TVS管的陽極。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種低容結(jié)構(gòu)的低殘壓ESD浪涌防護(hù)器件，其特征在于：所述主放電通道自下而上依次由兩個襯底N+Deep區(qū)、N-Epi區(qū)、P+基區(qū)和N+發(fā)射區(qū)構(gòu)成；兩個襯底N+Deep區(qū)設(shè)置在N-Epi區(qū)的兩側(cè)；P+基區(qū)的位置在N+發(fā)射區(qū)的上方，并在圍繞TVS管的陽極中心位置等距離的地方留出能讓門極觸發(fā)時陰極短路孔上具有相同電位的陰極短路孔。