[實用新型]一種平滑溫度補償帶隙基準源電路有效
| 申請號: | 201821092691.2 | 申請日: | 2018-07-10 |
| 公開(公告)號: | CN208335046U | 公開(公告)日: | 2019-01-04 |
| 發明(設計)人: | 石躍;李頌;凌味未;陳功;姚堯;周澤坤 | 申請(專利權)人: | 成都信息工程大學 |
| 主分類號: | G05F1/567 | 分類號: | G05F1/567 |
| 代理公司: | 成都點睛專利代理事務所(普通合伙) 51232 | 代理人: | 葛啟函 |
| 地址: | 610225 四川省成都*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 帶隙基準源電路 高階補償 基準電壓 帶隙基準 核心模塊 溫度補償 偏置電壓 偏置模塊 啟動模塊 平滑 模擬集成電路 本實用新型 帶隙基準源 電路初始化 補償電流 溫度漂移 溫度特性 零狀態 高階 關斷 減小 脫離 | ||
一種平滑溫度補償帶隙基準源電路,屬于模擬集成電路技術領域。包括啟動模塊、偏置模塊、高階補償模塊和帶隙基準核心模塊,啟動模塊用于在電路初始化階段使帶隙基準源電路脫離零狀態,并在帶隙基準源電路正常工作后關斷;偏置模塊用于為高階補償模塊和帶隙基準核心模塊產生第一偏置電壓和第二偏置電壓;帶隙基準核心模塊用來產生基準電壓,高階補償模塊用于產生高階的補償電流來提高基準電壓的溫度特性。本實用新型提出的帶隙基準源在整個溫度范圍內實現了連續溫度補償,減小了基準電壓在整個溫度范圍的溫度漂移,實現了在整個溫度范圍的高階補償,從而使得基準電壓在很寬的溫度范圍內具有高精度。
技術領域
本實用新型屬于模擬集成電路技術領域,具體涉及一種平滑溫度補償帶隙基準源電路。
背景技術
電壓基準源是所有電子系統中非常重要的一個模塊,其特征直接關系到系統的安全可靠性和性能指標,因此高精度電壓基準源在眾多應用中扮演著重要的角色,其覆蓋純模擬電路、混合數字電路和純數字電路,譬如A/D轉換器、DRAMs、電源轉換和閃存等電路。
對于DC-DC變換器而言,電壓基準源的性能將直接關系到變換器輸出的精度和穩定性,因此對于高性能變換器的設計而言尤為重要。隨著對基準電壓精度要求越來越高,傳統的一階溫度補償基準源已不能滿足應用需求。
實用新型內容
針對上述傳統觀溫度補償基準源在精度和穩定性方面的不足之處,本實用新型提出一種平滑溫度補償帶隙基準源電路,采用平滑溫度補償策略,提出的高階補償模塊可以在整個溫度范圍內實現連續溫度補償,減小了輸出電壓在整個溫度范圍的溫度漂移,實現了在整個溫度范圍的高階補償,從而使得基準電壓在很寬的溫度范圍內具有高精度。
本實用新型的技術方案為:
一種平滑溫度補償帶隙基準源電路,包括啟動模塊和偏置模塊,所述啟動模塊用于在電路初始化階段使所述帶隙基準源電路脫離零狀態,并在所述帶隙基準源電路正常工作后關斷;所述偏置模塊用于產生第一偏置電壓V1和第二偏置電壓V2;所述帶隙基準源電路還包括高階補償模塊和帶隙基準核心模塊;
所述帶隙基準核心模塊包括第一電阻R1、第二電阻R2、第一電容C1、第二電容C2、第一NPN型三極管Q1、第二NPN型三極管Q2、第三NPN型三極管Q3、第一PNP型三極管QP1、第一NMOS管MN1、第二NMOS管MN2、第三NMOS管MN3、第四NMOS管MN4、第五NMOS管MN5、第六NMOS管MN6、第七NMOS管MN7、第一PMOS管MP1、第二PMOS管MP2、第三PMOS管MP3、第四PMOS管MP4、第五PMOS管MP5、第六PMOS管MP6、第七PMOS管MP7、第八PMOS管MP8、第九PMOS管MP9和第十PMOS管MP10,
第一PMOS管MP1的柵極連接第三PMOS管MP3、第五PMOS管MP5、第七PMOS管MP7和第九PMOS管MP9的柵極并連接所述第一偏置電壓V1,其漏極連接第二PMOS管MP2的源極,其源極連接第三PMOS管MP3、第五PMOS管MP5、第七PMOS管MP7和第九PMOS管MP9的源極并連接電源電壓VCC;
第二PMOS管MP2的柵極連接第四PMOS管MP4、第六PMOS管MP6、第八PMOS管MP8和第十PMOS管MP10的柵極并連接所述第二偏置電壓V2,其漏極連接第一NMOS管MN1的柵極和漏極以及第四NMOS管MN4和第六NMOS管MN6的柵極;
第四PMOS管MP4的源極連接第三PMOS管MP3的漏極,其漏極連接第三NMOS管MN3的柵極以及第二NMOS管MN2的柵極和漏極并通過第一電容C1后接地GND;
第三NMOS管MN3的源極連接第三NPN型三極管Q3的發射極、第一PNP型三極管QP1的集電極以及第一NMOS管MN1、第二NMOS管MN2、第五NMOS管MN5和第七NMOS管MN7的源極并接地GND,其漏極連接第一NPN型三極管Q1和第二NPN型三極管Q2的發射極;
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