[實用新型]低正向導通壓降的肖特基半導體器件有效

申請號：	201821082891.X	申請日：	2018-07-09
公開（公告）號：	CN209249466U	公開（公告）日：	2019-08-13
發明（設計）人：	黃彥智;陸佳順;楊潔雯	申請（專利權）人：	蘇州硅能半導體科技股份有限公司
主分類號：	H01L29/872	分類號：	H01L29/872;H01L29/06
代理公司：	蘇州創元專利商標事務所有限公司 32103	代理人：	馬明渡;王健
地址：	215126 江蘇省蘇州市工業園***	國省代碼：	江蘇;32
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摘要：
搜索關鍵詞：	正向導通壓降半導體器件單晶硅外延肖特基硅片本實用新型上金屬層下金屬層外延層二氧化硅氧化層單晶硅導電多晶硅硅片正面提升器件摻雜區輕摻雜上表面重摻雜包覆側壁襯底四壁嵌入開口通電
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【權利要求書】：

1.一種低正向導通壓降的肖特基半導體器件，該低正向導通壓降的肖特基半導體器件的有源區由若干個肖特基勢壘單胞（1）并聯構成；在截面上，每個肖特基勢壘單胞（1）包括硅片（2），位于所述硅片（2）背面的下金屬層（3），位于所述硅片（2）正面的上金屬層（4），所述硅片（2）下部與所述下金屬層（3）連接的N類型重摻雜的單晶硅襯底（5），所述硅片（2）上部與上金屬層（4）連接的N類型輕摻雜的單晶硅外延層（6），位于所述單晶硅外延層（6）上部并開口于所述單晶硅外延層（6）上表面的溝槽（7）；

其特征在于：所述溝槽（7）四壁均具有第一二氧化硅氧化層（8），一導電多晶硅體（9）嵌入所述溝槽（7）內，所述溝槽（7）的側壁且位于所述單晶硅外延層（6）內具有P型摻雜區（11）；所述溝槽（7）的底部包覆有位于所述單晶硅外延層（6）內的P型中摻雜區（12）。

2.根據權利要求1所述的低正向導通壓降的肖特基半導體器件，其特征在于：所述P型中摻雜區（12）和P型摻雜區（11）的摻雜濃度比為100：30~50。

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