[實用新型]一種增強背鈍化的PERC單面太陽能電池

有效

• 申請號: 201821078574.0
• 申請日: 2018-07-09
• 公開（公告）號: CN208622739U
• 公開（公告）日: 2019-03-19
• 發明（設計）人: 林綱正;方結彬;陳剛
• 申請（專利權）人: 浙江愛旭太陽能科技有限公司;廣東愛旭科技股份有限公司
• 主分類號: H01L31/0216
• 分類號: H01L31/0216;H01L31/0352;H01L31/068;H01L31/18
• 代理公司: 廣州知友專利商標代理有限公司 44104
• 代理人: 侯莉

本實用新型公開了一種增強背鈍化的PERC單面太陽能電池，包括從下至上依次設置的背銀電極、全鋁背場、背面鈍化膜、P型硅、N型發射極、正面氮化硅膜和正銀電極，在背面鈍化膜上開有貫通背面鈍化膜的開槽，全鋁背場通過開槽與所述P型硅相連，在所述P型硅的背面布設有開孔，所述背面鈍化膜部分位于所述開孔內，以增大背面鈍化膜的面積。本實用新型通過在硅片背面布設開孔，開孔內生長背面鈍化膜，增大背面鈍化膜的面積，提高鈍化效果，從而提升了電池的光電轉換效率；本實用新型制備工藝簡單，設備投入成本低，而且與現有生產線兼容性好，對現有生產線進行簡單改造后即可使用。另外，本實用新型的制作成本低，工藝簡單，適于廣泛推廣和適用。

技術領域

本實用新型涉及太陽能電池技術，尤其涉及一種增強背鈍化的PERC單面太陽能電池。

背景技術

晶硅太陽能電池是一種有效吸收太陽輻射能，利用光生伏打效應把光能轉換成電能的器件。當太陽光照射在半導體P-N結上時，會形成新的空穴-電子對，在 P-N結電場的作用下，空穴由N區流向P區，電子由P區流向N區，接通電路后就形成電流。

傳統的晶硅太陽能電池一般只采用正面鈍化技術，在硅片的正面使用PECVD 方式沉積一層氮化硅，降低少子在前表面的復合速率，可以大幅度提升晶硅太陽能電池的開路電壓和短路電流，從而提升晶硅太陽電池的光電轉換效率。

隨著當前對晶硅太陽能電池光電轉換效率的要求越來越高，人們開始研究 PERC背鈍化太陽電池技術。然而，如何利用PERC背鈍化太陽電池技術來提高 PERC太陽能電池的光電轉換效率是目前業界亟待解決的技術難題。

實用新型內容

本實用新型的目的在于提供一種能夠提升電池的光電轉換效率、成本低、工藝簡單、與現有生產線兼容性好的增強背鈍化的PERC單面太陽能電池。

本實用新型的目的通過如下的技術方案來實現：一種增強背鈍化的PERC單面太陽能電池，包括從下至上依次設置的背銀電極、全鋁背場、背面鈍化膜、P型硅、N型發射極、正面氮化硅膜和正銀電極，在所述背面鈍化膜上開有貫通背面鈍化膜的開槽，全鋁背場通過開槽與所述P型硅相連，其特征在于：在所述P型硅的背面布設有開孔，所述背面鈍化膜部分位于所述開孔內，以增大背面鈍化膜的面積。

本實用新型通過在硅片背面布設開孔，開孔內生長背面鈍化膜，增大背面鈍化膜的面積，提高鈍化效果，從而提升了電池的光電轉換效率；本實用新型制備工藝簡單，設備投入成本低，而且與現有生產線兼容性好，對現有生產線進行簡單改造后即可使用。另外，本實用新型的制作成本低，工藝簡單，適于廣泛推廣和適用。

本實用新型所述開孔為呈陣列分布的孔洞、或所述開孔為直線狀的長形孔、或所述開孔為短線狀的長形孔，短線狀長形孔排列成虛線形。所述開孔還可以是其它形狀，并排列成其它各種圖形。

本實用新型所述開孔的深度為5～50um。

本實用新型所述孔洞為圓形孔，其直徑為20～200um；所述直線狀長形孔的寬度為20～200um；所述短線狀長形孔的寬度為20～200um。

本實用新型所述背面鈍化膜包括背面氮化硅膜和氧化鋁膜，所述氧化鋁膜位于背面氮化硅膜的上表面上，所述背面氮化硅膜的厚度為50～500nm，所述氧化鋁膜的厚度為2～50nm。

本實用新型所述正面鈍化膜采用氮化硅膜。

與現有技術相比，本實用新型具有如下顯著的效果：

⑴本實用新型通過在硅片背面布設開孔，開孔內生長背面鈍化膜，增大背面鈍化膜的面積，提高鈍化效果，從而提升PERC太陽能電池的光電轉換效率。

⑵本實用新型制備工藝簡單，設備投入成本低，而且與現有生產線兼容性好，對現有生產線進行簡單改造后即可使用。

⑶本實用新型的制作成本低，工藝簡單，適于廣泛推廣和適用。