[實(shí)用新型]一種增強(qiáng)背鈍化的PERC單面太陽(yáng)能電池有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201821078574.0 | 申請(qǐng)日： | 2018-07-09 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN208622739U | 公開（公告）日： | 2019-03-19 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 林綱正;方結(jié)彬;陳剛 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 浙江愛旭太陽(yáng)能科技有限公司;廣東愛旭科技股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L31/0216 | 分類號(hào)： | H01L31/0216;H01L31/0352;H01L31/068;H01L31/18 |
| 代理公司： | 廣州知友專利商標(biāo)代理有限公司 44104 | 代理人： | 侯莉 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 國(guó)省代碼： | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說(shuō)明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 背面鈍化膜 本實(shí)用新型 開孔 太陽(yáng)能電池 布設(shè) 背場(chǎng) 鈍化 開槽 全鋁 光電轉(zhuǎn)換效率 設(shè)備投入成本 背銀電極 氮化硅膜 鈍化效果 硅片背面 依次設(shè)置 正銀電極 制備工藝 兼容性 背面 電池 貫通 生長(zhǎng) 制作 改造 | ||
1.一種增強(qiáng)背鈍化的PERC單面太陽(yáng)能電池，包括從下至上依次設(shè)置的背銀電極、全鋁背場(chǎng)、背面鈍化膜、P型硅、N型發(fā)射極、正面鈍化膜和正銀電極，在所述背面鈍化膜上開有貫通背面鈍化膜的開槽，全鋁背場(chǎng)通過(guò)開槽與所述P型硅相連，其特征在于：在所述P型硅的背面布設(shè)有開孔，所述背面鈍化膜部分位于所述開孔內(nèi)，以增大背面鈍化膜的面積。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的增強(qiáng)背鈍化的PERC單面太陽(yáng)能電池，其特征在于：所述開孔為呈陣列分布的孔洞、或所述開孔為直線狀的長(zhǎng)形孔、或所述開孔為短線狀的長(zhǎng)形孔，短線狀長(zhǎng)形孔排列成虛線形。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的增強(qiáng)背鈍化的PERC單面太陽(yáng)能電池，其特征在于：所述開孔的深度為5～50um。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的增強(qiáng)背鈍化的PERC單面太陽(yáng)能電池，其特征在于：所述孔洞為圓形孔，其直徑為20～200um；所述直線狀長(zhǎng)形孔的寬度為20～200um；所述短線狀長(zhǎng)形孔的寬度為20～200um。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的增強(qiáng)背鈍化的PERC單面太陽(yáng)能電池，其特征在于：所述背面鈍化膜包括背面氮化硅膜和氧化鋁膜，所述氧化鋁膜位于背面氮化硅膜的上表面上，所述背面氮化硅膜的厚度為50～500nm，所述氧化鋁膜的厚度為2～50nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的增強(qiáng)背鈍化的PERC單面太陽(yáng)能電池，其特征在于：所述正面鈍化膜采用氮化硅膜。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于浙江愛旭太陽(yáng)能科技有限公司;廣東愛旭科技股份有限公司，未經(jīng)浙江愛旭太陽(yáng)能科技有限公司;廣東愛旭科技股份有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201821078574.0/1.html，轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇：一種太陽(yáng)能電池
- 下一篇：一種太陽(yáng)能電池
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件；專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過(guò)該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個(gè)或多個(gè)電光源，如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
- 一種單晶摻鎵背鈍化太陽(yáng)電池及其制備方法
- 一種單晶摻鎵雙面太陽(yáng)電池及其制備方法
- 一種增強(qiáng)背鈍化的PERC雙面太陽(yáng)能電池及其制備方法
- 一種增強(qiáng)背鈍化的PERC單面太陽(yáng)能電池及其制備方法
- 一種PERC電池背面鈍化結(jié)構(gòu)及其制備方法
- 一種單晶摻鎵雙面太陽(yáng)電池
- 一種單晶摻鎵背鈍化太陽(yáng)電池
- 一種增強(qiáng)背鈍化的PERC雙面太陽(yáng)能電池
- 一種增強(qiáng)背鈍化的PERC單面太陽(yáng)能電池
- 太陽(yáng)電池及其制備方法、太陽(yáng)電池背面多層復(fù)合鈍化膜
