[實用新型]用于外延生長裝置的多功能晶片襯底基座

有效

• 申請號: 201821074095.1
• 申請日: 2018-07-09
• 公開（公告）號: CN208507647U
• 公開（公告）日: 2019-02-15
• 發明（設計）人: 沈文杰;傅林堅;潘文博;湯承偉;麻鵬達;董醫芳;章杰峰
• 申請（專利權）人: 浙江求是半導體設備有限公司;浙江晶盛機電股份有限公司
• 主分類號: H01L21/687
• 分類號: H01L21/687
• 代理公司: 杭州中成專利事務所有限公司 33212
• 代理人: 周世駿

1.一種用于外延生長裝置的多功能晶片襯底基座，包括基座主體，所述基座主體為用于放置圓形晶片襯底的圓盤；其特征在于，所述基座主體上表面分為一個內區以及至少三個外區，所述內區呈圓形位于基座主體中心，所述外區呈圓形，相鄰的兩個外區彼此相切且均與基座主體外緣相切；內區與外區重疊區域以外的內區圓周與每個外區圓周上，分別對稱設有若干內部限位塊與外部限位塊；所述基座主體下表面設有若干關于基座主體中心對稱、沿等分圓周陣列布置的凹槽以及支撐件，所述支撐件包含有與凹槽數量相等的支撐腳，所述支撐腳伸入所述凹槽內，以實現支撐件在基座主體上的固定。

2.如權利要求1所述的基座，其特征在于，所述基座主體直徑大于435mm；所述內區直徑為300mm，所述外區直徑為200mm。

3.如權利要求1所述的基座，其特征在于，所述內部限位塊至少為3個。

4.如權利要求1所述的基座，其特征在于，所述每個外區上的外部限位塊至少為2個。

5.如權利要求1所述的基座，其特征在于，所述外部限位塊和內部限位塊高度不超過晶片襯底的厚度。

6.如權利要求1所述的基座，其特征在于，所述內部限位塊與外部限位塊為圓柱形、三角形或矩形。

7.如權利要求1所述的基座，其特征在于，所述凹槽數量大于等于3個；所述凹槽深度小于基座主體厚度。

8.如權利要求1所述的基座，其特征在于，所述支撐件為石英支撐件。