[實用新型]用于外延生長裝置的多功能晶片襯底基座

有效

• 申請號: 201821074095.1
• 申請日: 2018-07-09
• 公開（公告）號: CN208507647U
• 公開（公告）日: 2019-02-15
• 發明（設計）人: 沈文杰;傅林堅;潘文博;湯承偉;麻鵬達;董醫芳;章杰峰
• 申請（專利權）人: 浙江求是半導體設備有限公司;浙江晶盛機電股份有限公司
• 主分類號: H01L21/687
• 分類號: H01L21/687
• 代理公司: 杭州中成專利事務所有限公司 33212
• 代理人: 周世駿

本實用新型涉及半導體制造設備技術領域，旨在提供一種用于外延生長裝置的多功能晶片襯底基座。包括基座主體，基座主體為圓盤；基座主體上表面分為一個內區以及至少三個外區，內區呈圓形位于基座主體中心，外區呈圓形，相鄰的兩個外區彼此相切且均與基座主體外緣相切；內區與外區重疊區域以外的內區圓周與每個外區圓周上，分別對稱設有若干內部限位塊與外部限位塊；基座主體下表面設有若干凹槽以及支撐件，支撐件包含有與凹槽數量相等的支撐腳，支撐腳伸入凹槽內，以實現支撐件在基座主體上的固定。利用本產品進行的加工方式保留了單片式外延生長裝置生長外延層良好厚度和電阻率均勻性的優點，生長出的外延層的質量優于多片式外延生長裝置。

技術領域

本實用新型涉及半導體制造設備技術領域，具體涉及一種用于外延生長裝置的多功能晶片襯底基座。

背景技術

目前，作為用于在襯底上生長外延膜的外延生長裝置，一般來說會有一個工藝腔室和設置在工藝腔室中的可旋轉的用來支撐襯底的基座，在這種裝置中，反應氣體在平行于襯底的方向上被引入至襯底，以便將外延層生長在基座上的襯底上。單片式硅外延生長裝置由于其大直徑外延加工能力和高質量的外延生長效果已經成為國際上硅外延片生產的發展主流。目前國內的外延設備能兼容直徑150mm和200mm的外延生長，但需要更換不同的基座，而外延設備更換基座非常麻煩，耗時耗力且容易對石墨基座造成損傷。

隨著半導體技術的進步，產業應用對外延片的要求越來越高，增大外延晶片尺寸成為必然發展趨勢，中國外延片市場將會由200mm過渡到300mm。考慮到以后200mm外延片逐步淘汰，所需的200mm基座也可能逐步淘汰，又由于基座的價格比較昂貴，為了減少200mm基座的采購量，需要用300mm的基座來代替使用。

而目前國內市場短期內對200mm外延片還有較大需求，在生長300mm外延片的腔體中，雖然使用300mm基座也能實現對200mm外延片的加工，但由于該生長裝置每次只能對單片進行加工，勢必會造成產能浪費。

實用新型內容

本實用新型要解決的技術問題是，克服現有技術中的不足，提供一種用于外延生長裝置的多功能晶片襯底基座。

為解決技術問題，本實用新型的解決方案是：

提供一種用于外延生長裝置的多功能晶片襯底基座，包括基座主體，基座主體為用于放置圓形晶片襯底的圓盤；基座主體上表面分為一個內區以及至少三個外區，內區呈圓形位于基座主體中心，外區呈圓形，相鄰的兩個外區彼此相切且均與基座主體外緣相切；內區與外區重疊區域以外的內區圓周與每個外區圓周上，分別對稱設有若干內部限位塊與外部限位塊；基座主體下表面設有若干關于基座主體中心對稱、沿等分圓周陣列布置的凹槽以及支撐件，支撐件包含有與凹槽數量相等的支撐腳，支撐腳伸入凹槽內，以實現支撐件在基座主體上的固定。

作為一種改進，基座主體直徑大于435mm；內區直徑為300mm，外區直徑為200mm。

作為一種改進，內部限位塊至少為3個。

作為一種改進，每個外區上的外部限位塊至少為2個，且外部限位塊間距小于200mm。

作為一種改進，外部限位塊和內部限位塊高度不超過晶片襯底的厚度。

作為一種改進，內部限位塊與外部限位塊為圓柱形、三角形或矩形。

作為一種改進，凹槽數量大于等于3個；凹槽深度小于基座主體厚度。

作為一種改進，支撐件為石英支撐件。

與現有技術相比，本實用新型的有益效果是：

1、本實用新型在能支撐單片300mm直徑襯底的同時，也能實現對3片200mm直徑襯底的支撐，且在切換襯底尺寸時，無須更換基座。