[實用新型]一種紅外加熱燈管排布結構及CVD加熱系統

有效

• 申請號: 201821042608.0
• 申請日: 2018-06-29
• 公開（公告）號: CN208776838U
• 公開（公告）日: 2019-04-23
• 發明（設計）人: 管長樂;南建輝;張虎威;么曼實
• 申請（專利權）人: 東泰高科裝備科技（北京）有限公司
• 主分類號: C23C16/48
• 分類號: C23C16/48
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司 11002
• 代理人: 王瑩;吳歡燕

本實用新型涉及膜加工技術領域，尤其涉及一種紅外加熱燈管排布結構及CVD加熱系統，包括主加熱件和補償加熱件，主加熱件包括多個平行排布的主加熱燈管，補償加熱件包括多個補償加熱燈管，主加熱燈管所在的平面與補償加熱燈管所在的平面平行或為同一平面，補償加熱燈管在主加熱燈管所在的平面上的正投影與主加熱燈管組成矩形，且補償加熱燈管的正投影位于矩形的四個邊角處。本實用新型補償加熱件的補償加熱燈管在主加熱燈管所在平面上的正投影與主加熱燈管共同構成矩形，補償加熱燈管位于矩形的四個邊角處，形成為主加熱件的邊角區域做溫度補償的結構，調節與燈管排布方向平行的方向上的溫度分布，調節與燈管排布方向垂直的方向上的溫度分布。

技術領域

本實用新型涉及膜加工技術領域，尤其涉及一種紅外加熱燈管排布結構及CVD加熱系統。

背景技術

光電器件、太陽能器件、半導體器件通常利用多種制造工藝處理襯底表面而被制造。外延膜或材料通過化學氣相沉積(CVD)工藝或金屬有機物CVD(MOCVD)工藝被生長或沉積在襯底上的方法被廣泛應用，外延膜或材料通常對于特定的器件，例如光電器件、太陽能器件等都會包括多個不同組分的層。

CVD技術常常通過反應類型或者壓力來分類，包括低壓CVD(LPCVD)，常壓CVD(APCVD)，等離子體增強CVD(PECVD)及金屬有機化合物CVD(MOCVD)等。共同特征是用于工藝沉積的腔室與大氣隔絕，內部用于沉積薄膜工藝的晶片襯底需要加熱到一定的工藝溫度，例如用于硅外延的APCVD和用于沉積GaN的MOCVD，其外延工藝溫度超過1000℃。高溫下如何保持溫度均勻性，對工藝的結果會產生巨大的影響。如LED行業中的MOCVD設備的溫度均勻性被要求達到1℃。

隨著工藝及應用技術的發展，砷化鎵太陽能電池外延工藝對紅外燈管加熱溫度均勻性要求越來越高。對于平板式反應腔室，現有的加熱燈系統及加熱方法中，通過使晶片承載器沿著晶片承載器軌道將晶片襯底移送至工藝沉積腔室內，用于支撐晶片襯底的晶片襯托器下表面暴露于從加熱燈組件輻射的能量下，同時晶片襯底被晶片襯托器加熱至工藝溫度。采用紅外加熱燈管的平行排布方式，雖說可以獨立調節每個燈管的電量用以控制燈管輻射的能量，但是只能調節燈管平行排布方向的溫度分布，而與燈管排布垂直方向的溫度分布則無法調節，即每只燈管的長度方向無法調節功率，也就不能調節該方向上的溫度分布。而由于受周邊環境的影響，方形加熱區域的四角溫度最低，并且實際測量數據與之吻合，四個邊角需要補償額外的溫度，但燈管長度方向上功率密度均勻，這就會造成在現有控制技術上溫度分布無法單獨補償四個邊角區域，不能滿足更高的均勻性要求。

實用新型內容

(一)要解決的技術問題

本實用新型要解決的技術問題是解決現有的紅外加熱燈管排布結構的邊角溫度無法補償，溫度分度無法在垂直方向上調整，加熱均勻性無法達到要求的問題。

(二)技術方案

為了解決上述技術問題，本實用新型提供了一種紅外加熱燈管排布結構，包括主加熱件和補償加熱件，所述主加熱件包括多個平行排布的主加熱燈管，所述補償加熱件包括多個補償加熱燈管，所述主加熱燈管所在的平面與所述補償加熱燈管所在的平面平行或為同一平面，所述補償加熱燈管在所述主加熱燈管所在的平面上的正投影與所述主加熱燈管組成矩形，且所述補償加熱燈管的正投影位于所述矩形的四個邊角處。

其中，所述主加熱燈管包括第一加熱燈管和第二加熱燈管，所述第二加熱燈管在所述第一加熱燈管垂直于主加熱燈管的方向上的兩側對稱設置，所述第一加熱燈管的長度大于所述第二加熱燈管的長度。

其中，所述補償加熱燈管包括第四加熱燈管，所述第四加熱燈管在所述主加熱燈管所在的平面上的正投影位于所述第二加熱燈管的兩端。