[實用新型]一種基底支撐機構以及一種曝光裝置有效
| 申請號: | 201821040778.5 | 申請日: | 2018-06-29 |
| 公開(公告)號: | CN208283723U | 公開(公告)日: | 2018-12-25 |
| 發明(設計)人: | 王春蘭;趙燦武 | 申請(專利權)人: | 上海微電子裝備(集團)股份有限公司 |
| 主分類號: | G03F7/20 | 分類號: | G03F7/20 |
| 代理公司: | 上海思捷知識產權代理有限公司 31295 | 代理人: | 王宏婧 |
| 地址: | 201203 上*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 基底支撐板 基底支撐機構 曝光裝置 定位塊 基底 基底背面 導向面 支撐面 鏤空部 本實用新型 容置空間 圖形區域 穩固支撐 曝光 復位 支撐 陰影 | ||
本實用新型提供一種基底支撐機構以及一種曝光裝置,所述基底支撐機構包括一具有鏤空部的基底支撐板和多個設于所述基底支撐板上的定位塊,所述基底支撐板與多個所述定位塊構成一容置空間,所述基底支撐板具有一支撐面以及一與所述支撐面相邊的端面。所述曝光裝置在對基底背面進行曝光時所述支撐面對基底起到穩固支撐的作用,而又由于所述端面的所述傾斜面的存在,使得所述端面陰影對基底的影響很小甚至忽略不計,從而使得基底背面整個圖形區域曝光。另外,所述定位塊具有一導向面,所述導向面對著所述鏤空部且向所述支撐面中心傾斜,所述通過所述導向面可以使在放置過程中的基底能由于自身重力下滑而復位。
技術領域
本實用新型涉及光刻技術領域,特別涉及一種基底支撐機構以及一種曝光裝置。
背景技術
圖形化藍寶石襯底,簡稱PSS(Patterned Sapphire Substrate),也就是在藍寶石襯底上生長干法刻蝕用掩膜,用標準的光刻工藝將掩膜刻出圖形,利用ICP刻蝕技術刻蝕藍寶石并去掉掩膜,再在其上生長GaN(氮化鎵)材料,使GaN材料的縱向外延變為橫向外延。制作工藝包括清洗、勻膠、烘烤、冷卻、制作圖形化基底、人工目檢、刻蝕和自動檢測等步驟。
在制作圖形化襯底的步驟中,機械手需將正面曝光完成的基底放置在曝光裝置中進行背面曝光,曝光裝置中的支撐板用于支撐需要進行曝光的基底,由于機械手操作誤差比較大,故整個曝光裝置的穩定性嚴重影響到曝光的質量。支撐板常用定位點來限制基底的放置位置,對于基底而言,距離基底邊緣2mm為無效區(無圖形區),為保證定位的相對準確性,在進行基底支撐時,支撐板的定位點需設在距基底邊緣2mm范圍內,這樣使得定位點可調節范圍比較小,故如何選擇合適的定位點以實現對基底進行高精度曝光是我們需要解決的難題。
實用新型內容
本實用新型的目的在于提供一種基底支撐機構以及一種曝光裝置,以解決現有曝光裝置無法對基底進行高精度曝光的問題。
為解決上述技術問題,本實用新型提供一種基底支撐機構,所述基底支撐機構包括一基底支撐板和多個設于所述基底支撐板上的定位塊,所述基底支撐板與多個所述定位塊構成一容置空間;
所述基底支撐板具有一支撐面以及一與所述支撐面相連接的端面,所述支撐面呈圓環或圓弧形狀并圍繞所述鏤空部,所述端面包括一傾斜面,所述傾斜面向遠離所述支撐面中心的方向傾斜。
可選地,在所述的基底支撐機構中,所述支撐面的截面寬度為0.14mm~1.86mm。
可選地,在所述的基底支撐機構中,所述定位塊具有一導向面,所述導向面對著所述鏤空部且向所述支撐面中心傾斜。
可選地,在所述的基底支撐機構中,所述定位塊個數為三個,三個所述定位塊呈三角形形式排布。
可選地,在所述的基底支撐機構中,所述傾斜面直接與所述支撐面相連;或者,所述端面還包括一豎直面,所述豎直面與所述支撐面垂直相連,所述傾斜面通過所述豎直面與所述支撐面相連。
一種曝光裝置,所述曝光裝置包括:一曝光機構、一框架機構以及至少一如以上所述的基底支撐機構;
所述曝光機構和所述基底支撐機構均設置于所述框架機構內,并且所述基底支撐機構位于所述曝光機構上方。
可選地,在所述的曝光裝置中,所述基底支撐機構的數量為多個,多個所述基底支撐機構的所述支撐面均呈圓弧形狀且支撐面的大小不同,多個所述基底支撐機構之間按從小到大依次從上到下垂直布置,多個所述支撐面的開口朝同一方向。
可選地,在所述的曝光裝置中,所述曝光機構包括:曝光光源和毛玻璃板,所述曝光光源位于所述毛玻璃板下方,所述基底支撐機構位于所述毛玻璃上方。
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