[實用新型]一種冷卻站有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201821040534.7 | 申請日: | 2018-06-29 |
| 公開(公告)號: | CN208478300U | 公開(公告)日: | 2019-02-05 |
| 發(fā)明(設計)人: | 薛榮華;闞保國;劉家樺;葉日銓 | 申請(專利權(quán))人: | 德淮半導體有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 上海思捷知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31295 | 代理人: | 王宏婧 |
| 地址: | 223300 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 偵測元件 冷卻腔 冷卻物 本實用新型 預設位置 體內(nèi) 冷卻站 晶圓 偵測 機臺 晶圓位置 冷卻腔體 生產(chǎn)效率 支架設置 偏移 支架 破損 | ||
本實用新型提供了一種冷卻站,包括:冷卻腔體;用于放置待冷卻物的支架,所述支架設置于所述冷卻腔體內(nèi);以及用于偵測所述待冷卻物是否在預設位置范圍內(nèi)的偵測元件,所述偵測元件設置于所述冷卻腔體內(nèi)。本實用新型通過在冷卻腔體內(nèi)設置偵測元件,其用于偵測待冷卻物是否在預設位置范圍內(nèi),以減少晶圓位置偏移造成晶圓破損,并降低機臺宕機率,提高晶圓生產(chǎn)效率。
技術領域
本實用新型涉及集成電路制造領域,特別是涉及一種冷卻站。
背景技術
隨著科技的快速發(fā)展,高科技電子產(chǎn)品使用于日常生活已是相當普遍,例如手機、主板、數(shù)字相機等電子產(chǎn)品,該類電子產(chǎn)品內(nèi)部皆裝設并布滿許多半導體器件,而半導體器件的材料來源就是晶圓,為了能夠滿足各式高科技電子產(chǎn)品的大量需求,故晶圓代工產(chǎn)業(yè)皆以如何更加快速且精確制造出晶圓為目標,不斷地進行研發(fā)與改良突破。
在晶圓的加工過程中,晶圓從工作腔體中出來時溫度一般在80℃至170℃之間,需要經(jīng)過冷卻站將溫度冷卻至一定范圍(例如是≤50℃)才可以進行后續(xù)操作。而當冷卻站整體發(fā)生傾斜未被及時糾正,以及,晶圓通過傳送手臂放入冷卻站或自冷區(qū)站取出時位置發(fā)生偏移,都會造成晶圓之間相互發(fā)生摩擦、碰撞或與冷卻站的腔體內(nèi)壁發(fā)生碰撞,從而造成晶圓破損,嚴重時甚至引起機臺宕機,影響晶圓生產(chǎn)效率。
實用新型內(nèi)容
本實用新型的目的在于提供一種冷卻站,以減少因晶圓位置偏移造成晶圓破損,并降低機臺宕機率,提高晶圓生產(chǎn)效率。
為了解決上述問題,本實用新型提出了一種冷卻站,包括:冷卻腔體;用于放置待冷卻物的支架,所述支架設置于所述冷卻腔體內(nèi);以及用于偵測所述待冷卻物是否在預設位置范圍內(nèi)的偵測元件,所述偵測元件設置于所述冷卻腔體內(nèi)。
可選的,所述冷卻腔體包括:相對設置的上內(nèi)壁和下內(nèi)壁;以及連接所述上內(nèi)壁和下內(nèi)壁多個側(cè)內(nèi)壁。
可選的,所述支架包括:多個凸起部分,所述多個凸起部分分別設置于所述冷卻腔體的多個側(cè)內(nèi)壁上,所述多個凸起部分共同構(gòu)成一承載面,所述承載面用于放置所述待冷卻物。
可選的,所述偵測元件包括:多對光電傳感器,每對光電傳感器分別設置在所述冷卻腔體的上內(nèi)壁和下內(nèi)壁,每對光電傳感器的連線均垂直于所述承載面,待冷卻物超出預設位置范圍時至少一對光電傳感器的信號被阻斷。
可選的,所述待冷卻物為晶圓,每三個凸起部分共同構(gòu)成一承載面。
可選的,所述偵測元件包括至少為3對光電傳感器。
可選的,所述冷卻腔體為長方體結(jié)構(gòu)。
可選的,所述冷卻腔體設置有用于待冷卻物出入的開口。
可選的,還包括:用于顯示所述偵測元件狀態(tài)的顯示元件,所述顯示元件設置于所述冷卻腔體上。
可選的,所述冷卻腔體的材質(zhì)為不銹鋼。
由于采用了以上技術方案,本實用新型具有以下有益效果:
本實用新型提供的一種冷卻站,通過在冷卻腔體內(nèi)設置偵測元件,其用于偵測待冷卻物(例如是晶圓)是否在預設位置范圍內(nèi),以減少晶圓位置偏移造成晶圓破損,并降低機臺宕機率,提高晶圓生產(chǎn)效率。
附圖說明
圖1為本實用新型一實施例提供的冷卻站的示意圖;
圖2為本實用新型一實施例的光電傳感器的位置示意圖。
附圖標記說明:
100-冷卻腔體;101-上內(nèi)壁;102-下內(nèi)壁;104-后側(cè)內(nèi)壁;105-左側(cè)內(nèi)壁;106-右側(cè)內(nèi)壁;
200-偵測元件;210-光電傳感器;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





